侵权投诉

第三代半导体原料三个发展阶段的现状与应用分析

2019-11-05 14:40 次阅读

半导体原料共经历了三个发展阶段:第一阶段是以硅 (Si)、锗 (Ge) 为代表的第一代半导体原料;第二阶段是以砷化镓 (GaAs)、磷化铟 (InP) 等化合物为代表;第三阶段是以氮化镓 (GaN)、碳化硅 (SiC)、硒化锌 (ZnSe) 等宽带半导体原料为主。

第三代半导体原料具有较大的频宽宽度,较高的击穿电压 (breakdown voltage),耐压与耐高温性能良好,因此更适用于制造高频、高温、大功率的射频元件。

从第二代半导体原料开始出现化合物,这些化合物凭借优异性能在半导体领域中取得广泛应用。

如 GaAs 在高功率传输领域具有优异的物理性能优势,广泛应用于手机、无线区域网络、光纤通讯、卫星通讯、卫星定位等领域。

GaN 则具有低导通损耗、高电流密度等优势,可显著减少电力损耗和散热负载。可应用于变频器、稳压器、变压器无线充电等领域。

SiC 因其在高温、高压、高频等条件下的优异性能,在交流 - 直流转换器等电源转换装置中得以大量应用。

明日之星 - GaN

GaN 是未来最具增长潜力的化合物半导体,与 GaAs 和 InP 等高频工艺相比,GaN 制成元件输出的功率更大;与 LDMOS 和 SiC 等功率工艺相比,GaN 的频率特性更好。

大多数 Sub 6GHz 的蜂窝网络都将采用 GaN 元件,因为 LDMOS 无法承受如此高的频率,而 GaAs 对于高功率应用又非理想之选。

此外,因为较高的频率会降低每个基地台的覆盖范围,所以需要安装更多的晶体管,进而带动 GaN 市场规模将迅速扩大。

GaN 元件产值目前占整个市场 20% 左右,Yole 预估到 2025 年比重将提升至 50% 以上。

第三代半导体原料三个发展阶段的现状与应用分析

GaN HEMT 已经成为未来大型基地台功率放大器的候选技术。目前预估全球每年新建约 150 万座基地台,未来 5G 网络还将补充覆盖区域更小、分布更加密集的微型基地台,这将刺激 GaN 元件的需求。

此外,国防市场在过去几十年里一直是 GaN 开发的主要驱动力,目前已用于新一代空中和地面雷达。

第三代半导体原料三个发展阶段的现状与应用分析

而在 GaN 射频元件领域中,龙头厂包括日本住友电工、美国科锐和 Qorvo、韩国 RFHIC 等。GaN 代工厂则有稳懋 (3105.TW)、三安光电等。

手机中基石 - GaAs

GaAs 作为最成熟的化合物半导体之一,是智慧手机零组件中,功率放大器 (PA) 的基石。

根据 Strategy Analytics 数据显示, 2018 年全球 GaAs 元件市场(含 IDM 厂元件产值)总产值约为 88.7 亿美元,创历史新高,且市场集中度高,前四大厂商比重达 73.4%,分别为 Skyworks(32.3%)、Qorvo(26%)、Broadcom(9.1%)、稳懋 (6%)。

第三代半导体原料三个发展阶段的现状与应用分析

至于 GaAs 晶圆代工市场方面,2018 年规模为 7.5 亿美元,其中稳懋市占率高达 71.1%,为全球第一大 GaAs 晶圆代工厂。

第三代半导体原料三个发展阶段的现状与应用分析

由于 GaAs 具有载波聚合和多输入多输出技术所需的高功率和高线性度,GaAs 仍将是 6 GHz 以下频段的主流技术。除此之外,GaAs 在汽车电子、军事领域方面也有一定的应用。

总结上述这些 III-V 族化合物半导体元件具有优异的高频特性,长期以来被视为太空科技中无线领域应用首选。

随着商业上宽带无线通讯及光通讯的爆炸性需求,化合物半导体制程技术更广泛的被应用在高频、高功率、低噪声的无线产品及光电元件中。同时也从手持式无线通讯,扩散至物联网趋势下的 5G 基础建设和光通讯的技术开发领域。

责任编辑:gt

收藏 人收藏
分享:

评论

相关推荐

无线网卡的必备知识和选购指南

近日有关于教大家如何选购笔记本内置无线网卡的问题受到了很多网友们的关注,大多数网友都想要知道教大家如....
发表于 07-13 16:44 0次 阅读
无线网卡的必备知识和选购指南

