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格芯计划在其美国与德国的所有厂区进行产能扩张

半导体科技评论 2021-07-05 17:06 次阅读

本周,少有大新闻的晶圆代工厂格芯(GlobalFoundries)发布了一则引人注目的消息,该公司将于新加坡厂区设立新厂,扩张其全球生产布局。透过与新加坡经济发展局合作,以及相关客户的共同投资下,格芯将这项新加坡扩产计划投入40亿美元。目前,厂房正在建设中,预计于2023年启用。

此外,格芯还计划在其美国与德国的所有厂区进行产能扩张,两地各投资10亿美元。这样,未来两年,格芯总共将斥资不少于60亿美元扩充其在新加坡、美国与德国的产能。

据悉,如果这些晶圆厂建成,格芯的年度产能将会增加45万片12英寸约当晶圆,而格芯新加坡厂区的年度总产能将会上升至150万片(12英寸约当晶圆)。

晶圆厂扩张加速

过去几年,由于发展策略发生较大变化,格芯在新厂建设方面一直都处于非常保守的状态,甚至出售了几个晶圆厂。此次宣布扩产计划,也是基于当下全球芯片产能,特别是晶圆代工产能严重不足而做出的决定。这也从一个侧面凸显出当下市场对晶圆厂需求的火爆程度,扩充产能已经成为资金的第一去向。

来自SEMI的最新市场研究报告数据显示,全球半导体制造商将于今年年底前启动建设19个新的高产能晶圆厂,2022年会再建10个,这样,近两年将有至少29个晶圆厂开建。

其中,中国大陆和台湾地区各有8个,其次是美洲6个,欧洲/中东3个,日本和韩国各两个。这些新厂以12英寸晶圆厂为主,2021年有15个,2022年有7个。其它7个晶圆厂分别为4英寸、6英寸和8英寸厂。完成后,这29个晶圆厂每月可生产260万片(8英寸约当晶圆)。

另外,在这29个晶圆厂中,15个为晶圆代工厂,月产能达3万至22万片(8英寸约当晶圆);4个是存储器厂,这些新厂产能更高,每月可制造10万至40万片(8英寸约当晶圆)。

无论是晶圆代工厂,还是IDM,从2020下半年开始,就进入了疯狂扩产模式,而且是12英寸和8英寸齐头并进,一改早些年12英寸厂盛、8英寸厂衰的态势,市场需求呈现全面旺盛的状态。

12英寸晶圆方面,最大资本支出用在了存储芯片(DRAM和3D NAND)上,预计2020到2023年的实际和预测投资额每年都将以高个位数增长,2024年幅度有望进一步扩大到10%。另外,用于逻辑芯片/MPU和MCU的投资在2021到2023年也将稳步提高,特别值得关注的是功率器件,用在该类产品的投资增长幅度在2021年有望超过200%,而2022和2023年也将保持两位数的增长率。

从2020下半年开始,各大厂商加快了12英寸晶圆厂的扩产步伐,多个项目纷纷上马。

首先,晶圆代工龙头台积电宣布2021年资本支出由之前预估的250-280亿美元提升至300亿美元,其中逾8成用于先进制程投资,而7nm、5nm、3nm、2nm这些制程产线都采用12英寸晶圆。

不久前,台积电还宣布3年投资1000亿美元扩建晶圆厂,并确认将投资28.87亿美元扩充南京厂28nm制程工艺产能,每月增加4万片晶圆产量,主要用于生产汽车芯片。

台积电指出,目前台湾地区的晶圆厂已经没有洁尘室空间,只有南京厂有现成空间可用,可以直接设置生产线,有利于快速形成产能。按照计划,台积电南京厂的28nm制程产能将于2022年下半年量产,2023年中达到4万片晶圆/月的满载产能目标。目前,台积电的南京工厂主要生产16nm芯片,月产能约为2万片晶圆。

3月下旬,力积电举行了铜锣12英寸晶圆厂动土典礼,总投资额达新台币2780亿元,总产能每月10万片,将从2023年起分期投产,满载年产值超过600亿元。

DRAM厂南亚科也宣布,将斥资新台币3000亿元新台币,在台湾地区新北市泰山南林科技园区投资兴建12英寸先进晶圆新厂。南亚科董事长吴嘉昭表示,该12英寸先进晶圆新厂最快将于今年底动工,2023年完工试产。此座厂房将采用南亚科技自主研发的10nm级制程技术生产DRAM芯片,并规划建置EUV生产技术,月产能约为45,000片晶圆。

3月中旬,华邦电子董事会决议通过了12英寸晶圆厂资本支出预算案,核准资本预算约新台币131亿2,700万元。该资本支出预算案主要用于高雄新厂,于2021年3月起陆续投资,并于2022年试营运。高雄厂是华邦第二座12英寸晶圆厂。

3月17日,中芯国际宣布与深圳政府(透过深圳重投集团)拟以建议出资的方式经由中芯深圳进行项目发展和营运。依照计划,中芯深圳将开展项目的发展和营运,重点生产28nm及以上的集成电路并提供技术服务,旨在实现最终每月约40,000片12英寸晶圆的产能。预期将于2022年开始生产。据悉,中芯国际新的12英寸晶圆厂房主体建筑和已经投入生产的8英寸晶圆厂相连,且主体部分已经建设完成,并有望于2022年投入生产。

