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除了定时开关机,5G基站还可以这样节省电费

荷叶塘 来源:电子发烧友 作者:程文智 2020-08-03 06:20 次阅读

(电子发烧友网 文/程文智)最近,一篇关于中国联通在每天21:00到次日9:00关闭5G基站,以减少能耗,节约电费的新闻,引起了大量的关注。很多人是在看到这样的报道后才知道,原来5G基站是需要耗费大量电能的。
 
最开始大家普遍关注的是5G带来的各种好处,比如更高的速率、更宽的带宽、更低的延时,以及更高的连接密度,而忽略了如此高性能需要付出的代价。现在,随着5G建设的加速,逐渐进入实际商用阶段,那么面临的落地挑战也开始逐渐浮出水面。5G基站电源就是我们遇到的一个挡路虎。
 
因此,不久前,<电子发烧友网>邀请到在基站电源领域有着丰富经验的专家,探讨了《5G网络演进对电源设计的挑战》问题。他们分别是来自英飞凌科技(中国)有限公司的电源与传感系统事业部市场部经理程文涛和MPS北中国区副总经理卢平。

为何5G基站高功耗?

 要实现5G移动通信,首先需要布置大量的5G基站,包括宏基站和小基站(也称分布式基站),基站能耗主要以电为主,随着店里成本的增加,移动网络的扩大,基站机房电费支出也水涨船高,因此才会出现中国联通需要定时开关机5G基站的情况。
 
目前5G基站能耗主要集中在基站、传输、电源和机房空调四部分,而其中基站的电费支出占整体网络能耗的80%以上。而在基站能耗中,负责处理信号编码的基带单元(BBU)的功耗相对较小,射频单元(RRU/AAU)的功耗相对较大。
 
根据去年华为发布的《5G电源白皮书》显示,从4G演进到5G,虽然单位流量的功耗大幅降低了,但是5G总功耗相比4G还是大幅增加的。预计在5G时代,64T64R AAU最大功耗将会达到1000~1400W,BBU最大功耗将达到2000W左右。
 
在5G时代,一站多频将会是典型配置,预测5频以上站点占比将从2016年3%增加到2023年45%。一站多频将导致整站最大功耗超过10kW,10频及10频以上站点功耗超过20kW,多运营商共享场景下,功耗还将翻倍。
 
就目前来说,5G基站相比4G基站功耗提升了3倍以上,加上由于覆盖范围的衰减,5G基站的需求量成倍增加,因此,对于运营商而言,5G基站的高功耗成为了制约5G建网的首要原因。
 
随着5G网络走向低/高频混合组网,为满足网络容量增长的业务需求,大量的末梢站点将会被部署,网络站点数量将会出现大幅增加,整个网络的功耗将会呈倍数增长。

 
图1:5G基站能耗变化。
 

在英飞凌的程文涛看来,5G时代除了宏基站,还需要大量的小基站,另外边缘计算的服务器也会大幅增加,这些对电源都会有新的要求。
 
MPS的卢平解释说,5G基站能耗的大幅提升原因主要有两个,一是天线数量的增加,现在一般需要使用64T64R的矩阵天线,矩阵天线的使用可以实现波束赋形,支持更多的用户,覆盖更大的范围,实现更长距离的通信,同样也大幅提升了能耗;二是强大算法的支持需要用到高性能的FPGA,及处理器,这些都需要消耗大量的电能。因此现在最重要的任务就是降功耗。


图2:5G带来的好处。

 5G对电源设计的影响

 由于5G基站能耗的增加,电费成为了运营商不可忽视的一个因素,运营5G基站的运营商会越来越关注基站的耗电量。因此,如何帮助运营商节省电费变成了一个重要的话题。那么要节省电费,电源的设计就是一个绕不开的话题。
 
程文涛认为,5G时代的到来,对电源设计的影响是非常明显的。他主要谈到了三个方面的影响:
 
首先是对新材料、新拓扑结构,以及高性能器件的使用将会更多。“如果想要提升效率,节省电费,那么使用的元器件就不可能跟3G/4G时代那样对成本要求那么严格,必然需要用到性能好的器件、好的拓扑结构、好的材料。”程文涛在直播中表示。
 