了解常见的RF半导体制造工艺

半导体材料是一类具有半导体性能(导电能力介于导体与绝缘体之间,电阻率约在1mΩ·cm~1GΩ·cm范....
发表于 07-13 16:32 4次 阅读
了解常见的RF半导体制造工艺

基于Ruthroff型宽带巴伦结构实现双平衡混频器的设计

宽带混频器广泛应用于多功能无线收发器、微波收发器、微波回程、雷达和测试设备。宽带混频器使得在具有各种....
发表于 07-13 16:02 14次 阅读
基于Ruthroff型宽带巴伦结构实现双平衡混频器的设计

2G/3G退网条件逐渐成熟,RAN6工作组正式关闭

在近日举行的RAN#88e全体会议上3GPP宣布,负责GERAN和UTRAN无线与协议工作的RAN6....
发表于 07-13 14:25 17次 阅读
2G/3G退网条件逐渐成熟,RAN6工作组正式关闭

我以我思荐芯片:对外开放联合,对内专业务实

美国是国际化重要的组成部分,但不是全部——欧洲、日本、韩国和中国台湾等地区具有各自的优势,也不乏与中....
发表于 07-13 14:23 55次 阅读
我以我思荐芯片:对外开放联合,对内专业务实

博世汽车电子中国区总裁Andary先生开幕主题演讲,碳化硅赋能半导体行业

从全球碳化硅市场应用情况来看,2018年至2024年年复合增长率将达24%-29%,其中,用于包括电....
的头像 博世汽车电子事业部 发表于 07-13 11:35 176次 阅读
博世汽车电子中国区总裁Andary先生开幕主题演讲,碳化硅赋能半导体行业

DRAM和NAND依然是我国缺少的关键半导体组件之一

我国一直在努力减少对国外半导体制造公司的依赖,根据《中国大陆的半导体和设备市场:分析与制造趋势》报告....
发表于 07-13 11:11 56次 阅读
DRAM和NAND依然是我国缺少的关键半导体组件之一

III族氮化物化合物半导体具有带隙可调的优点

氮化镓(GaN)是第三代宽禁带半导体材料,禁带宽度为3.4eV,对应截至波长365nm,对可见光无响....
发表于 07-13 10:54 25次 阅读
III族氮化物化合物半导体具有带隙可调的优点

ADI拟170亿美元收购Maxim

半导体制造商Analog洽商以逾170亿美元收购竞争对手Maxim,这将是今年规模最大的合并交易之一....
的头像 21克888 发表于 07-13 10:13 723次 阅读
ADI拟170亿美元收购Maxim

战国末期故事鉴今朝,国产IP助力中国半导体国产化腾飞

提到秦始皇,蹦到人脑海的第一个词就是暴君。但是他凭什么两千多年前统一了中国?里面的故事不胜枚举,其中支持郑国修
的头像 芯设计天地 发表于 07-13 10:03 132次 阅读
战国末期故事鉴今朝,国产IP助力中国半导体国产化腾飞

FC-DBLU 型插入式涡街流量计与FC-100 系列超声波流量计的区别

FC-100系列流量计采用时差法测量原理,以测量管道封闭状态下的体积流量,应用于管道无法截流安装或超....
发表于 07-13 10:02 18次 阅读
FC-DBLU 型插入式涡街流量计与FC-100 系列超声波流量计的区别

数据协同对芯片制造的重要性

目前,相关标准的建立正在帮助整合数据。此外,第三方分析和监控公司正在完成各个数据源的连接,这些公司通....
的头像 我快闭嘴 发表于 07-13 09:54 85次 阅读
数据协同对芯片制造的重要性

中国半导体迅速发展,美国能否继续保持霸主地位?

世界半导体贸易统计(WSTS)调查5月的全球半导体销售额上升1.5%,达350亿美元。尽管半导体行业....
的头像 我快闭嘴 发表于 07-13 09:47 222次 阅读
中国半导体迅速发展,美国能否继续保持霸主地位?

莱迪思半导体软件解决方案Lattice Propel可轻松实现FPGA的设计应用

全球领先的低功耗可编程器件供应商莱迪思半导体公司(NASDAQ:LSCC)宣布,推出全新软件解决方案....
发表于 07-13 09:18 29次 阅读
莱迪思半导体软件解决方案Lattice Propel可轻松实现FPGA的设计应用

基于金属和卤素的钙钛矿或将成为太阳能电池革命的关键

俄勒冈州立大学的太阳能研究人员正在将他们的科学焦点聚焦在将近两个世纪前发现的具有晶体结构的材料上。
发表于 07-13 09:11 65次 阅读
基于金属和卤素的钙钛矿或将成为太阳能电池革命的关键