2020年8月,中国第一座12英寸车规级功率半导体自动化晶圆制造中心项目正式签约落户上海临港新片区。该项目是闻泰科技半导体业务实现100亿美元战略目标的第一步。2021年1月初,闻泰科技全资子公司安世半导体面对激增的半导体材料需求,宣布扩建位于上海临港的12英寸晶圆厂,将于2022年7月投产,产能预计将达到每年40万片。

此外,英特尔已经确定在美国新建两座12英寸晶圆厂。

三星方面,除了在韩国本土和美国新建12英寸厂之外,其在中国的投资力度非常大,主要表现在西安的存储器厂。之前,三星决定向其西安工厂投资150亿美元,这是该公司唯一的海外存储器生产基地。2017年8月一期投资70亿美元后,2019年二期投资80亿美元,一期投资建成的一条生产线已于2020年3月开始投产。近期,第二家工厂也将投产,且三期工程也在投资规划当中。三星西安厂二期投资完成后,二厂的NAND闪存产能将达到每月13万片晶圆。第一工厂的产能为每月120,000片。每月 25 万片晶圆的总产量约为三星2020 年NAND 闪存产量的一半。

以上是近一年来部分12英寸晶圆厂的扩产和新建情况。

另外,8英寸晶圆厂和产能状况也非常惹人关注,因为市场需求出现了前所未有的高涨,一点儿不逊于12英寸的。

以往,8英寸晶圆被认为是落后产线,更关注12英寸晶圆产线的建设和量产。然而,就是这一比12英寸晶圆“古老”多年的产品,8英寸晶圆芯片产能从2018年起,就处于明显不足的状况,而从过去的2020年来看,8英寸晶圆产能依然很紧张,特别是在中国大陆地区,在多条12英寸产线上马的情况下,似乎有些忽视了8英寸晶圆产能问题。总体来看,无论是IDM,还是晶圆代工厂,8英寸晶圆产能一直都很紧俏,产能利用率相当高。

出现这种状况的原因主要是市场对模拟芯片的需求量一直在提升,电源管理、功率器件、CMOS图像传感器、MEMS传感器RF收发器、PA、滤波器ADCDAC等等,大都投产在8英寸晶圆产线里。

SEMI的统计报告显示,全球半导体制造商从2020到2024年将持续提高8英寸晶圆厂产量,预计增加95万片,增幅17%,达到每月660万片的历史新纪录。未来几年,晶圆制造商将增设22座8英寸晶圆厂,以满足5G、汽车和物联网IoT)等高度依赖模拟、电源管理和显示驱动IC、功率组件MOSFET、MCU及传感器等器件的增长需求。

带动半导体设备市场增长

兴建晶圆厂的热潮,直接带动了半导体设备市场增长。SEMI统计数据显示,北美半导体设备制造商出货金额于今年1月首度突破30亿美元,随后不断逐月攀高,5月达35.9亿美元,月增4.7%,也较去年同期增加53.1%。中国大陆去年首次成为全球最大半导体设备市场,台湾地区紧追在后。

前文提到,未来两年将新建至少29座晶圆厂,相应的设备支出预计将超过1400亿美元。新厂动工后通常需要至少两年才能达到设备安装阶段,因此多数今年开始建造新厂的芯片制造商最快也要2023年才能启装,不过有些制造商可能提前在2022上半年就会开始相关作业。

预计到2022年,半导体设备投资都将维持在30亿美元以上的水平,晶圆代工将占总支出一半以上,以下依序为分立/功率器件占21%,模拟IC占15%、MEMS和传感器占7%。

根据日本半导体制造装置协会(SEAJ)6月17日公布的初步统计显示,2021年5月,日本半导体设备销售额(3个月移动平均值)同比暴增48.6%,达到3,054.05亿日元,连续第5个月呈现增长态势,创46个月来(2017年7月以来、暴增49.9%)最大增幅,且月销售额史上首度突破3,000亿日元大关、创2005年以来历史新纪录。

在日本半导体设备商中,有59%表示最近1年曾因现有零件供货商因生产跟不上需求而导致零件供应不足问题。另外,7成以上厂商表示,曾面临采购交期、价格、质量等问题。在面临零件供应不足问题的企业中,已出现寻找新零件供货商的动向、包含找上了之前未曾生产过半导体设备用零件的厂商。

在半导体设备消费市场,台湾地区是重镇,其中又以台积电和联电需求最旺。

由于台积电今年资本支出约有8成用于先进制程,7nm以下必备的EUV设备供应链将受惠,其中包括EUV光刻机厂商ASML、EUV光罩盒供货商家登、EUV设备模块代工厂帆宣和公准,而应材供应链的京鼎、瑞耘,还有真空服务解决方案厂商日扬也能享受商机。此外,台积电2021年资本支出约1成将用在先进封测及光罩,换算约有30亿美金的水平。据了解,台积电竹南新厂预计今年底至明年上半年量产,预期自动化机器设备商万润、半导体湿制程设备厂弘塑、辛耘将分食大单。

今年3月,媒体传出三星紧急找上联电,要洽谈联电南科厂的产能,双方前后谈了两个月之后,终于拍板定案,以三星为首,包下南科厂约一半产能。此外,联电也与其他客户共同谈成合约,包括联发科,联咏、瑞昱等,以预付订金的方式包下南科厂未来6年、每个月2万7500片产能的合约,而联电将拿这笔资金添购南科P6厂扩建28nm制程所需的设备。