其次,是总线电压将会提升。由于耗电量增加了,电源设计也发生了一些变化,比如之前都是使用48V电压的通信总线不得不提升到72V,这样就会导致开关电源(DCDC)的输出端电压发生变化。
 
还有可靠性问题也更受到关注。由于基站有个很重要的特点就是投入运营之后,基本上就是无人值守了,因此不论是设备供应商,还是运营商对可维修性、可远程监控性、以及低故障率的要求远远高于其他行业。
 
其实基站电源主要是分成三级的,一般来说基站的供电电源是220V的市电。第一级是将220V转换到-48V;第二级一般是使用模块电源,将-48V电压转换成给PA供电的48V,或者28V电压;第三级是板级电源,从12V转换到给各个芯片、模拟电路数字电路等所需的电压。
 
卢平认为,从优化电源设计来看,三个不同层次的电源都有优化的工作要做。从板级电源来看的话,主要也有三个变化:
一是电流在增大。4G时代,单轨电流不会超过30A,到了5G时代,由于用了很多FPGA,x86芯片等,使得板级电流大幅增大,达到了50~60A。因此,原来的电源设计就不能满足这些这么大电流的设计了。
二是通道数增加了。由于信号链路变得复杂和敏感,所以有的单板上,会有多达数十个通道的电源轨。这使得整个电源设计管理的复杂度,也比原来高了很多。信号链路变得复杂,对噪声的敏感度也相应提升了,5G电源设计工程师在设计时需要考虑噪声设计和通道干扰。
三是环境温度变得更高了。5G通信的电源与数据中心的电源最大的不同是基站电源是户外的。环境温度的变化范围非常宽,尤其是在高温的情况下,外围的环境温度可能到60~70℃,内部的温度则可能超过100℃。对电源设计来说,在这么宽的温度范围内,压力也是非常大的。

如何应对5G基站电源设计挑战

 对于宏基站,在一次电源和二次电源的优化方面,英飞凌的程文涛给出了一些建议。“在一次电源方面,我们看到一个很明显的趋势是要求高效率和高功率密度。现在电源的效率要达到97%,甚至98%的工作效率。”
 
要达到这个效率目标,程文涛认为一是需要用到新的拓扑结构,他举例说,ACDC的拓扑结构将会从有桥PFC,逐渐过渡到无桥PFC,甚至图腾柱拓扑结构;二是必须采用新的材料,包括现在热门的碳化硅MOSFET氮化镓MOSFET;三是高频化,高频化可以提高功率密度,减小尺寸;四是贴片封装更受欢迎,SMD封装成为了主流。
 
对于二次电源部分,新的拓扑结构并不多,更主要的是使用新材料和高频化器件。
 
在三次电源,也就是板级电源方面,MPS的卢平做了进一步的解释。在4G时代,大电流的设计通常来说做得比较简单,单通道的DCDC基本就满足需求了。到5G时代,电流变大了之后,更多会采用多相电源的设计,原因是,多相电源设计将控制器和功率级分开之后,可以比传统的DCDC更有效率,体积上也更有优势,而且灵活性也会更强。
 
卢平指出,多相电源的方向在往数字化方向发展,数字化的电源可以提供很多功能,比如负载状态的监测、电压电流、故障信息的监测等,“这样客户可以基于监测到的信号,做更多的系统级优化,同时数字电源可以方便实现整个电源的管理,带来很大的灵活性。”
 
板级电源的高频化趋势也很明显,“很多时候,我们会发现电感电容的面积已经超过控制器加MOS管的面积,而如果频率越高,后一级的被动器件就可以做得更小,所以我们在不断推进高频技术的发展。”卢平进一步指出。他认为,高频的限制因素并不在于控制器,而在于MOS管技术,因此MPS推出了平面MOSFET技术,通过使用平面的技术,MOSFET的Q级可以做得更小。高频化会带来很大的优势,现在最高频率可以做到3MHz,这可以极大地减少占板面积。


