IGBT、FRED作为功率半导体器件的主要代表,被广泛应用于工业控制、新能源发电与电能质量管理、新能源汽车(充电桩)、轨道交通与航海航空、5G与数据中心电源、半导体生产设备与医疗器械等领域,是目前用途最广、用量最大的高频大功率半导体器件,是电气与自动化、电力传输与信息通信系统中的核心器件。
在当前复杂而严峻的国际形势下,积极推动我国功率半导体材料、芯片、封测的国产化进程具有极其重大的意义,而研发和生产自主可控的IGBT、FRED芯片及模块已成为国家战略新兴产业发展的重点。
事实上,我国IGBT市场规模增速快于全球,2012年-2019年我国IGBT年复合增长率为14.52%。根据集邦咨询预测,受益于新能源汽车和工业领域的需求大幅增加,中国IGBT市场规模将持续增长,到2025年,中国IGBT市场规模将达到522亿人民币,2018-2025年复合增长率达19.96%。
在快速增长的国内市场上,宏微科技等公司发展迅猛。近年来,该公司主营业务整体保持稳定增长趋势,但透过招股书,发现,该公司的芯片业务“日渐式微”,究其背后,是其自研产品成本下不来,主要芯片来源于外购。
芯片业务“日渐式微”
在招股书中,宏微科技称,目前已成为国内少数集芯片设计、封装测试和技术服务于一体的全产品链企业,是国内少数实现IGBT、FRED大规模生产的国内企业之一,同时也是国内多家知名工业控制企业的主要IGBT模块供应商。
从其公开的产品分类及对应的业务收入可知,宏微科技近三年及一期的业务整体保持平稳增长。公司产品已涵盖IGBT、FRED、MOSFET芯片及单管产品100余种,IGBT、FRED、MOSFET、整流桥及晶闸管等模块产品400余种。
具体来看,宏微科技不同业务发展发生了不小的变化。模块业务近年来保持持续增长,从2017年的12340.29万元增长至19442.34万元。在多个业务中占比逐渐提高,由2017年的59.72%增长到2019年的75.40%,足以证明模块已然成为其主要业务构成。
模块业务发展情况与国内市场实际情况基本相符。近年来,受益于国际电子制造产业的转移,以及下游计算机、通信、消费类电子等需求的拉动,我国电力电子产品,尤其是新型电力电子器件如IGBT、FRED、
MOSFET等功率半导体器件保持了较快的发展态势。
目前,我国已成为全球最大的功率半导体器件消费国,2018年市场需求规模达到138亿美元,增速为9.5%,占全球需求比例超过35%。预计中国功率半导体将继续保持较高速度增长,2021年市场规模有望达到159亿美元,2018年-2021年年化增速达4.83%。
与模块业务发展趋势截然相反,宏微科技的芯片业务却是“日渐式微”。2017年,其芯片业务发展得不错,当年收入为1501.55万元;经过三年后,其芯片业务收入只有一千万左右,在业务构成比例中也从7.27%下滑至4.18%。
对于芯片业务收入大幅减少的原因,宏微科技在招股书中并没有直接说明,但从招股书内容来看,其外购芯片比例增加明显,背后或与客户更愿意采用外购芯片而减少采购宏微科技自研芯片有关。
外购芯片比例逐年增高
我国IGBT行业近年来规模不断扩大,国内也有一批半导体企业正在进入IGBT行业,但是国内能够自主研发设计芯片的企业较少,国内企业仍主要依靠进口芯片进行生产,因此生产成本较高,进口依赖较强,经营稳定性较差。
据了解,宏微科技芯片的采购主要通过自主研发设计并委托芯片代工企业制造加工,以及向英飞凌等国外生产厂商直接采购两种方式。
报告期内,宏微科技主要原材料芯片采购金额随宏微科技产品产量的增加,宏微科技采购的芯片金额随之增加。
从招股书可知,外购芯片采购金额从2017年的3,776.68万元增长到2019年的6,200.62万元,外购芯片占采购总额比例从25.38%增至34.17%。从外购芯片比例来看,宏微科技2019年对外购芯片的依赖程度较高。
对于外购芯片比例持续增长,宏微科技没有直接说明,与之有关的解释是“根据客户的实际需求,采购指定厂商的芯片。”
不过,从招股书中,笔者发现,宏微科技声称其芯片性能已与英飞凌基本接近。据悉,其最新研发的宏微第四代IGBTM4i750V280A芯片与英飞凌科技国内新能源车主流使用的车用HybridPackDrive模块中所用EDT2芯片做横向对比可知,宏微科技的芯片产品在击穿耐压、短路极限时间方面与英飞凌芯片基本相同,在损耗、电流密度方面与英飞凌芯片相接近。
“随着公司第四代IGBT平台的逐渐成熟,公司同时着力推进产品的平台化和产业化,完善并完成进口芯片替代工作。”
然而,早在2017年推出宏微第三代IGBTM3i1200V系列产品时,其产品性能和英飞凌的产品性能接近。但从近三年的情况来看,其国产替代程度并没有进一步推进,采购国外芯片反而越来越高。
自研芯片成本仍较高
对于国外芯片采购比例较高,宏微科技的解释主要有以下两方面,一方面是采购规模增加可以降低采购单价;另一方面是其自研芯片的成本问题。
在招股书中,宏微科技称,报告期内主要原材料采购价格总体相对稳定,其中芯片(外购)采购价格逐年下降,2017年度至2019年度随着采购规模的增加采购单价总体有所下降。
可知,2017-2019年,宏微科技自研IGBT芯片的采购成本分别为6.73元/粒、6.21元/粒和6.17元/粒;国内IGBT企业斯达半导同期的自研芯片成本分别为5.16元/粒、4.77元/粒和5.25元/粒(2019年1-6月数据)。
数据对比明显看出,宏微科技的自研芯片成本虽然在逐年下降,但仍远高于斯达半导的产品成本。
值得一提的是,报告期内,斯达半导自主研发的IGBT及快恢复二极管芯片采购金额占当期IGBT及快恢复二极管芯片采购总额比例为20.26%、32.08%、45.30%和52.71%。逐年增高的数据也反映了斯达半导自研芯片逐步替代进口芯片,不断提升产品竞争力,并通过原客户渠道扩张市场占有量。
行业人士指出,IGBT芯片是IGBT模块中最核心的原材料,研发难度较大,市场上可选择的供应商资源较少,客户验证周期较长。因此,宏微科技自研芯片的成本无法有效与国内龙头持平,导致客户采用外购芯片的比例增加或是其芯片业务逐年下降的主要原因。
责任编辑:tzh
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