半导体材料供不应求

晶圆厂的火爆,除了带动半导体设备市场大幅增长外,对半导体材料市场也有很大影响,特别是硅片(硅晶圆),最受瞩目。

在半导体供应链中,硅片生产环节直接与晶圆制造对接。今年上半年,日本硅片大厂SUMCO会长兼CEO桥本真幸表示,自身从事半导体业界逾20年时间来、芯片在如此长的时间呈现短缺是前所未见的。以8英寸硅片为主、涌入了超过该公司产能的订单。该公司和客户都呈现无库存状态。

具体来看,逻辑用12英寸硅晶圆短缺,而更为短缺的是大多用于汽车的8英寸产品。

桥本真幸指出,当前令人困恼的事情是没有可用来增产硅片的厂房。今后来自5G、数据中心的需求将上升。因此评估从头开始建造工厂。

桥本真幸上述言论也表明,SUMCO考虑兴建硅片新工厂。SUMCO自2008年以来的增产投资都仅仅是扩增现有工厂的产能、并未兴建新工厂。

关于硅片市况预估,桥本真幸指出,当前现有设备生产已满载。半导体市场即便在不景气的情况下、也以年率6%左右的速度增长,而硅片也配合半导体的成长、以年率5-6%的速度进行增产。而增产的设备已接近极限、硅片供需恐持续紧张。

SUMCO在2月9日公布的财报资料中指出,关于今后的硅片市场展望,在5G/智能手机/数据中心需求带动下,逻辑芯片用12英寸硅片供应不足情况恐持续。在8英寸硅片部分,车用/民用需求急速恢复,需求达到媲美2018年的巅峰水平,预估供应不足情况恐持续至2022年左右。

中国大陆的硅片企业也在扩产。

特别是在12英寸硅片领域,中国本土市场份额低,大多依赖进口,多数国内厂商已具备8英寸硅片的量产能力,但在技术积累和市场占有率方面与国际硅片大厂相比,存在较大差距。面对12英寸硅片市场需求激增,中国本土硅片企业大都在加紧布局,制定扩产计划。代表企业包括沪硅产业、神工股份、立昂微、上海新晟、中欣晶圆和中环股份。例如,中欣晶圆已将12英寸硅片扩产规划正式提上日程,将在现有每月3万片的基础上,继续拓展7万片产能,以期在年底达到每月10万片的规模。但10万片只是中欣的阶段性目标,2022年,中欣将会继续积极的寻求产能拓展,最终形成每月20万甚至是30万的12英寸硅片产能。

拉动投资

新建晶圆厂,采购半导体设备和材料,以及半导体设备厂商采购零部件等,都需要大量投资。

据IC Insights统计,2020 年半导体行业资本支出总额为1130亿美元,预计2021年将同比增长16%到23%。

三星、台积电和英特尔这3家公司占2020年半导体资本支出的50%以上,其中,三星是2020年支出最多的公司,达到279亿美元,预计2021年支出将持平。

台积电增幅最大,从2020年增加128亿美元,到2021年达到300亿美元,增幅为74%。台积电将占行业总支出增长204亿美元的60%以上。

英特尔已表示将把资本支出从2020年的143亿美元增加到2021年的195亿美元,增长 37%。

除了企业,在当前半导体产业的大环境下,各政府也在大力投入。

例如,美国参议院本月批准了一项法案,其中包括 520 亿美元用于资助半导体研究、设计和制造;

日本经济产业省本月早些时候宣布了一项“国家项目”,以支持日本的半导体制造;

韩国在5月宣布了一项计划,未来十年将在非存储芯片制造上投入4500亿美元;5月,欧盟也宣布准备投入大量资金,以扩大欧洲的半导体制造业务。

编辑:jq

原文标题:“疯狂”的晶圆厂引发连锁反应

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的头像 lhl545545 发表于 09-29 10:59 1863次 阅读

半导体放电管的工作原理、特点及参数

半导体放电管,TSS(Thyristor Surge Suppressors),也称浪涌抑制晶闸管,....
发表于 09-29 10:34 56次 阅读

重磅!2021第三届中国模拟半导体飞跃成就奖获奖名单揭晓

“浣沙淘金,模拟论芯”,2021年9月28日,由全球知名电子科技媒体电子发烧友主办的2021第三届中....
发表于 09-28 16:40 1011次 阅读
重磅!2021第三届中国模拟半导体飞跃成就奖获奖名单揭晓

为什么要对DRAM进行刷新

存储器是怎样进行分类的?分为哪几类? 为什么要对DRAM进行刷新?如何进行刷新? ...
发表于 09-28 08:50 0次 阅读

pcr非洲猪瘟检测仪基本介绍?市场价格多少?

pcr非洲猪瘟检测仪基本介绍?市场价格多少?对于猪肉价格未来一段时期的走势,价格监测部门预判降幅或将....
发表于 09-27 14:12 120次 阅读

荧光定量pcr仪器技术参数有哪些?厂家介绍

荧光定量pcr仪器技术参数有哪些?厂家介绍!PCR检测广泛应用与临床场景,包括肿瘤、传染病以及产前及....
发表于 09-27 14:10 150次 阅读

最新!日月光昆山厂因限电停产

9月26日,一张署名为日月光半导体(昆山)有限公司的公告显示,该厂将于9月27日8时到9月30日24....
的头像 Felix分析 发表于 09-27 13:50 22256次 阅读
最新!日月光昆山厂因限电停产

非洲猪瘟荧光定量pcr仪有什么特点?