图3:MPS的多相电源设计。

 
除了多相电源之外,在给模拟供电部分,MPS还通过优化的电源模块技术来代替传统的DCDC加LDO的供电模式。卢平表示,经过他们测试,优化后的模块电源性能与传统DCDC加LDO供电模式的性能非常接近。
 
他拿给赛灵思做的一个Zynq UltraScale+RFSoC电源参考设计举例说,“我们给它上面一个12位 2GSPS ADC和14位6.4GSPS DAC供电,我们直接采用的是开关电源设计,当然它不是直接的DCDC,它是一个电源模块,再加一级滤波,我们的纹波可以做到1mV以内,测试结果显示,我们的方案可以达到跟原来LDO给器件供电接近的水平。”
 
这主要跟MPS采用的特别技术密切相关,一般来说影响EMI噪声的核心因素是环路面积,尤其是变化电流的环路面积,对噪声影响是很大的,“我们通过引线框架结合倒装工艺,可以将从芯片到电感,包括到输入电容的环路面积做得最小。除了环路面积,还有一个影响因素是杂散阻抗,或者叫寄生阻抗,我们通过采用倒装工艺和铜柱取代原来的金线或铜线,可以非常有效地降低接线阻抗,也可以降低电压尖峰,因此,通过这两个技术的结合,可以将环路减小,电压尖峰减小,从而非常有效地改善了EMI特性。”卢平在直播中表示。
 
除此之外,MPS的电源模块还采用了对称设计、频率占空比的抖动,以及开关斜率的控制等优化措施。


图4:小基站的特点。

 
在小基站方面,在5G时代,射频部分和天线部分越来越多地会融合在一起,这种紧凑型的设计对电源也提出了新的要求。比如说需要使用耐压等级更高的器件、贴片器件用得越来越多;新材料器件使用更加普遍,包括采用新材料的主动器件的被动器件。

结语

总的来说,在5G时代,如何降低功耗是整个产业链都需要思考的问题。高效率、高功率密度、以及高频化将会是接下来业界持续关注的话题。在程文涛看来,在效率方面,对通信电源来说,当电源效率提升到一定程度之后,提高效率的任务就会落在射频端,射频端的效率提升一点点的好处将会大于电源部分效率的提升;高功率密度可以让设备的尺寸变得更小,会是业界持续关注的重点;高频化则需要依赖新材料来实现,包括碳化硅、氮化镓、磁性新材料等,因为只有主动器件和被动器件同时高频化,才能实现系统的高频化。
 
因此,对于未来的5G电源工程师来说,必须要熟悉高频化设计、熟悉新材料、开拓新思路,才能适应未来的电源设计工作。

本文由电子发烧友网原创,未经授权禁止转载。如需转载,请添加微信号elecfans999。

 
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评论

hubery997
讲的很全面。主要是射频和电源的设计挑战非常大。

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的头像 通信头条 发表于 09-14 09:41 305次 阅读
上海电信拆了电话亭加装5G基站

世界变化太快 来看看U6335开关电源芯片压压惊

明天会到来,但是不知道是晴天还是下大雨。昨天开学第一天,欧菲光开盘一字跌停,封单超31万手,被苹果剔....
的头像 开关电源芯片 发表于 09-14 09:28 308次 阅读
世界变化太快 来看看U6335开关电源芯片压压惊

开关电源芯片U6615S的功能特点

华为事件后,国产芯片被提上议程,大企业、资本都迅速涌入这个行业。比如,联想已经投资23家芯片公司,小....
的头像 开关电源芯片 发表于 09-13 10:57 234次 阅读
开关电源芯片U6615S的功能特点

开关电源芯片U6315的优点

随着时代的发展,手机是人们生活当中必不可缺少的用品,它的操作简单,上手容易,内容丰富,与人形影不离。
的头像 开关电源芯片 发表于 09-13 10:54 303次 阅读
开关电源芯片U6315的优点

我国已建成48万个5G基站,实现全球首例200M带宽下2.7Gbps峰值速率

据国内媒体报道,我国5G发展迅速,目前全国已经建成48万个5G基站,5G用户超过8000万,5G终端....
发表于 09-13 10:13 275次 阅读
我国已建成48万个5G基站,实现全球首例200M带宽下2.7Gbps峰值速率

