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专注三大细分市场,意法半导体借助差异化技术推进工业半导体发展

E4Life 2020-12-28 12:30 次阅读
12月2日,意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)于深圳举办了第二届ST工业峰会,该峰会围绕“激发智能,赋能创新”的主题,主要从电源与能源、电机控制和自动化三大工业细分市场开展了专题讨论,并分享了相关的创新活动与技术演示。

亚洲技术创新中心/ST

意法半导体亚太区销售及市场执行副总裁JeromeRoux强调,亚洲是ST首要的工业市场,其中全球三分之一的设计源于亚洲,亚太区工业市场规模达到56亿美元。为此ST通过巨资投入,在中国大陆/台湾、韩国和日本建立了5个技术创新中心。

意法半导体总裁兼首席执行官Jean-MarcChery/电子发烧友网摄

意法半导体总裁兼首席执行官Jean-MarcChery在峰会上提到,工业市场是ST非常关注的领域,也占据了ST四分之一的销售额,而中国则是ST最重要的市场之一,ST的目标就是与大家携手并进。与此同时,他指出了ST根据智能出行、电源与能源和物联网&5G上的三大工业应用趋势制定了战略。ST借助BCD智能功率管理技术、宽带隙材料碳化硅和氮化镓等差异化技术为客户提供了更好的解决方案。

意法半导体亚太区功率分立和模拟产品部区域营销和应用副总裁沐杰励(FrancescoMuggeri)/ST

本次工业峰会的筹委会负责人,同时也是意法半导体亚太区功率分立和模拟产品部区域营销和应用副总裁沐杰励(FrancescoMuggeri)先生介绍了本次峰会的三大主题,电源与能源、自动化和电机控制。ST在今年的峰会上准备了130个现场演示和8大分论坛,分享ST是如何在这三大主题上进行赋能创新的。

65WType-C快充方案/ST

在电源与能源应用上,为了应对高功率、小体积的充电器需求,ST推出了一款65W的Type-C超级快充解决方案,集成了ST的半桥驱动器和MasterGaN氮化镓器件。该快充方案支持PPS协议,并实现了30W/Inch3的功率密度。针对无线输电,ST也提供了一个50W+的双线圈无线充电解决方案,接收器总接收效能高于98%,还可以实现12W以上的大功率反向充电。

8端口IO-Link主站参考设计/ST

ST在自动化应用上提供了工厂、城市和家庭的自动化解决方案。在工厂自动化上,ST从2019年开始部署相关工作,并推出了IO-Link工厂自动化解决方案,提供8端口的IO-Link主站参考设计。在家庭自动化上,ST推出了BLE-KNX智能家居和照明参考设计,提供调节亮度、开关和温湿控制等功能。

2kW-3.5kW空调解决方案/ST

电机控制也是ST的重要发力领域,在家电节能方面,ST为空调产品提供了2kW-3.5kW的高能效解决方案,基于STM32F3/G4和SLLIMMIPM实现双电机FOC、压缩机和风扇的控制。而基于STM32G0/F0的250W的冰箱解决方案,可以大幅减少元件数量和PCB板尺寸,并提供极高的能源效率。在电池驱动等低压设计上,ST也给出了基于STM32F0电机驱动方案,比如电池供电的电动工具和园林工具等。

在接受媒体采访时,ST几位受访人也提到了工业市场与人工智能结合的应用,以及ST在这方面的部署和创新。

意法半导体中国区微控制器事业部市场及应用总监曹锦东/ST

意法半导体中国区微控制器事业部市场及应用总监曹锦东先生提到,ST在几年前就开始研究嵌入式设备或基于MCU等算力不强的设备上,是否可以运用人工智能的算法,并推出了切实可行的方案。曹锦东先生分享了两个工业案例。一是ST帮助一家做电机控制的客户实现设备端的人工智能。因为在很多工业场景中,电机是十分常用的设备,电机本身是有寿命的,它的电池会逐渐衰落,那么怎么预判这个设备的性能、状态呢?在出现问题之前,电机设备往往会发出一些信号,比如异常噪声,通过收集数据分析建模,把模型放入设备中,根据它的噪声来反映情况,这就属于人工智能算法,以此来帮助工业控制客户更准确地预计设备的运行状况,从而采取一些预防性维护措施。

第二个案例是将传统的机械式表计改为电子式,但这会涉及到供电和无线传输两方面的因素,因而需要更换组件。如今我们可以借助人工智能算法,通过摄像的方式把图片文字转化为数字,并通过无线通信传输网络,把传统的机械表变成智能表,免去更换组件的过程。所以在工业AI层面上,ST将改进客户的生产设计,并为他们提供更多的增值服务。