非洲猪瘟荧光定量pcr仪有什么特点?厂家来介绍。某些检测中心针对相同的传染病检测,可能既开展荧光定量....
发表于 09-27 10:24 82次 阅读

找不到人才成为芯片制造商当下的痛

近日,据路透社报道,有制造业内人士透露,将近80%的电子制造商已经难以找到合格的工人,有三分之二的受....
发表于 09-27 09:12 1101次 阅读
找不到人才成为芯片制造商当下的痛

现代集成电路半导体器件书,胡正明

现代集成电路半导体器件书,胡正明
发表于 09-24 01:09 197次 阅读

打印机的原理是什么

打印机原理        激光技术出现于60年代,真正投入实际应用始于70年代初期。最早的激光发射器是...
发表于 09-17 06:23 0次 阅读

半导体、芯片与集成电路有何区别

写在前面的题外话:电子元器件是电子元件和小型的机器、仪器的组成部分,其本身常由若干零件构成,可以在同类产品中通用;常指电...
发表于 09-15 09:04 101次 阅读

半导体的定义及其作用

半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料,它在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域...
发表于 09-15 07:24 0次 阅读

集成电路与半导体

集成电路是一种微型电子器件或部件,它是采用一定的工艺,把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起,制...
发表于 09-15 06:45 0次 阅读

LM324LV 4 通道行业标准低电压运算放大器

LM3xxLV系列包括单个LM321LV,双LM358LV和四个LM324LVoperational放大器或运算放大器。这些器件采用2.7 V至5.5 V的低电压工作。 这些运算放大器是LM321,LM358和LM324的替代产品,适用于对成本敏感的低电压应用。一些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品。 LM3xxLV器件在低电压下提供比LM3xx器件更好的性能,并且功耗更低。运算放大器在单位增益下稳定,在过驱动条件下不会反相。 ESD设计为LM3xxLV系列提供了至少2 kV的HBM规格。 LM3xxLV系列提供具有行业标准的封装。这些封装包括SOT-23,SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 用于成本敏感系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1 mV 共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1 MHz 低宽带噪声:40 nV /√ Hz < li>低静态电流:90μA/Ch 单位增益稳定 工作电压为2.7 V至5.5 V 提供单,双和四通道变体 稳健的ESD规范:2 kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=1...
发表于 01-08 17:51 1875次 阅读
LM324LV 4 通道行业标准低电压运算放大器

TLV9052 5MHz、15-V/µs 高转换率 RRIO 运算放大器

TLV9051,TLV9052和TLV9054器件分别是单,双和四运算放大器。这些器件针对1.8 V至5.5 V的低电压工作进行了优化。输入和输出可以以非常高的压摆率从轨到轨工作。这些器件非常适用于需要低压工作,高压摆率和低静态电流的成本受限应用。这些应用包括大型电器和三相电机的控制。 TLV905x系列的容性负载驱动为200 pF,电阻性开环输出阻抗使容性稳定更高,容性更高。 TLV905x系列易于使用,因为器件是统一的 - 增益稳定,包括一个RFI和EMI滤波器,在过载条件下不会发生反相。 特性 高转换率:15 V /μs 低静态电流:330μA 轨道-to-Rail输入和输出 低输入失调电压:±0.33 mV 单位增益带宽:5 MHz 低宽带噪声:15 nV /√ Hz 低输入偏置电流:2 pA Unity-Gain稳定 内部RFI和EMI滤波器 适用于低成本应用的可扩展CMOS运算放大器系列 工作电压低至1.8 V 由于电阻开环,电容负载更容易稳定输出阻抗 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Vo...
发表于 01-08 17:51 452次 阅读
TLV9052 5MHz、15-V/µs 高转换率 RRIO 运算放大器

TMP422-EP 增强型产品,具有 N 因数和串联电阻校正的 ±1°C 双路远程和本地温度传感器

TMP422是具有内置本地温度传感器的远程温度传感器监视器。远程温度传感器具有二极管连接的晶体管 - 通常是低成本,NPN-或者PNP - 类晶体管或者作为微控制器,微处理器,或者FPGA组成部分的二极管。 无需校准,对多生产商的远程精度是±1°C。这个2线串行接口接受SMBus写字节,读字节,发送字节和接收字节命令对此器件进行配置。 TMP422包括串联电阻抵消,可编程非理想性因子,大范围远程温度测量(高达150℃),和二极管错误检测。 TMP422采用SOT23-8封装。 特性 SOT23-8封装 ±1°C远程二极管传感器(最大值) ±2.5°C本地温度传感器(最大值) 串联电阻抵消 n-因子校正 两线/SMBus串口 多重接口地址 二极管故障检测 RoHS兼容和无Sb /Br 参数 与其它产品相比 数字温度传感器   Interface Local sensor accuracy (Max) (+/- C) Temp Resolution (Max) (bits) Operating temperature range (C) Supply Voltage (Min) (V) Supply Voltage (Max) (V) Supply Current (Max) (uA) Features Remote channels (#) Rating Package Group Package size: mm2:W x L (PKG)   TMP422-...
发表于 01-08 17:51 396次 阅读
TMP422-EP 增强型产品,具有 N 因数和串联电阻校正的 ±1°C 双路远程和本地温度传感器