FFSB0465A SiC二极管 - 650V 4A D2PAK

硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI,以及更小的系统尺寸和成本。 Llew 特性 最高结温175°C 高浪涌电流容量 正温度系数 无逆向恢复/无正向恢复 应用 PFC 工业电源 太阳能 EV充电器 UPS 焊接 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-04 13:02 42次 阅读
FFSB0465A SiC二极管 -  650V 4A D2PAK

FFSB0865A SiC二极管 - 650V 8A D2PAK

硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI,以及更小的系统尺寸和成本。 Llew 特性 最高结温175°C 高浪涌电流容量 正温度系数 无逆向恢复/无正向恢复 应用 PFC 工业电源 太阳能 EV充电器 UPS 焊接 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-04 13:02 56次 阅读
FFSB0865A SiC二极管 -  650V 8A D2PAK

FFSM0465A SiC二极管 - 650V 4A PQFN88

硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI,以及更小的系统尺寸和成本。 Llew 特性 最高结温175°C 高浪涌电流容量 正温度系数 无逆向恢复/无正向恢复 应用 PFC 工业电源 太阳能 EV充电器 UPS 焊接 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-04 12:02 49次 阅读
FFSM0465A SiC二极管 -  650V 4A PQFN88

FFSB1265A SiC二极管 - 650V 12A D2PAK

硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI,以及更小的系统尺寸和成本。 Llew 特性 最高结温175°C 高浪涌电流容量 正温度系数 无逆向恢复/无正向恢复 应用 PFC 工业电源 太阳能 EV充电器 UPS 焊接 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-04 12:02 92次 阅读
FFSB1265A SiC二极管 -  650V 12A D2PAK

FFSB0665A SiC二极管 - 650V 6A D2PAK

硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI,以及更小的系统尺寸和成本。 Llew 特性 最高结温175°C 高浪涌电流容量 正温度系数 无逆向恢复/无正向恢复 应用 PFC 工业电源 太阳能 EV充电器 UPS 焊接 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-04 12:02 75次 阅读
FFSB0665A SiC二极管 -  650V 6A D2PAK

NTSB40200CTG 沟槽肖特基整流器40A 200V

200CTG是我们新推出的双通道40A 200V超低正向电压沟槽双肖特基整流器。这种新技术可以降低正向压降,而无需平面肖特基整流器的高反向漏电折衷。该平台还可在很宽的温度范围内提供非常稳定的开关特性,是开关电源的理想输出整流器,包括笔记本电脑和上网本适配器,ATX和平板显示器。 特性 用于极低正向电压和低泄漏的基于精细光刻沟槽的肖特基技术 具有特殊功能的快速切换温度稳定性 低功率损耗和低工作温度 实现监管合规的更高效率 低热阻 高浪涌能力 这些器件无铅,无卤素/无BFR 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-04 08:02 138次 阅读
NTSB40200CTG 沟槽肖特基整流器40A 200V

MURJ1660CTG 16A 600 V超快速整流器

速整流器设计用于开关电源,逆变器和续流二极管。 特性 超快60纳秒恢复时间 150°C工作结温 环氧树脂符合UL94,V O @ 1/8“ 高温玻璃钝化结 低泄漏量@ 150°C外壳温度 当前降级@案例和环境温度 电隔离。无需隔离硬件。 UL认可文件#E69369 机械特性: 案例:环氧树脂,模压 重量:1.9克(约) 表面处理:所有外表面耐腐蚀,端子引线易于焊接 焊接用铅温度:最高260°C 10秒钟 每个塑料管装运50个单位 标记:U1660 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-04 02:02 90次 阅读
MURJ1660CTG 16A 600 V超快速整流器