AMCOM驱动放大器的工作原理以及应用领域

AMCOM的驱动放大器是放置在末级功率放大器之前,对导入数据信号实现扩大,使其实现末级功放规定的输入....
发表于 07-13 09:06 17次 阅读
AMCOM驱动放大器的工作原理以及应用领域

中国集成电路设计行业的发展现状及机遇挑战

随着集成电路产业的不断发展,芯片的产值也是连年飙升,而中国芯片的进口额也是水涨船高。根据中国海关数据....
发表于 07-13 08:59 74次 阅读
中国集成电路设计行业的发展现状及机遇挑战

蓝色LED会不会被紫色LED取代

“使用蓝色的白色LED早晚会消失。”中村修二在7月24日举行的“GaN掀起能源革命”研讨会上发表演讲....
发表于 07-12 11:48 244次 阅读
蓝色LED会不会被紫色LED取代

6月份国内5G手机出货量1751.3万部,占手机整体数量的六成

来自中国信通院的数据显示,2020年6月,国内手机市场总体出货量2863万部,同比下降16.6%; ....
发表于 07-12 10:32 101次 阅读
6月份国内5G手机出货量1751.3万部,占手机整体数量的六成

基于英特尔六核64位“服务器级”处理芯片

说到后视影像,除了AHD高清倒车影像之外。知方这款产品之所以命名为“流媒体导航”,就是因为它具备实景....
发表于 07-12 09:32 131次 阅读
基于英特尔六核64位“服务器级”处理芯片

ARM正寻求将自己的努力完全集中于半导体 IP 业务

剥离两大物联网业务还需要等待该公司董事会以及标准监管机构的审查,但 ARM 预计此举将能够在今年 9....
发表于 07-12 09:18 52次 阅读
ARM正寻求将自己的努力完全集中于半导体 IP 业务

安全轨道插座,一次性搞定多个插座布局设计

插座在家装过程中实在是太不起眼了,其重要性却不容忽视。如果插座设计数量不够或者位置不对,都会给后期生....
发表于 07-11 10:42 57次 阅读
安全轨道插座,一次性搞定多个插座布局设计

我国破解半导体异质界面难题,促进新一代燃料电池研究和发展

著名期刊《科学》10日刊发中国地质大学(武汉)科研团队学术论文,宣布通过半导体异质界面电子态特性,把....
发表于 07-11 09:29 130次 阅读
我国破解半导体异质界面难题,促进新一代燃料电池研究和发展

基于虚拟仪器技术和NRF24L01实现水产养殖无线监测系统的设计

水产养殖环境因子的状况直接影响水产品的产量、品质及安全生产。因此,在现代工厂化养殖中,对养殖水体的温....
发表于 07-10 18:47 219次 阅读
基于虚拟仪器技术和NRF24L01实现水产养殖无线监测系统的设计

一加Buds蓝牙耳机通过认证,将与手机一同亮相

早先,一加CEO刘作虎确认将于7月21日发布中端手机一加Nord,现在有消息表明,一加Buds已经通....
发表于 07-10 18:35 110次 阅读
一加Buds蓝牙耳机通过认证,将与手机一同亮相

芯片是电子产品的电脑和指挥中心,国产替代是重点

广东省近期发布了《关于培育发展战略性支柱产业集群和战略性新兴产业集群的意见》,提出以广州、深圳、珠海....
发表于 07-10 18:02 449次 阅读
芯片是电子产品的电脑和指挥中心,国产替代是重点

LED厂商即将投资52亿在台湾建厂发展MiniLED

随着苹果引燃MiniLED风潮带动需求成长,刺激上下游供应链扩大产能,LED量测设备厂惠特科技计划投....
发表于 07-10 17:45 147次 阅读
LED厂商即将投资52亿在台湾建厂发展MiniLED

什么是CMOS电平接口,COMS电路有什么使用注意事项

我们对它也不陌生,也是经常和它打交道了,一些关于CMOS的半导体特性在这里就不必啰嗦了。许多人都知道....
发表于 07-10 15:10 118次 阅读
什么是CMOS电平接口,COMS电路有什么使用注意事项

PowerMOSFET在变频器电路中如何起续流保护作用

PowerMOSFET有三个极,即源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。控制信号“GS加于栅极和源极之....
发表于 07-10 14:47 139次 阅读
PowerMOSFET在变频器电路中如何起续流保护作用

一文解析MEMS半导体元件

MEMS是随着半导体集成电路微细加工技术和超精密机械加工技术的发展而发展起来的,目前MEMS加工技术....
发表于 07-10 11:50 195次 阅读
一文解析MEMS半导体元件