LP8733-Q1 LP8733-Q1 双路高电流降压转换器和双路线性稳压器

LP8733xx-Q1专为满足的电源管理要求而设计,这些处理器和平台用于汽车应用中的闭环性能。该器件具有两个可配置为单个两相稳压器或两个单相稳压器的降压直流/直流转换器和两个线性稳压器以及通用数字输出信号。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动PWM /PFM(AUTO模式)操作与自动相位增加/减少相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8733xx-Q1支持远程电压检测(采用两相配置的差分),可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8733xx-Q1器件支持可编程启动和关断延迟与排序(包括与使能信号同步的GPO信号)。在启动和电压变化期间,器件会对出转换率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:器件温度 1 级:-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围输入电压:2.8V 至 5.5V两个高效降压直流/直流转换器:输出电压:0.7V 至 3.36V最大输出电流 3A/相采用两相配置的自动相位增加/减少和强制多相操作采用两相配置的远...
发表于 01-08 17:51 505次 阅读
LP8733-Q1 LP8733-Q1 双路高电流降压转换器和双路线性稳压器

TPS3840 具有手动复位和可编程复位时间延迟功能的毫微功耗高输入电压监控器

TPS3840系列电压监控器或复位IC可在高电压下工作,同时在整个V DD 上保持非常低的静态电流和温度范围。 TPS3840提供低功耗,高精度和低传播延迟的最佳组合(t p_HL =30μs典型值)。 当VDD上的电压低于负电压阈值(V IT - )或手动复位拉低逻辑(V MR _L )。当V DD 上升到V IT - 加滞后(V IT + )和手动复位( MR )时,复位信号被清除)浮动或高于V MR _H ,复位时间延迟(t D )到期。可以通过在CT引脚和地之间连接一个电容来编程复位延时。对于快速复位,CT引脚可以悬空。 附加功能:低上电复位电压(V POR ), MR 和VDD的内置线路抗扰度保护,内置迟滞,低开漏输出漏电流(I LKG(OD))。 TPS3840是一款完美的电压监测解决方案,适用于工业应用和电池供电/低功耗应用。 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 特性 宽工作电压:1.5 V至10 V 纳米电源电流:350 nA(典型值) 固定阈值电压(V IT - ) 阈值从1.6 V到4.9 V,步长为0.1 V 高精度:1%(典型值) 内置滞后(V IT + ) 1.6 V&lt; V IT - ≤3.1V= 100mV(典...
发表于 01-08 17:51 893次 阅读
TPS3840 具有手动复位和可编程复位时间延迟功能的毫微功耗高输入电压监控器

INA240-SEP 采用增强型航天塑料且具有增强型 PWM 抑制功能的 80V、高/低侧、零漂移电流检测放大器

INA240-SEP器件是一款电压输出,电流检测放大器,具有增强的PWM反射功能,能够在宽共模电压下检测分流电阻上的压降范围为-4V至80V,与电源电压无关。负共模电压允许器件在地下工作,适应典型电磁阀应用的反激时间。 EnhancedPWM抑制为使用脉冲宽度调制(PWM)信号的大型共模瞬变(ΔV/Δt)系统(如电机驱动和电磁阀控制系统)提供高水平的抑制。此功能可实现精确的电流测量,无需大的瞬态电压和输出电压上的相关恢复纹波。 该器件采用2.7 V至5.5 V单电源供电,最大电源电流为2.4 mA 。固定增益为20 V /V.零漂移架构的低失调允许电流检测,分流器上的最大压降低至10 mV满量程。 特性 VID V62 /18615 抗辐射 单事件闩锁(SEL)免疫43 MeV-cm 2 /mgat 125° ELDRS每次使用晶圆批次可达30 krad(Si) TotalIonizing Dose(TID)RLAT至20krad(Si) 空间增强塑料 受控基线 金线 NiPdAu LeadFinish < /li> 一个装配和测试现场 一个制造现场 可用于军用(-55°C至125°C)温度范围 ExtendedProduct生命周期 扩展产品更改通知 产品可追溯性 用于低释气的增强型模具化合物 增强型PWM抑制 出色...
发表于 01-08 17:51 496次 阅读
INA240-SEP 采用增强型航天塑料且具有增强型 PWM 抑制功能的 80V、高/低侧、零漂移电流检测放大器

LM96000 具有集成风扇控制的硬件监控器

LM96000硬件监视器具有与SMBus 2.0兼容的双线数字接口。使用8位ΣΔADC,LM96000测量: 两个远程二极管连接晶体管及其自身裸片的温度 VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V电源(内部定标电阻)。 为了设置风扇速度,LM96000有三个PWM输出,每个输出由三个温度区域之一控制。支持高和低PWM频率范围。 LM96000包括一个数字滤波器,可调用该滤波器以平滑温度读数,从而更好地控制风扇速度。 LM96000有四个转速计输入,用于测量风扇速度。包括所有测量值的限制和状态寄存器。 特性 符合SMBus 2.0标准的2线制串行数字接口 8位ΣΔADC 监控VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V主板/处理器电源 监控2个远程热二极管 基于温度读数的可编程自主风扇控制 风扇控制温度读数的噪声过滤 1.0°C数字温度传感器分辨率 3 PWM风扇速度控制输出 提供高低PWM频率范围 4风扇转速计输入 监控5条VID控制线 24针TSSOP封装 XOR-tree测试模式< /li> Key Specifications Voltage Measurement Accuracy ±2% FS (max) Resolution 8-bits, 1°C Temperature Sensor Accuracy ±3°C (max) Temperature ...
发表于 01-08 17:51 606次 阅读
LM96000 具有集成风扇控制的硬件监控器