NCV33152 高速双MOSFET驱动器

2 / MC33152是双同相高速驱动器,专为需要低电流数字信号以驱动具有高压摆率的大容性负载的应用而设计。这些器件具有低输入电流,使CMOS / LSTTL逻辑兼容,输入迟滞用于快速输出切换,与输入转换时间无关,两个高电流图腾柱输出非常适合驱动功率MOSFET。还包括具有迟滞的欠压锁定,以防止在低电源电压下系统不稳定运行。 典型应用包括开关电源,DC-DC转换器,电容器电荷泵倍压器/逆变器和电机控制器。 该器件提供双列直插和表面贴装封装。 特性 具有1.5 A图腾柱输出的两个独立通道 输出上升和下降时间为15 ns,负载为1000 pF 具有滞后的CMOS / LSTTL兼容输入 滞后欠压锁定 低待机电流 高效率高频操作 增强系统性能通用开关稳压器控制IC 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 02:02 72次 阅读
NCV33152 高速双MOSFET驱动器

NCP81071 高速5A双低侧MOSFET驱动器

71是一款高速双低侧MOSFET驱动器。它能够在米勒平台区域提供高达5 A峰值电流的容性负载的大峰值电流,以帮助降低MOSFET开关转换期间的米勒效应。该设备提供启用功能,为用户提供比各种应用中现有解决方案更好的控制。该器件采用MSOP8-EP封装,SOIC8封装,DFN8 2 mm x 2 mm封装和WDFN8 3 mm x 3 mm封装。 特性 优势 高电流驱动能力(+/- 5 A ) 能够驱动各种MOSFET TTL / CMOS兼容输入,与电源电压无关 在各种应用程序中易于实现 为每个驱动程序启用合并功能 允许用户更好地控制应用程序 引脚与最流行的现有行业标准双MOSFET驱动器兼容 代替现有的插座具有附加功能的额外好处ality 输入电压从4.5V到20V 两个输出可以并联以获得更高的驱动电流 应用 终端产品 开关电源 电信和服务器电源 同步整流器 DC / DC转换器 功率因数校正 电机驱动程序 基站 网络和通信设备 eMeters 汽车信息娱乐系统 摄像机,安防和监控设备 计算和消费类电子产品 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 02:02 130次 阅读
NCP81071 高速5A双低侧MOSFET驱动器

MC33151 高速双MOSFET驱动器

1 / MC33151是双反相高速驱动器,专为需要低电流数字电路以驱动具有高压摆率的大容性负载的应用而设计。这些器件具有低输入电流,使CMOS和LSTTL逻辑兼容,输入迟滞用于快速输出切换,与输入转换时间无关,两个高电流图腾柱输出非常适合驱动功率MOSFET。还包括带滞后的欠压锁定,以防止在低电源电压下系统运行不稳定。 典型应用包括开关电源,直流到直流转换器,电容器电荷泵倍压器/逆变器和电机控制器。 这些器件提供双列直插式和表面贴装封装。 特性 具有1.5 A图腾柱输出的两个独立通道 输出上升和下降时间为15 ns,负载为1000 pF 具有滞后的CMOS / LSTTL兼容输入 滞后欠压锁定 低待机电流 高效率高频操作 增强系统性能通用开关稳压器控制IC 引脚输出等效于DS0026和MMH0026 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 00:02 98次 阅读
MC33151 高速双MOSFET驱动器

NCV1117 线性稳压器 1 A 高PSRR

7系列是低压差(LDO)正线性稳压器,能够提供超过1.0 A的输出电流,在800 mA的温度范围内最大压差为1.2 V.该系列包含八个1.5 V,1.8 V,2.0 V,2.5 V,2.85 V,3.3 V,5.0 V和12 V的固定输出电压,无需维持稳压的最小负载要求。还包括可调输出版本,可通过两个外部电阻在1.25 V至18.8 V范围内进行编程。片上微调可将参考/输出电压调整到+/- 1.0%精度。内部保护功能包括输出电流限制,安全工作区补偿和热关断。 NCP1117系列可以在高达20 V的输入电压下工作。器件采用SOT223和DPAK封装。 特性 输出电流超过1.0 A 在800 mA过温时的1.2 V最大压差 固定输出电压为1.5 V,1.8 V,2.0 V,2.5 V,2.85 V,3.3 V,5.0 V和12 V 可调节输出电压选项 无固定电压输出设备的最小负载要求 参考/输出电压调整为+/- 1.0% 电流限制,安全操作和热关断保护 操作至20 V输入 无铅封装可用 应用 消费和工业设备监管点 2.85 V版本的有源SCSI端接 开关电源后置调节 硬盘控制器 电池充电器 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 12:02 117次 阅读
NCV1117 线性稳压器 1 A 高PSRR