疫情刺激业务增长,英伟达走“花路”成为世界第三大半导体公司

英伟达可以说是最早吃到AI红利的科技公司之一。早年的英伟达凭借着GPU在游戏市场所向披靡,而随着GP....
的头像 我快闭嘴 发表于 07-10 11:18 349次 阅读
疫情刺激业务增长,英伟达走“花路”成为世界第三大半导体公司

半导体氮化铟镓的红色LED,有望成为下一代显示技术的主流

沙特阿拉伯阿卜杜拉国王科技大学的研究人员成功地制造了基于自然发蓝光的半导体氮化铟镓的红色LED,这种....
的头像 如意 发表于 07-10 11:16 226次 阅读
半导体氮化铟镓的红色LED,有望成为下一代显示技术的主流

什么是二极管和三极管,这种器件有什么区别

二极管,(英语:Diode),电子元件当中,一种具有两个电极的装置,只允许电流由单一方向流过,许多的....
发表于 07-10 11:10 143次 阅读
什么是二极管和三极管,这种器件有什么区别

国产IP的自主芯片生态链即将迎来黄金发展期

如今,全球半导体先进制程之战新的交锋已然火花四射。中国面对不友好的国际环境,国产替代的呼声风起云涌。....
发表于 07-10 09:56 106次 阅读
国产IP的自主芯片生态链即将迎来黄金发展期

EDA行业寡头垄断,国产错失良机

EDA是伴随摩尔定律而诞生的一种工具。摩尔定律认为:集成电路中的晶体管数量每18到24个月会增加两倍....
发表于 07-10 08:20 193次 阅读
EDA行业寡头垄断,国产错失良机

5G带来新机,AIoT助力超越

5G商用首先极大的拉动了5G通信芯片与5G终端芯片的需求。尽管5G芯片市场的战争号角才刚刚吹响,但芯....
的头像 我快闭嘴 发表于 07-09 16:47 540次 阅读
5G带来新机,AIoT助力超越

全球顶尖碳化硅芯片生产商罗姆已落户临港

7月8日从上海自贸试验区临港新片区管委会获悉,ROHM-臻驱科技碳化硅技术联合实验室揭牌仪式近日在临....
的头像 科技观察者 发表于 07-09 16:35 222次 阅读
全球顶尖碳化硅芯片生产商罗姆已落户临港

R17无线+AI研究初步规划透露,5G基于AI的业务和应用优化

在今天召开的中国移动研究院“智汇讲堂”第十二期“5G R16标准解读与R17展望”中,3GPP报告人....
的头像 牵手一起梦 发表于 07-09 16:16 299次 阅读
R17无线+AI研究初步规划透露,5G基于AI的业务和应用优化

谷歌与SkyWater开源PDK,旨在使公司更容易进入半导体行业

SkyWater开源PDK包含有关将设计套件与多种工具和设计流程一起使用以实现多种不同类型的ASIC....
的头像 牵手一起梦 发表于 07-09 15:00 402次 阅读
谷歌与SkyWater开源PDK,旨在使公司更容易进入半导体行业

非晶氮化硼将广泛应用于诸如DRAM和NAND解决方案等半导体

7月,三星电子宣布,三星高级技术学院(SAIT)的研究人员与蔚山国家科学技术学院(UNIST)、剑桥....
发表于 07-09 15:00 164次 阅读
非晶氮化硼将广泛应用于诸如DRAM和NAND解决方案等半导体

比亚迪半导体是国内领先的半导体IDM企业

这些芯片公司所从事的业务,有的与联想的3S战略相吻合,如AI芯片公司寒武纪。有的则代表着联想布局未来....
的头像 EDA365 发表于 07-09 14:47 446次 阅读
比亚迪半导体是国内领先的半导体IDM企业

Horie用树脂结构代替电池基本组件,可将批量生产成本降低90%

锂离子电池在技术世界中起着核心作用,为从智能手机到智能汽车的所有产品提供动力,其中一位将其商业化的人....
的头像 牵手一起梦 发表于 07-09 14:35 291次 阅读
Horie用树脂结构代替电池基本组件,可将批量生产成本降低90%

无线物联网设备的网络架构需要做到什么?

低功耗广域(LPWA)技术是一种解决方案。它们需要与蜂窝移动网络和其他短程技术共存。这种共存将根据本....
的头像 我快闭嘴 发表于 07-09 14:31 206次 阅读
无线物联网设备的网络架构需要做到什么?