对于这方面的投资,ST并不局限于研发层面,同样还有服务层面,ST在亚太也设立了AI技术创新中心,日本与深圳都有AI团队,为客户提供AI建模等解决方案,助力他们在各自应用领域内的实施,这也是ST未来的一个主要的业务方向。

针对今年的供应情况,ST几位高管也对当前现状发表了见解。

意法半导体公司副总裁及中国区总经理曹志平/ST

意法半导体公司副总裁及中国区总经理曹志平先生指出,今年的供应问题确实是一大挑战,因为今年是非常特别的一年,上半年中国其实是最早受到疫情影响的。在疫情影响下,很多市场人士、产业人士对于未来市场走向也产生了一些迷茫,对未来的判断可能也是偏保守的。但最终人们发现,在疫情影响下,反而对于自动化或者数字化提出了更高的要求,这方面相关需求也比以前出现了更加速发展的趋势。其实最终人们发现,疫情反而对自动化和数字化提出了更多需求,比如说云计算,视频会议,电商,反而出现了比以前正常年份更快的增长速度,都出现了很多与大家最早预期不一样的节奏变化,这部分变化一定程度上造成了今年突然对半导体解决方案超出以往正常年份更快的增长趋势。

曹锦东先生也给出了ST今年在MCU上的出货表现,在过去一年,MCU50%的出货量是给工业客户作工业用途的。今年ST的出货量从第二季度到第四季度,每个季度都在上升,后三个季度的出货量高于以往任何一个季度。
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STPSC2H065B-TR STMicroelectronics STPSC 650V肖特基碳化硅二极管

oelectronics STPSC 650V肖特基碳化硅二极管是一款超高性能功率肖特基二极管。该器件采用宽带隙材料,可以设计具有650V额定电压的肖特基二极管结构。得益于肖特基结构,在关闭时不会显示恢复,且振铃模式可以忽略不计。即使是最轻微的电容式关断特性也不受温度影响。这些器件特别适用于PFC应用,它们可以提高硬开关条件下的性能。高正向浪涌能力确保在瞬态阶段具有良好的稳健性。 STPSC12065-Y和STPSC20065-Y器件符合AEC-Q101标准,可用于汽车应用。STPSC12065-Y和STPSC20065-Y是支持PPAP且符合ECOPACK®2标准的元件。 特性 无反向恢复或可忽略不&...
发表于 11-09 12:07 38次 阅读
STPSC2H065B-TR STMicroelectronics STPSC 650V肖特基碳化硅二极管

PWD5F60TR STMicroelectronics PWD5F60高密度功率驱动器

oelectronics PWD5F60高密度功率驱动器在单一紧凑型系统级封装 (SiP) 中集成了栅极驱动器和四个N通道功率MOSFET,采用双半桥配置。集成式功率MOSFET的漏源导通电阻或RDS (ON) 为1.38Ω,漏源击穿电压为600V。嵌入式栅极驱动器的高侧可方便地通过集成自举二极管供电。PWD5F60功率驱动器的集成度高,因此能在空间受限的应用中高效地驱动负载。 PWD5F60接受在10V至20V宽范围内的电源电压 (VCC),在上、下驱动部分均具有欠压闭锁 (UVLO) 保护功能,以防电源开关在低效率或危险条件下工作。PWD5F60具有宽输入电压范围,因此可轻&...
发表于 11-09 12:07 38次 阅读
PWD5F60TR STMicroelectronics PWD5F60高密度功率驱动器

STM32L4P5AGI6 STMicroelectronics STM32L4P5/STM32L4Q5 32位微控制器 (MCU)

oelectronics STM32L4P5/STM32L4Q5 32位微控制器 (MCU) 不仅扩展了超低功耗产品组合,还提高了产品性能,采用Arm® 树皮-M4内核(具有DSP和浮点单元 (FPU),频率为120MHz)。STM32L4P5产品组合具有512KB至1MB闪存,采用48-169引脚封装。STM32L4Q5具有1MB闪存,提供额外加密加速器引擎(AES、HASH和PKA)。 特性 超低功率,灵活功率控制 电源:1.71V至3.6V 温度范围:-40°C至85°C或-40°C至125°C 批量采集模式(BAM) VBAT模块中150nA:为RTC和32x32位储备寄存器供电 关断模式下,22nA(5个唤醒引脚ʌ...
发表于 11-06 09:07 71次 阅读
STM32L4P5AGI6 STMicroelectronics STM32L4P5/STM32L4Q5 32位微控制器 (MCU)