NCP59300 LDO稳压器 3A 低压差 高PSRR 快速瞬态响应

00是一款3.0A超低压差系列线性稳压器,可提供低压,大电流输出,并且外部元件数量最少。它具有高精度,超低压差(典型值为300mV,3.0安培负载),同时还提供极低的接地电流。该器件的输入工作电压范围为2.25V至13.5V,最大输入电压容差为18V。内部保护功能包括输出电流限制,热关断和反向输出电流保护。 NCP59301产品具有额外的输出错误标志,采用5引脚D2PAK封装。 NCP59302还提供该系列的可调节版本。请联系您当地的销售办事处,了解您的具体要求。 特性 优势 在1.5 A输出时典型压降为175 mV,在3.0 A负载下典型压降为300 mV。 无需使用开关稳压器即可生成辅助电源轨 低接地电流 - 在3安培负载下典型值为60 mA 最小化功率调节器损失 输出端陶瓷电容器稳定 避免使用昂贵的极化钽电容器 适用于汽车应用的NCV版本 符合AECQ100标准且支持PPAP。 最大电压输入18V 适用于汽车和网通应用 NC59301选件上可用的错误标志 发出故障信号系统。 输出电流超过3安培 应用 终端产品 FPGA,DSP和处理器的负载点 开关电源调节后 服务器和...
发表于 07-30 08:02 362次 阅读
NCP59300 LDO稳压器 3A 低压差 高PSRR 快速瞬态响应

NCP59302 LDO稳压器 3A 低压差 高PSRR 快速瞬态响应

02是一款高精度,极低压差(VLDO),低接地电流正电压稳压器,能够提供超过3.0 A的输出电流,典型压差低于300 mV,负载电流为3.0 A 。该器件采用陶瓷输出电容稳定。该器件可承受高达18 V的最大输入电压。内部保护功能包括输出电流限制,内置热关断和反向输出电流保护。逻辑电平使能引脚可用。 NCP59302是一款可调电压器件,采用D2PAK-5封装。 特性 优势 在完整的3.0 A负载下300 mV典型的压差。 无需使用开关稳压器即可生成辅助电源轨 低接地电流 - 在3安培负载下典型值为60 mA 可最大限度地降低功率损耗调节器 在输出端使用陶瓷电容器稳定 避免昂贵的极化钽电容器 提供NCV版本适用于汽车应用 符合AECQ100标准且支持PPAP。 最大电压输入18V 适用于汽车和网通应用 输出电流超过3安培 汽车模块 应用 终端产品 用于FPGA,DSP和处理器的负载 开关电源后调节 服务器和网络设备 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 08:02 113次 阅读
NCP59302 LDO稳压器 3A 低压差 高PSRR 快速瞬态响应

NCP59150 LDO稳压器 1.5 A 低压差 快速瞬态响应

50系列是一款高精度,极低压差,低接地电流的正电压稳压器,能够提供超过1.5 A的输出电流,典型压差低于300 mV。该器件的输入工作电压范围为2.24V至13.5V,最大输入电压容差为18V。内部保护功能包括输出电流限制,热关断和反向输出电流保护。该器件可用作可调稳压器(NCP59152)或固定电压选项(NCP59150和NCP59151)。 NCP59151器件包括一个使能功能和一个输出错误标志。 特性 优势 输出电流超过1.5安培 低电压下的高电流输出 750 mA时175 mV典型压差1.5 A处的输出和300 mV典型压差 生成辅助电源轨而无需使用切换调节器 低接地电流 - 在1.5 mA负载下典型值为40 mA 最大限度地减少调节器的功率损耗 在输出端使用陶瓷电容器稳定 昂贵的钽电容器的成本效益解决方案 适用于Aut的NCV版本omotive应用 符合AECQ100标准且支持PPAP 最高电压输入高达18V 适用于汽车和网通应用程序 应用 终端产品 FPGA,DSP和处理器的负载点 开关电源调节后 服务器和网络设备 汽车模块 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 08:02 47次 阅读
NCP59150 LDO稳压器 1.5 A 低压差 快速瞬态响应