二极管的特性与应用

8.磁珠的作用:磁珠有很高的电阻率和磁导率,他等效于电阻和电感串联,但电阻值和电感值都随频率变化。他....
发表于 07-09 14:09 83次 阅读
二极管的特性与应用

广电电视终端用户总体规模持续扩大

统筹推进中国经典民间故事动漫创作工程等国产动画系列重点工程,推动传承中华文化基因、具有大众亲和力的动....
发表于 07-09 10:57 145次 阅读
广电电视终端用户总体规模持续扩大

又一半导体公司市值破千亿!都有哪些市值超500亿的半导体企业?

7月7日,受中芯国际回A股启动申购影响,半导体板块延续猛攻行情,资金追捧热度持续不减。截止收盘,半导....
的头像 Carol Li 发表于 07-09 09:51 1377次 阅读
又一半导体公司市值破千亿!都有哪些市值超500亿的半导体企业?

图像传感器适用于各种3D技术的增强现实/虚拟现实

据麦姆斯咨询报道,全球领先的高性能传感器解决方案供应商、移动市场3D脸部识别领域领导者艾迈斯半导体(....
发表于 07-09 09:11 229次 阅读
图像传感器适用于各种3D技术的增强现实/虚拟现实

进一步推进5G终端产业发展的几项建议

鼓励5G终端企业通过产业联盟等形式进行交流合作,构建开放融合、软硬协同的产业生态。依托5G差异化场景....
的头像 我快闭嘴 发表于 07-08 17:41 372次 阅读
进一步推进5G终端产业发展的几项建议

硅光产业成为半导体领域竞争的另一条赛道

技术演进和企业收购助力产业发展。硅光从提出至今,技术不断演进,其中里程碑事件为英特尔在2004年研制....
的头像 我快闭嘴 发表于 07-08 17:30 373次 阅读
硅光产业成为半导体领域竞争的另一条赛道

【PCB】什么是高可靠性?

PCB可靠性是指“裸板”能够满足后续PCBA装配的生产条件,并在特定的工作环境和操作条件下,在一定的时期内,可以保持正常...
发表于 07-03 11:09 224次 阅读
【PCB】什么是高可靠性?

一款通用的半导体参数测量工具软件分享

  FastLab是一款通用半导体参数测量工具软件,主要用于在半导体实验室中协同探针台与测量仪器进行自动化的片上半导体器件的I...
发表于 07-01 09:59 293次 阅读
一款通用的半导体参数测量工具软件分享

PDK 验证软件PQLab的优势和技术指标

  PQLab是供半导体代工厂和设计公司自动验证PDK (Process Design Kit)/FDK (Process Design Kit)的工具软件...
发表于 07-01 09:54 210次 阅读
PDK 验证软件PQLab的优势和技术指标

STM32F7如何支持无线2.4G游戏手柄

我已经在阿波罗上实现USB有线手柄的程序,但用相同的代码下,通过无线手柄(北通蝙蝠D2夜影版)测试发现结果的是:1.键的数据...
发表于 06-18 04:35 44次 阅读
STM32F7如何支持无线2.4G游戏手柄

上海博通的2.4G无线单片机好吗

上海博通的2.4G无线单片机怎么样? 最近想做一个2.4G无线遥控收发. 24L01已经玩过了. 想尝试一下上海博通的. 2.4G无线单片...
发表于 06-16 03:22 71次 阅读
上海博通的2.4G无线单片机好吗

手机无线同频器如何分辨性能优劣?

发表于 05-28 15:43 372次 阅读
手机无线同频器如何分辨性能优劣?

想实现跨区域的设备,数据能够共享的技术

假设有一台在北京的设备,我希望此设备上的数据能够通过无线数据传输技术,在上海的电脑上查看,GPRS可以实现这个功能吗 ...
发表于 05-28 14:45 224次 阅读
想实现跨区域的设备,数据能够共享的技术

如何做2401无线收发控制两个直流电机动作

最近在做2401无线收发控制两个直流电机动作,mini板子发送,51板子(自己焊的)接收,应该如何写程序,不知道怎么下手,感觉2401的资料比...
发表于 05-25 09:26 58次 阅读
如何做2401无线收发控制两个直流电机动作

芯片失效分析步骤

芯片失效分析步骤 1. 开封前检查,外观检查,X光检查,扫描声学显微镜检查。2. 开封显微镜检查。3. 电性能分析,缺陷定位技术、...
发表于 05-18 14:25 674次 阅读
芯片失效分析步骤

半导体失效分析方法总结

失效分析(FA)是一门发展中的新兴学科,近年开始从军工向普通企业普及。它一般根据失效模式和现象,通过分析和验证,模拟重现...
发表于 05-15 10:49 321次 阅读
半导体失效分析方法总结