ST715C50R STMicroelectronics 低静态电流LDO线性稳压器

oelectronics低静态电流LDO线性稳压器经过优化提供超低静态电流 (I)。I比其供电的平均负载电流低,或者相当。该功能对于电力有限的应用非常有必要,例如电池供电的设备或长时间待机、符合环保标准的设备。这延长了电池寿命,降低了整体功耗。 这些低静态电流LDO稳压器非常适合用于便携式消费类电子设备,例如智能手机、智能手表、蓝牙耳机和可穿戴设备。工业、智能建筑和智能家居传感器还得益于超低静态电流(工作和禁用(待机) 模式下...
发表于 11-05 17:07 24次 阅读
ST715C50R STMicroelectronics 低静态电流LDO线性稳压器

LD56100DPU33R STMicroelectronics LD56100超低噪声线性稳压器

oelectronics LD56100超低噪声线性稳压器在1.8-5.5V输入电压范围内提供1A电流,典型压差为120mV。LD56100采用DFN8 (1.2x1.6mm) 封装,在最大程度上节约空间。该器件通过输出上的陶瓷电容保持稳定。LD56100适合用于低功耗电池供电应用,具有超低压差、低静态电流、快速瞬态响应和内部软启动电路等功能。 特性 输入电压:1.8V至5.5V 超低压差(120mV典型值,1A负载和VOUT=3.3V时) 非常低的静态电流(无负载时的典型值为100μA,断开模式下典型值为0.03μA) 输出电压容差:±1%(-40°C至+85°C) 超低噪声ʍ...
发表于 11-05 17:07 40次 阅读
LD56100DPU33R STMicroelectronics LD56100超低噪声线性稳压器

VN7000AYTR STMicroelectronicsVND70x0汽车用高侧驱动器

半导体 VND70x0 车用高侧驱动器是单或双通道高侧驱动器,采用 ST 专有 VIPower® M0-7 技术制造,并采用 SO-8、PowerSSO-12 和 PowerSSO-16 封装形式。这些器件用于通过 3V 和 5V CMOS 兼容型接口驱动 12V 汽车接地负载。 特性 极低电压操作,用于深冷分级应用 合格汽车 综合的普遍的一般常规 单通道或双通道智能高侧驱动器与多感觉或电流感觉模拟反馈 非常低的待机电流 兼容3V和5VCMOS输出 多感官诊断功能 多路/电流感知模拟反馈:高精度比例电流镜负载电流、VCC电源电压和TCHIP器件温度 过载和短到地面(功率限制)指示 热停机指示 OFF-状态开负载检测 输出短到VCC检测 感觉启用/禁用 贸易保护措施(向歹徒缴纳的)保护费 未压缩关机 高压钳 负载电流限制 快速热瞬变的自限制 具有专用故障复位引脚的超温或功率限制的可配置闭锁 地面损失和VCC损失 带有外部组件的反向电池 静电放电保护 ...
发表于 10-30 14:06 40次 阅读
VN7000AYTR STMicroelectronicsVND70x0汽车用高侧驱动器

PWD13F60 STMicroelectronics PWD13F60栅极驱动器

oelectronics PWD13F60栅极驱动器是一款高密度电源驱动器和高压全桥,带集成栅极驱动器。PWD13F60器件接受电源电压范围广,受低压UVLO检测保护。这些PWD13F60栅极驱动器电源系统级封装和高压功率MOSFET具有低R (320mΩ) 和600V漏源击穿电压。PWD13F60栅极驱动器轻松连接微控制器和DSP单位或霍尔效应传感器,输入引脚范围广。这些PWD13F60栅极驱动器还具有宽驱动器电源电压、内部自举二极管,输出与输入同步,让设计更加灵活、简单和快速。PWD13F60采用10mmx13mmx1.0mm VFQFPN封装。典型应用包括工厂自动化、电机驱动器(用于工业和家用电器)、风扇和泵以及电源装置。 特性 电力系统级封装集成栅极驱动器和高压功率MOSFET 低R DS(开启)=320mΩ BVDSS =600伏 适合用作 全桥 双独立半...
发表于 10-30 14:06 44次 阅读
PWD13F60 STMicroelectronics PWD13F60栅极驱动器