NCP58300 LDO稳压器 3A 低压差 快速瞬态响应

00系列是高精度,极低压差(VLDO),低接地电流正电压稳压器,能够提供超过3.0 A的输出电流,典型压差低于370 mV,负载电流为3.0 A这些器件采用钽输出电容稳定。该系列最初由可调输出电压版本组成,未来计划采用固定电压版本。 NCP58300系列可承受高达18 V的最大输入电压。内部保护功能包括输出电流限制,内置热关断和反向输出电流保护。 5引脚版本提供逻辑电平使能和错误标志引脚。 NCP58302是一款可调节电压器件,采用D2PAK-5封装。 特性 优势 完全3.0 A负载时370 mV典型压差 无需使用开关调节器即可生成辅助电源轨 低接地电流 - 在3.0 A负载下典型值为50 mA 最大限度地降低稳压器的功率损耗 输出上的钽电容稳定 指定使用钽电容稳定 提供NCV版本适用于汽车应用 符合AEC-Q100标准且支持PPAP 最高电压输入高达18 V 适用于汽车和网通应用 输出电流超过3安培 汽车模块 应用 终端产品 FPGA,DSP和处理器的负载点 开关电源调节后 服务器和网络设备 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 08:02 65次 阅读
NCP58300 LDO稳压器 3A 低压差 快速瞬态响应

NCP57302 LDO稳压器 3A 低压差 高PSRR 快速瞬态响应

02是一款高精度,极低压差(VLDO),低最小输入电压和低接地电流正电压稳压器,能够提供超过3.0 A的输出电流,典型压差为315 mV at 3.0负载电流和1.8 V及以上的输入电压。该器件采用陶瓷输出电容稳定。该器件可承受高达18 V的最大输入电压。内部保护功能包括输出电流限制,内置热关断和反向输出电流保护。逻辑电平使能引脚可用。 NCP57302是一款可调电压器件,采用D2PAK-5封装。 特性 输出电流超过3.0 A 全3 A输出电流的最小工作输入电压1.8 V 315 mV 3.0 A时的典型压差电压 可调节输出电压范围1.24 V至13 V 低接地电流 快速瞬态响应 开关电源后调节 陶瓷输出电容稳定 逻辑兼容使能引脚 电流限制,反向电流和热量关机保护 工作电压高达13.5 V 汽车和其他应用的NCV前缀需要独特的站点和控制变更要求; AECQ100合格和PPAP能力 这些是无铅设备 应用 终端产品 工业标准MIC29300,MIC39300,MIC37300的功能替代,具有改进的最小输入电压规格 消费者和工业设备点监管 服务器和网络设备 FPGA,DSP和逻辑电源 电池充...
发表于 07-30 08:02 80次 阅读
NCP57302 LDO稳压器 3A 低压差 高PSRR 快速瞬态响应

NCP57152 LDO稳压器 1.5 A 低压差 快速瞬态响应

52是一款高精度,极低压差(VLDO),低最小输入电压和低接地电流正电压稳压器,能够提供超过1.5 A的输出电流,典型压差为330 mV at 1.5负载电流和1.8 V及以上的输入电压。该器件采用陶瓷输出电容稳定。该器件可承受高达18 V的最大输入电压。内部保护功能包括输出电流限制,内置热关断和反向输出电流保护。逻辑电平使能和错误标志引脚可用。 NCP57152是一款可调节电压器件,采用D2PAK-5和DFN8封装。 特性 输出电流超过1.5 A 1.5 A输出电流的最小工作输入电压1.8 V 330 mV典型压差电压1.5 A 可调输出电压范围从1.24 V到13 V 低接地电流 快速瞬态响应 陶瓷稳定输出电容器 逻辑兼容使能和错误标志引脚 电流限制,反向电流和热关断保护 高达13.5 V输入电压的操作 NCV前缀适用于需要独特站点和控制变更要求的汽车和其他应用; AECQ100合格和PPAP能力 这些是无铅设备 应用 终端产品 具有改进的最小输入电压规格的工业标准MIC29150,MIC39150,MIC37150的功能替换 消费者和工业设备监管点 服务器和网络设备 FPGA,DSP和逻...
发表于 07-30 07:02 127次 阅读
NCP57152 LDO稳压器 1.5 A 低压差 快速瞬态响应