LM324LV 4 通道行业标准低电压运算放大器

LM3xxLV系列包括单个LM321LV,双LM358LV和四个LM324LVoperational放大器或运算放大器。这些器件采用2.7 V至5.5 V的低电压工作。 这些运算放大器是LM321,LM358和LM324的替代产品,适用于对成本敏感的低电压应用。一些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品。 LM3xxLV器件在低电压下提供比LM3xx器件更好的性能,并且功耗更低。运算放大器在单位增益下稳定,在过驱动条件下不会反相。 ESD设计为LM3xxLV系列提供了至少2 kV的HBM规格。 LM3xxLV系列提供具有行业标准的封装。这些封装包括SOT-23,SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 用于成本敏感系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1 mV 共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1 MHz 低宽带噪声:40 nV /√ Hz < li>低静态电流:90μA/Ch 单位增益稳定 工作电压为2.7 V至5.5 V 提供单,双和四通道变体 稳健的ESD规范:2 kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=1...
发表于 01-08 17:51 1208次 阅读
LM324LV 4 通道行业标准低电压运算放大器

TLV9052 5MHz、15-V/µs 高转换率 RRIO 运算放大器

TLV9051,TLV9052和TLV9054器件分别是单,双和四运算放大器。这些器件针对1.8 V至5.5 V的低电压工作进行了优化。输入和输出可以以非常高的压摆率从轨到轨工作。这些器件非常适用于需要低压工作,高压摆率和低静态电流的成本受限应用。这些应用包括大型电器和三相电机的控制。 TLV905x系列的容性负载驱动为200 pF,电阻性开环输出阻抗使容性稳定更高,容性更高。 TLV905x系列易于使用,因为器件是统一的 - 增益稳定,包括一个RFI和EMI滤波器,在过载条件下不会发生反相。 特性 高转换率:15 V /μs 低静态电流:330μA 轨道-to-Rail输入和输出 低输入失调电压:±0.33 mV 单位增益带宽:5 MHz 低宽带噪声:15 nV /√ Hz 低输入偏置电流:2 pA Unity-Gain稳定 内部RFI和EMI滤波器 适用于低成本应用的可扩展CMOS运算放大器系列 工作电压低至1.8 V 由于电阻开环,电容负载更容易稳定输出阻抗 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Vo...
发表于 01-08 17:51 261次 阅读
TLV9052 5MHz、15-V/µs 高转换率 RRIO 运算放大器

TMP422-EP 增强型产品,具有 N 因数和串联电阻校正的 ±1°C 双路远程和本地温度传感器

TMP422是具有内置本地温度传感器的远程温度传感器监视器。远程温度传感器具有二极管连接的晶体管 - 通常是低成本,NPN-或者PNP - 类晶体管或者作为微控制器,微处理器,或者FPGA组成部分的二极管。 无需校准,对多生产商的远程精度是±1°C。这个2线串行接口接受SMBus写字节,读字节,发送字节和接收字节命令对此器件进行配置。 TMP422包括串联电阻抵消,可编程非理想性因子,大范围远程温度测量(高达150℃),和二极管错误检测。 TMP422采用SOT23-8封装。 特性 SOT23-8封装 ±1°C远程二极管传感器(最大值) ±2.5°C本地温度传感器(最大值) 串联电阻抵消 n-因子校正 两线/SMBus串口 多重接口地址 二极管故障检测 RoHS兼容和无Sb /Br 参数 与其它产品相比 数字温度传感器   Interface Local sensor accuracy (Max) (+/- C) Temp Resolution (Max) (bits) Operating temperature range (C) Supply Voltage (Min) (V) Supply Voltage (Max) (V) Supply Current (Max) (uA) Features Remote channels (#) Rating Package Group Package size: mm2:W x L (PKG)   TMP422-...
发表于 01-08 17:51 230次 阅读
TMP422-EP 增强型产品,具有 N 因数和串联电阻校正的 ±1°C 双路远程和本地温度传感器

LP8733-Q1 LP8733-Q1 双路高电流降压转换器和双路线性稳压器

LP8733xx-Q1专为满足的电源管理要求而设计,这些处理器和平台用于汽车应用中的闭环性能。该器件具有两个可配置为单个两相稳压器或两个单相稳压器的降压直流/直流转换器和两个线性稳压器以及通用数字输出信号。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动PWM /PFM(AUTO模式)操作与自动相位增加/减少相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8733xx-Q1支持远程电压检测(采用两相配置的差分),可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8733xx-Q1器件支持可编程启动和关断延迟与排序(包括与使能信号同步的GPO信号)。在启动和电压变化期间,器件会对出转换率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:器件温度 1 级:-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围输入电压:2.8V 至 5.5V两个高效降压直流/直流转换器:输出电压:0.7V 至 3.36V最大输出电流 3A/相采用两相配置的自动相位增加/减少和强制多相操作采用两相配置的远...
发表于 01-08 17:51 273次 阅读
LP8733-Q1 LP8733-Q1 双路高电流降压转换器和双路线性稳压器