LDLN025M18R STMicroelectronics LDLN025 250mA超低噪声LDO

oelectronics LDLN025 250mA超低噪声LDO的输入电压范围为1.5V至5.5V,250mA负载下的压差极低。LDLN025可延长需要长待机时间应用的电池寿命。该LDO的静态电流非常低,空载时仅12μA。LDLN025提供非常干净的输出,得益于其超低噪声值和高电源抑制比 (PSRR) 特性,非常适合用于超敏感型负载。该LDO采用陶瓷电容器,因此性能稳定。 特性 超低输出噪声:6.5μ VRMS 工作输入电压范围:1.5V至5.5V 输出电流高达250mA 非常低的静态电流:空载时为12μA 超低压差:250mV (250mA) 极高PSRR:80dB@100Hz、60dB@100kHz 线路、负载和温度范围内...
发表于 10-30 14:06 40次 阅读
LDLN025M18R STMicroelectronics LDLN025 250mA超低噪声LDO

LDL212PV33R STMicroelectronics LDL212 1.2A低压降线性稳压器IC

oelectronics LDL212 1.2A低压降线性稳压器IC可在2.5V至18V输入电压范围内提供最大1.2A电流。LDL212在1.2A电流下的典型压差值为350mV。LDL212适合用于在SMPS中实现直接稳压和在直流-直流转换器中实现二次线性稳压。该 IC 在 120Hz 时具有 87dB 的高电源抑制比,100kHz 时为 40dB。LDL212 采用使能逻辑控制功能实现关断模式,从而降低总电流消耗。该器件还具有限流、SOA和热保护功能。 特性 输入电压范围:1.6V至5.5V 极低压差(1A负载下的典型值为300mV) 低静态电流(无负载时的典型值为35μA,断开模式下的典型值为1μA) 输出电压容差:±2...
发表于 10-30 11:06 24次 阅读
LDL212PV33R STMicroelectronics LDL212 1.2A低压降线性稳压器IC

LED2001PHR STMicroelectronics LED200x Monolithic Step-Down DC-DC Converters

oelectronics LED200x单片步进式DC-DC转换器是850k Hz的转换器,设计成精确的恒流源,可调节的电流能力可达4ADC。 嵌入式PWM调光电路提供LED亮度控制。 由于高开关频率和陶瓷输出电容兼容性,整体应用的尺寸被最小化。 器保护,防止热过热,过流和输出短路。 特性 3V到18V工作输入电压范围 850千赫兹固定开关频率 100mV类型。 电流感电压下降 PWM调光 ± 7% output current accuracy 同步整改 95mΩ HS / 69mΩ LS typical R DS(开启) 峰电流模式架构 嵌入式补偿网络 内部限流 陶瓷输出电容器兼容 热停机 申请 高亮度LED驱动 一般照明 卤素子弹再置术 签名 ...
发表于 10-30 11:06 30次 阅读
LED2001PHR STMicroelectronics LED200x Monolithic Step-Down DC-DC Converters

STSPIN32F0B STMicroelectronics STSPIN32F0B高级单分流BLDC控制器

oelectronics STSPIN32F0B高级单分流BLDC控制器是一款系统级封装器件,提供的集成解决方案适用于使用不同驱动模式驱动三相无刷电机。STSPIN32F0B控制器内置三个半桥栅极驱动器,能够驱动功率MOSFET,电流能力为600mA(拉电流和灌电流)。得益于集成联锁功能,不能同时驱动相同半桥的高侧和低侧开关。 该器件设有内部直流/直流降压转换器,可提供3.3V电压,适合为MCU和外部元件供电。另外,内部LDO线性稳压器可为栅极驱动器提供电源电压。集成运算放大器可用于信号调理,从而在&#...
发表于 10-30 10:06 56次 阅读
STSPIN32F0B STMicroelectronics STSPIN32F0B高级单分流BLDC控制器

STCMB1TR STMicroelectronics STCMB1转换模式 (TM) PFC

oelectronics STCMB1转换模式 (TM) PFC包含高电压双端控制器、高达800V额定电压部分以及监视这三块运行的胶合逻辑。PFC部分采用专有的恒定导通时间控制方法,无需正弦输入参考。这可减少系统成本和外部零部件数量。 特性 一般特性 SO20W封装 800V高压启动,带集成输入电压检测 有源输入滤波电容放电电路,可降低待机功耗,通过IEC 62368-1和UL Demko认证 适用于两款转换器的独立调试模式 PFC控制器特性 增强型恒定导通时间PFCʌ...
发表于 10-30 10:06 18次 阅读
STCMB1TR STMicroelectronics STCMB1转换模式 (TM) PFC