LM63 具有集成风扇控制的准确远程二极管数字温度传感器

LM63是一款带集成风扇控制的远程二极管温度传感器。 LM63精确测量:(1)自身温度和(2)二极管连接的晶体管(如2N3904)或计算机处理器,图形处理器单元(GPU)和其他ASIC上常见的热敏二极管的温度。 LM63远程温度传感器的精度针对串联电阻和英特尔0.13μm奔腾4和移动奔腾4处理器-M热敏二极管的1.0021非理想性进行了工厂调整。 LM63有一个偏移寄存器,用于校正由其他热二极管的不同非理想因素引起的误差。 LM63还具有集成的脉冲宽度调制(PWM)开漏风扇控制输出。风扇速度是远程温度读数,查找表和寄存器设置的组合。 8步查找表使用户能够编程非线性风扇速度与温度传递函数,通常用于静音声学风扇噪声。 特性 准确感应板载大型处理器或ASIC上的二极管连接2N3904晶体管或热二极管 准确感知其自身温度< /li> 针对英特尔奔腾4和移动奔腾4处理器-M热二极管的工厂调整 集成PWM风扇速度控制输出 使用用户可编程降低声学风扇噪音8 -Step查找表 用于 ALERT 输出或转速计输入,功能的多功能,用户可选引脚 用于测量风扇RPM的转速计输入< /li> 用于测量典型应用中脉冲宽度调制功率的风扇转速的Smart-Tach模式 偏移寄存器可针对...
发表于 01-08 17:51 1009次 阅读
LM63 具有集成风扇控制的准确远程二极管数字温度传感器

AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达加速器的 76GHz 至 81GHz 单芯片汽车雷达传感器

AWR1843器件是一款集成的单芯片FMCW雷达传感器,能够在76至81 GHz频段内工作。该器件采用TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺制造,可在极小的外形尺寸内实现前所未有的集成度。 AWR1843是汽车领域低功耗,自监控,超精确雷达系统的理想解决方案。 AWR1843器件是一款独立的FMCW雷达传感器单芯片解决方案,可简化在76至81 GHz频段内实施汽车雷达传感器。它基于TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺,可实现具有内置PLL和A2D转换器的3TX,4RX系统的单片实现。它集成了DSP子系统,其中包含TI的高性能C674x DSP,用于雷达信号处理。该设备包括BIST处理器子系统,负责无线电配置,控制和校准。此外,该器件还包括一个用户可编程ARM R4F,用于汽车接口。硬件加速器模块(HWA)可以执行雷达处理,并可以帮助在DSP上保存MIPS以获得更高级别的算法。简单的编程模型更改可以实现各种传感器实现(短,中,长),并且可以动态重新配置以实现多模传感器。此外,该设备作为完整的平台解决方案提供,包括参考硬件设计,软件驱动程序,示例配置,API指南和用户文档。 特性 FMCW收发器 集成PLL,发送器,接收...
发表于 01-08 17:51 2271次 阅读
AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达加速器的 76GHz 至 81GHz 单芯片汽车雷达传感器

OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算放大器

OPAx388(OPA388,OPA2388和OPA4388)系列高精度运算放大器是超低噪声,快速稳定,零漂移,零交叉器件,可实现轨到轨输入和输出运行。这些特性及优异交流性能与仅为0.25μV的偏移电压以及0.005μV/°C的温度漂移相结合,使OPAx388成为驱动高精度模数转换器(ADC)或缓冲高分辨率数模转换器(DAC)输出的理想选择。该设计可在驱动模数转换器(ADC)的过程中实现优异性能,不会降低线性度.OPA388(单通道版本)提供VSSOP-8,SOT23 -5和SOIC-8三种封装.OPA2388(双通道版本)提供VSSOP-8和SO-8两种封装.OPA4388(四通道版本)提供TSSOP-14和SO-14两种封装。上述所有版本在-40°C至+ 125°C扩展工业温度范围内额定运行。 特性 超低偏移电压:±0.25μV 零漂移:±0.005μV/°C 零交叉:140dB CMRR实际RRIO 低噪声:1kHz时为7.0nV /√ Hz 无1 /f噪声:140nV < sub> PP (0.1Hz至10Hz) 快速稳定:2μs(1V至0.01%) 增益带宽:10MHz 单电源:2.5V至5.5V 双电源:±1.25V至±2.75V 真实轨到轨输入和输出 已滤除电磁干扰( EMI)/射频干扰(RFI)的输入 行业标...
发表于 01-08 17:51 1852次 阅读
OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算放大器

TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

TLVx314-Q1系列单通道,双通道和四通道运算放大器是新一代低功耗,通用运算放大器的典型代表。该系列器件具有轨到轨输入和输出(RRIO)摆幅,低静态电流(5V时典型值为150μA),3MHz高带宽等特性,非常适用于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供电型应用。 TLVx314-Q1系列可实现1pA低输入偏置电流,是高阻抗传感器的理想选择。 TLVx314-Q1器件采用稳健耐用的设计,方便电路设计人员使用。该器件具有单位增益稳定性,支持轨到轨输入和输出(RRIO),容性负载高达300PF,集成RF和EMI抑制滤波器,在过驱条件下不会出现反相并且具有高静电放电(ESD)保护(4kV人体模型(HBM))。 此类器件经过优化,适合在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的低电压状态下工作并可在-40°C至+ 125°C的扩展工业温度范围内额定运行。 TLV314-Q1(单通道)采用5引脚SC70和小外形尺寸晶体管(SOT)-23封装.TLV2314-Q1(双通道版本)采用8引脚小外形尺寸集成电路(SOIC)封装和超薄外形尺寸(VSSOP)封装。四通道TLV4314-Q1采用14引脚薄型小外形尺寸(TSSOP)封装。 特性 符合汽车类应用的要求 具...
发表于 01-08 17:51 305次 阅读
TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍尔效应单极开关

DRV5021器件是一款用于高速应用的低压数字开关霍尔效应传感器。该器件采用2.5V至5.5V电源工作,可检测磁通密度,并根据预定义的磁阈值提供数字输出。 该器件检测垂直于封装面的磁场。当施加的磁通密度超过磁操作点(B OP )阈值时,器件的漏极开路输出驱动低电压。当磁通密度降低到小于磁释放点(B RP )阈值时,输出变为高阻抗。由B OP 和B RP 分离产生的滞后有助于防止输入噪声引起的输出误差。这种配置使系统设计更加强大,可抵抗噪声干扰。 该器件可在-40°C至+ 125°C的宽环境温度范围内始终如一地工作。 特性 数字单极开关霍尔传感器 2.5 V至5.5 V工作电压V CC 范围 磁敏感度选项(B OP ,B RP ): DRV5021A1:2.9 mT,1.8 mT DRV5021A2:9.2 mT,7.0 mT DRV5021A3:17.9 mT,14.1 mT 快速30-kHz感应带宽 开漏输出能够达到20 mA 优化的低压架构 集成滞后以增强抗噪能力 工作温度范围:-40° C至+ 125°C 标准工业封装: 表面贴装SOT-23 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 霍尔效应锁存器和开关   Type Supply Voltage (Vcc) (Min) (V...
发表于 01-08 17:51 479次 阅读
DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍尔效应单极开关

TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

TLV1805-Q1高压比较器提供宽电源范围,推挽输出,轨到轨输入,低静态电流,关断的独特组合和快速输出响应。所有这些特性使该比较器非常适合需要检测正或负电压轨的应用,如智能二极管控制器的反向电流保护,过流检测和过压保护电路,其中推挽输出级用于驱动栅极p沟道或n沟道MOSFET开关。 高峰值电流推挽输出级是高压比较器的独特之处,它具有允许输出主动驱动负载到电源轨的优势具有快速边缘速率。这在MOSFET开关需要被驱动为高或低以便将主机与意外高压电源连接或断开的应用中尤其有价值。低输入失调电压,低输入偏置电流和高阻态关断等附加功能使TLV1805-Q1足够灵活,可以处理几乎任何应用,从简单的电压检测到驱动单个继电器。 TLV1805-Q1符合AEC-Q100标准,采用6引脚SOT-23封装,额定工作温度范围为-40°C至+ 125°C。 特性 AEC-Q100符合以下结果: DeviceTemperature 1级:-40°C至+ 125°C环境温度工作温度 器件HBMESD分类等级2 器件CDM ESD分类等级C4A 3.3 V至40 V电源范围 低静态电流:每个比较器150μA 两个导轨以外的输入共模范围 相位反转保护 推 - 拉输出 250ns传播延迟 低输入失...
发表于 01-08 17:51 486次 阅读
TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

TMP461-SP 耐辐射 (RHA) 高精度远程和本地温度传感器

这个远程温度传感器通常采用低成本分立式NPN或PNP晶体管,或者基板热晶体管/二极管,这些器件都是微处理器,模数转换器(ADC),数模转换器(DAC),微控制器或现场可编程门阵列(FPGA)中不可或缺的部件。本地和远程传感器均用12位数字编码表示温度,分辨率为0.0625°C。此两线制串口接受SMBus通信协议,以及多达9个不同的引脚可编程地址。 该器件将诸如串联电阻抵消,可编程非理想性因子(η因子),可编程偏移,可编程温度限制和可编程数字滤波器等高级特性完美结合,提供了一套准确度和抗扰度更高且稳健耐用的温度监控解决方案。 TMP461-SP是在各种分布式遥测应用中进行多位置高精度温度测量的理想选择这类集成式本地和远程温度传感器可提供一种简单的方法来测量温度梯度,进而简化了航天器维护活动。该器件的额定电源电压范围为1.7V至3.6V,额定工作温度范围为-55 °C至125°C。 特性 符合QMLV标准:5962-1721801VXC 热增强型HKU封装 经测试,在50rad /s的高剂量率(HDR)下,可抵抗高达50krad(Si)的电离辐射总剂量(TID) 经测试,在10mrad /s的低剂量率(LDR)下,可抵抗高达100krad(Si)的电离辐射...
发表于 01-08 17:51 524次 阅读
TMP461-SP 耐辐射 (RHA) 高精度远程和本地温度传感器

LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器

LP87524B /J /P-Q1旨在满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求。该器件包含四个降压DC-DC转换器内核,配置为4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals控制。 自动PFM /PWM(自动模式)操作可在宽输出电流范围内最大限度地提高效率。 LP87524B /J /P-Q1支持远程电压检测,以补偿稳压器输出和负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,开关时钟可以强制为PWM模式,也可以与外部时钟同步,以最大限度地减少干扰。 LP87524B /J /P-Q1器件支持负载电流测量,无需增加外部电流检测电阻器。此外,LP87524B /J /P-Q1还支持可编程的启动和关闭延迟以及与信号同步的序列。这些序列还可以包括GPIO信号,以控制外部稳压器,负载开关和处理器复位。在启动和电压变化期间,器件控制输出压摆率,以最大限度地减少输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100符合以下结果: 设备温度等级1:-40°C至+ 125°C环境工作温度 输入电压:2.8 V至5.5 V 输出电压:0.6 V至3.36 V 四个高效降压型DC-DC转换器内核: 总输出电流高达10 A 输出电压漏电率...
发表于 01-08 17:51 890次 阅读
LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器

TAS2562 具有扬声器 IV 检测功能的数字输入单声道 D 类音频放大器

TAS2562是一款数字输入D类音频放大器,经过优化,能够有效地将高峰值功率驱动到小型扬声器应用中。 D类放大器能够在电压为3.6 V的情况下向6.1负载提供6.1 W的峰值功率。 集成扬声器电压和电流检测可实现对扬声器的实时监控。这允许在将扬声器保持在安全操作区域的同时推动峰值SPL。具有防止掉电的电池跟踪峰值电压限制器可优化整个充电周期内的放大器裕量,防止系统关闭。 I 2 S /TDM + I中最多可有四个器件共用一个公共总线 2 C接口。 TAS2562器件采用36球,0.4 mm间距CSP封装,尺寸紧凑。 高性能D类放大器 6.1 W 1%THD + N(3.6 V时4Ω) 5 W 1%THD + N(在3.6 V时为8Ω) 15μVrmsA加权空闲信道噪声 112.5dB SNR为1%THD + N(8Ω) 100dB PSRR,200 mV PP 纹波频率为20 - 20 kHz 83.5%效率为1 W (8Ω,VBAT = 4.2V) &lt; 1μAHW关断VBAT电流 扬声器电压和电流检测 VBAT跟踪峰值电压限制器,具有欠压预防 8 kHz至192 kHz采样率 灵活的用户界面 I 2 S /TDM:8通道(32位/96 kHz) I 2 < /sup> C:4个可选择的地址 MCLK免费操作 低流行并点...
发表于 01-08 17:51 905次 阅读
TAS2562 具有扬声器 IV 检测功能的数字输入单声道 D 类音频放大器

LM358B 双路运算放大器

LM358B和LM2904B器件是业界标准的LM358和LM2904器件的下一代版本,包括两个高压(36V)操作放大器(运算放大器)。这些器件为成本敏感型应用提供了卓越的价值,具有低失调(300μV,典型值),共模输入接地范围和高差分输入电压能力等特点。 LM358B和LM2904B器件简化电路设计具有增强稳定性,3 mV(室温下最大)的低偏移电压和300μA(典型值)的低静态电流等增强功能。 LM358B和LM2904B器件具有高ESD(2 kV,HBM)和集成的EMI和RF滤波器,可用于最坚固,极具环境挑战性的应用。 LM358B和LM2904B器件采用微型封装,例如TSOT-8和WSON,以及行业标准封装,包括SOIC,TSSOP和VSSOP。 特性 3 V至36 V的宽电源范围(B版) 供应 - 电流为300μA(B版,典型值) 1.2 MHz的单位增益带宽(B版) 普通 - 模式输入电压范围包括接地,使能接地直接接地 25°C时低输入偏移电压3 mV(A和B型号,最大值) 内部RF和EMI滤波器(B版) 在符合MIL-PRF-38535的产品上,除非另有说明,否则所有参数均经过测试。在所有其他产品上,生产加工不一定包括所有参数的测试。 所...
发表于 01-08 17:51 946次 阅读
LM358B 双路运算放大器

LP87565-Q1 具有集成开关的四相 8A + 8A 降压转换器

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...
发表于 01-08 17:51 511次 阅读
LP87565-Q1 具有集成开关的四相 8A + 8A 降压转换器

LM2902LV 行业标准、低电压放大器

LM290xLV系列包括双路LM2904LV和四路LM2902LV运算放大器。这些器件由2.7V至5.5V的低电压供电。 这些运算放大器可以替代低电压应用中的成本敏感型LM2904和LM2902。有些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品.LM290xLV器件在低电压下可提供比LM290x器件更佳的性能,并且功能耗尽。这些运算放大器具有单位增益稳定性,并且在过驱情况下不会出现相位反转.ESD设计为LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM规格。 LM290xLV系列采用行业标准封装。这些封装包括SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 适用于成本敏感型系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1mV < LI>共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1MHz的 低宽带噪声:40nV /√赫兹 低静态电流:90μA/通道 单位增益稳定 可在2.7V至5.5V的电源电压下运行 提供双通道和四通道型号< /li> 严格的ESD规格:2kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Voltage (Max) (+5V...
发表于 01-08 17:51 458次 阅读
LM2902LV 行业标准、低电压放大器

LP87561-Q1 具有集成开关的四相 16A 降压转换器

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...
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LP87561-Q1 具有集成开关的四相 16A 降压转换器