TPS3840 具有手动复位和可编程复位时间延迟功能的毫微功耗高输入电压监控器

TPS3840系列电压监控器或复位IC可在高电压下工作,同时在整个V DD 上保持非常低的静态电流和温度范围。 TPS3840提供低功耗,高精度和低传播延迟的最佳组合(t p_HL =30μs典型值)。 当VDD上的电压低于负电压阈值(V IT - )或手动复位拉低逻辑(V MR _L )。当V DD 上升到V IT - 加滞后(V IT + )和手动复位( MR )时,复位信号被清除)浮动或高于V MR _H ,复位时间延迟(t D )到期。可以通过在CT引脚和地之间连接一个电容来编程复位延时。对于快速复位,CT引脚可以悬空。 附加功能:低上电复位电压(V POR ), MR 和VDD的内置线路抗扰度保护,内置迟滞,低开漏输出漏电流(I LKG(OD))。 TPS3840是一款完美的电压监测解决方案,适用于工业应用和电池供电/低功耗应用。 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 特性 宽工作电压:1.5 V至10 V 纳米电源电流:350 nA(典型值) 固定阈值电压(V IT - ) 阈值从1.6 V到4.9 V,步长为0.1 V 高精度:1%(典型值) 内置滞后(V IT + ) 1.6 V&lt; V IT - ≤3.1V= 100mV(典...
发表于 01-08 17:51 524次 阅读
TPS3840 具有手动复位和可编程复位时间延迟功能的毫微功耗高输入电压监控器

INA240-SEP 采用增强型航天塑料且具有增强型 PWM 抑制功能的 80V、高/低侧、零漂移电流检测放大器

INA240-SEP器件是一款电压输出,电流检测放大器,具有增强的PWM反射功能,能够在宽共模电压下检测分流电阻上的压降范围为-4V至80V,与电源电压无关。负共模电压允许器件在地下工作,适应典型电磁阀应用的反激时间。 EnhancedPWM抑制为使用脉冲宽度调制(PWM)信号的大型共模瞬变(ΔV/Δt)系统(如电机驱动和电磁阀控制系统)提供高水平的抑制。此功能可实现精确的电流测量,无需大的瞬态电压和输出电压上的相关恢复纹波。 该器件采用2.7 V至5.5 V单电源供电,最大电源电流为2.4 mA 。固定增益为20 V /V.零漂移架构的低失调允许电流检测,分流器上的最大压降低至10 mV满量程。 特性 VID V62 /18615 抗辐射 单事件闩锁(SEL)免疫43 MeV-cm 2 /mgat 125° ELDRS每次使用晶圆批次可达30 krad(Si) TotalIonizing Dose(TID)RLAT至20krad(Si) 空间增强塑料 受控基线 金线 NiPdAu LeadFinish < /li> 一个装配和测试现场 一个制造现场 可用于军用(-55°C至125°C)温度范围 ExtendedProduct生命周期 扩展产品更改通知 产品可追溯性 用于低释气的增强型模具化合物 增强型PWM抑制 出色...
发表于 01-08 17:51 197次 阅读
INA240-SEP 采用增强型航天塑料且具有增强型 PWM 抑制功能的 80V、高/低侧、零漂移电流检测放大器

LM96000 具有集成风扇控制的硬件监控器

LM96000硬件监视器具有与SMBus 2.0兼容的双线数字接口。使用8位ΣΔADC,LM96000测量: 两个远程二极管连接晶体管及其自身裸片的温度 VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V电源(内部定标电阻)。 为了设置风扇速度,LM96000有三个PWM输出,每个输出由三个温度区域之一控制。支持高和低PWM频率范围。 LM96000包括一个数字滤波器,可调用该滤波器以平滑温度读数,从而更好地控制风扇速度。 LM96000有四个转速计输入,用于测量风扇速度。包括所有测量值的限制和状态寄存器。 特性 符合SMBus 2.0标准的2线制串行数字接口 8位ΣΔADC 监控VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V主板/处理器电源 监控2个远程热二极管 基于温度读数的可编程自主风扇控制 风扇控制温度读数的噪声过滤 1.0°C数字温度传感器分辨率 3 PWM风扇速度控制输出 提供高低PWM频率范围 4风扇转速计输入 监控5条VID控制线 24针TSSOP封装 XOR-tree测试模式< /li> Key Specifications Voltage Measurement Accuracy ±2% FS (max) Resolution 8-bits, 1°C Temperature Sensor Accuracy ±3°C (max) Temperature ...
发表于 01-08 17:51 373次 阅读
LM96000 具有集成风扇控制的硬件监控器