MC34268 LDO稳压器 800 mA 2.85 V SCSI-2有源端接器

8是一款中等电流,低压差(LDO)正线性稳压器,专为SCSI-2有源终端电路而设计。该器件为电路设计人员提供了一种经济的精密电压调节解决方案,同时将功率损耗降至最低。线性稳压器由1.0 V压差复合PNP / NPN传输晶体管,限流和热限制组成。该LDO采用SOIC-8和DPAK-3表面贴装功率封装。 应用包括有源SCSI-2端接器和开关电源的后置调节。 特性 2.85 V SCSI-2有源端接的输出电压 1.0 V Dropout 输出电流超过800 mA 热保护 短路保护 输出调整为1.4%容差 无需最低负载 节省空间的DPAK-3,SOT-223和SOIC-8表面贴装电源包 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 06:02 85次 阅读
MC34268 LDO稳压器 800 mA 2.85 V SCSI-2有源端接器

NCV2575 降压转换器 开关稳压器 可调输出电压 1.0 A.

系列降压开关稳压器是单片集成电路,非常适合简单方便地设计降压型开关稳压器(降压转换器)。该系列的所有电路均能够以极佳的线路和负载调节驱动1.0 A负载。这些器件提供3.3 V,5.0 V,12 V,15 V的固定输出电压和可调输出版本。 此降压开关稳压器旨在最大限度地减少外部元件的数量,从而简化电源设计。标准系列电感器针对LM2575进行了优化,由多家不同的电感器制造商提供。 由于LM2575转换器是一种开关电源,与传统的三端线性稳压器相比,其效率要高得多,特别是在输入电压较高的情况下。在许多情况下,LM2575稳压器消耗的功率非常低,不需要散热器,也不会大幅降低其尺寸。 LM2575的特性包括在指定的输入电压和输出负载条件下保证4%的输出电压容差,以及振荡器频率的+/- 10%(0C至125C的+/- 2%)。包括外部关断,具有80 uA典型待机电流。输出开关包括逐周期电流限制,以及在故障条件下进行全保护的热关断。 特性 3.3 V,5.0 V,12 V ,15 V和可调输出版本 可调版本输出电压范围为1.23 V至37 V +/- 4%最大线路和负载条件 保证1.0 A输出电流 宽输入电压范围:4.75 V至40 V 仅需要4个外部元件 ...
发表于 07-30 01:02 187次 阅读
NCV2575 降压转换器 开关稳压器 可调输出电压 1.0 A.

SG3525A PWM控制器

A PWM控制器用于控制所有类型的开关电源,可提供更高的性能和更少的外部元件数量。片内+5.1 V基准电压调整为+/- 1%,误差放大器的输入共模电压范围包括参考电压,因此无需外部分压电阻。振荡器的同步输入使多个单元可以从属,或者单个单元与外部系统时钟同步。通过连接在CT和放电引脚之间的单个电阻可以编程大范围的死区时间。该器件还具有内置软启动电路,仅需外接定时电容。关断引脚控制软启动电路和输出级,通过脉冲关断的PWM锁存器提供瞬时关断,以及具有更长关断命令的软启动循环。当VCC低于标称值时,欠压锁定会禁止输出和软启动电容的变化。输出级采用图腾柱设计,能够吸收和输出超过200 mA的电流。 SG3525A的输出级具有NOR逻辑,导致关闭状态的低输出。 特性 8.0 V至35 V操作 5.1 V +/- 1.0%修剪参考 100 Hz至400 kHz振荡器范围 单独的振荡器同步引脚 可调节死区时间控制 输入欠压锁定 锁存PWM以防止多个脉冲 逐脉冲关机 双源/灌电流输出:+/- 400 mA峰值 无铅封装可用* 应用 半桥 推拉式 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 21:02 479次 阅读
SG3525A PWM控制器