LD39100PU18RY STMicroelectronics LD39100低噪声稳压器

oelectronics LD39100低噪声稳压器最大电流为1A, 输入电压范围为1.5-5.5V,典型压差为200mV。该器件的输入和输出采用陶瓷电容器,具有超低压差、低静态电流和低噪声等特点。这些特性让LD39100非常适合低功率电池供电应用。电源抑制在低频率时为70dB,在10kHz时开始滚降。通过使能逻辑控制功能,LD39100可在消耗总电流低于1μA时处于关断模式。该器件还具有短路恒流限制和热保护功能。LD39100还提供符合AEC-Q100标准的版本,采用侧面可湿的DFN6 (3x3mm) 封装。 特性 符合AEC-Q100标准 输入电压范围:1.5V至5.5V 超低压差(1A负载时的典型值为200mV) 极低静态电流(无负载时的典型值为20μA,1A负载时的典ࣁ...
发表于 10-30 10:06 34次 阅读
LD39100PU18RY STMicroelectronics LD39100低噪声稳压器

L6498DTR STMicroelectronics L6498高压半桥驱动器

oelectronics L6498高压半桥驱动器是采用BCD6“离线”技术制造的高压器件。该驱动器是用于N通道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器。高侧(浮动)截面设计承受高达500V的直流电压轨,具有600V瞬态耐受电压。逻辑输入端兼容CMOS/TTL,低至3.3V,可轻松连接微控制器或DSP等控制单元。 两个器件输出实现灌2.5A和源2A电流,因此L6498特别适合用于中大容量功率MOSFET/IGBT。由于集成联锁功能,所以输出不能同时驱动高位。位于下、上驱动部分的独立UVLO保护电路防止在低效率或...
发表于 10-30 10:06 41次 阅读
L6498DTR STMicroelectronics L6498高压半桥驱动器

L6494LDTR STMicroelectronics L6494高压高侧/低侧2A栅极驱动器

oelectronics L6494高压高/低侧2A栅极驱动器是用于N通道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器。这些高压器件采用BCD6“离线”技术制造。高侧(浮动)截面设计承受高达500V的直流电压轨,具有600V瞬态耐受电压。逻辑输入端兼容CMOS/TTL,低至3.3V,可轻松连接微控制器或DSP等控制单元。 该器件是单输入栅极驱动器,具有可编程死区时间,并设有低电平有效关断引脚。L6494特别适合中、高容量功率MOSFET/IGBT。两个器件输出实现灌2.5A和源2A电流, 位于下、上驱动部分的独立UV...
发表于 10-29 13:06 10次 阅读
L6494LDTR STMicroelectronics L6494高压高侧/低侧2A栅极驱动器

【ST NUCLEO-WL55JC2开发板免费试用申请!】

原价129,现在只需提交申请即可获取免费试用的机会~! 【产品介绍】 1.远距离无线STM32WL微控制器STM32WL片上系...
发表于 06-15 18:38 2058次 阅读
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电子罗盘功能怎么实现?

电子罗盘是一种重要的导航工具,能实时提供移动物体的航向和姿态。随着半导体工艺的进步和手机操作系统的发展,集成了越来越多传...
发表于 11-05 07:00 907次 阅读
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怎么看ST公司Linux MPU第一款芯片STM32MP157?

怎么看ST公司Linux MPU第一款芯片STM32MP157? 看到网络上有基于这款芯片的MYC-YA157C核心板及开发板,产...
发表于 09-26 11:35 5626次 阅读
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MCU技术在工业应用领域的发展趋势

随着全球能源消耗量的指数式飞升,越来越多公司专注开发有助于降低能耗的产品。ECN China与英飞凌技术公司工业应用MCU高级...
发表于 07-26 08:21 1017次 阅读
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哪里能找到07502233 IC的类型

有人听说过名为07502233的ST IC吗? 它位于博世充电器旁边,旁边有LM324AN。两者都是意法半导体。但我找不到0750223...
发表于 07-19 15:12 786次 阅读
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【限时免费参会】你的电机驱动产品已经OUT了? ST专家带你解密最新技术亮点

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【ST工业峰会】电机控制、电源能源、自动化3大领域产品技术展示,与大咖共同解锁新工业,新智造

▌ST工业峰会简介 经过30多年在工业市场的持续投资和经验,ST开发了一系列技术、产品和解决方案,为客户提供针对不同应用的...
发表于 05-12 12:01 1197次 阅读
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几款ST意法半导体驱动官方合集

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发表于 04-24 06:36 760次 阅读
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可以在使用St7MC时删除预定位阶段吗?

我可以在使用St7MC时删除预定位阶段吗? 以上来自于谷歌翻译 以下为原文 Can i delete the prepositioning p...
发表于 01-11 16:11 512次 阅读
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请问如何用意法半导体创建自己的PLC?

STMicroelectronics X-NUCLEO-OUT01A1是一款扩展板,采用ST的ISO8200BQ电流8通道大功率继电器。 当与Nuc...
发表于 10-31 15:50 776次 阅读
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