LM63 具有集成风扇控制的准确远程二极管数字温度传感器

LM63是一款带集成风扇控制的远程二极管温度传感器。 LM63精确测量:(1)自身温度和(2)二极管连接的晶体管(如2N3904)或计算机处理器,图形处理器单元(GPU)和其他ASIC上常见的热敏二极管的温度。 LM63远程温度传感器的精度针对串联电阻和英特尔0.13μm奔腾4和移动奔腾4处理器-M热敏二极管的1.0021非理想性进行了工厂调整。 LM63有一个偏移寄存器,用于校正由其他热二极管的不同非理想因素引起的误差。 LM63还具有集成的脉冲宽度调制(PWM)开漏风扇控制输出。风扇速度是远程温度读数,查找表和寄存器设置的组合。 8步查找表使用户能够编程非线性风扇速度与温度传递函数,通常用于静音声学风扇噪声。 特性 准确感应板载大型处理器或ASIC上的二极管连接2N3904晶体管或热二极管 准确感知其自身温度< /li> 针对英特尔奔腾4和移动奔腾4处理器-M热二极管的工厂调整 集成PWM风扇速度控制输出 使用用户可编程降低声学风扇噪音8 -Step查找表 用于 ALERT 输出或转速计输入,功能的多功能,用户可选引脚 用于测量风扇RPM的转速计输入< /li> 用于测量典型应用中脉冲宽度调制功率的风扇转速的Smart-Tach模式 偏移寄存器可针对...
发表于 01-08 17:51 510次 阅读
LM63 具有集成风扇控制的准确远程二极管数字温度传感器

AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达加速器的 76GHz 至 81GHz 单芯片汽车雷达传感器

AWR1843器件是一款集成的单芯片FMCW雷达传感器,能够在76至81 GHz频段内工作。该器件采用TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺制造,可在极小的外形尺寸内实现前所未有的集成度。 AWR1843是汽车领域低功耗,自监控,超精确雷达系统的理想解决方案。 AWR1843器件是一款独立的FMCW雷达传感器单芯片解决方案,可简化在76至81 GHz频段内实施汽车雷达传感器。它基于TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺,可实现具有内置PLL和A2D转换器的3TX,4RX系统的单片实现。它集成了DSP子系统,其中包含TI的高性能C674x DSP,用于雷达信号处理。该设备包括BIST处理器子系统,负责无线电配置,控制和校准。此外,该器件还包括一个用户可编程ARM R4F,用于汽车接口。硬件加速器模块(HWA)可以执行雷达处理,并可以帮助在DSP上保存MIPS以获得更高级别的算法。简单的编程模型更改可以实现各种传感器实现(短,中,长),并且可以动态重新配置以实现多模传感器。此外,该设备作为完整的平台解决方案提供,包括参考硬件设计,软件驱动程序,示例配置,API指南和用户文档。 特性 FMCW收发器 集成PLL,发送器,接收...
发表于 01-08 17:51 1335次 阅读
AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达加速器的 76GHz 至 81GHz 单芯片汽车雷达传感器

OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算放大器

OPAx388(OPA388,OPA2388和OPA4388)系列高精度运算放大器是超低噪声,快速稳定,零漂移,零交叉器件,可实现轨到轨输入和输出运行。这些特性及优异交流性能与仅为0.25μV的偏移电压以及0.005μV/°C的温度漂移相结合,使OPAx388成为驱动高精度模数转换器(ADC)或缓冲高分辨率数模转换器(DAC)输出的理想选择。该设计可在驱动模数转换器(ADC)的过程中实现优异性能,不会降低线性度.OPA388(单通道版本)提供VSSOP-8,SOT23 -5和SOIC-8三种封装.OPA2388(双通道版本)提供VSSOP-8和SO-8两种封装.OPA4388(四通道版本)提供TSSOP-14和SO-14两种封装。上述所有版本在-40°C至+ 125°C扩展工业温度范围内额定运行。 特性 超低偏移电压:±0.25μV 零漂移:±0.005μV/°C 零交叉:140dB CMRR实际RRIO 低噪声:1kHz时为7.0nV /√ Hz 无1 /f噪声:140nV < sub> PP (0.1Hz至10Hz) 快速稳定:2μs(1V至0.01%) 增益带宽:10MHz 单电源:2.5V至5.5V 双电源:±1.25V至±2.75V 真实轨到轨输入和输出 已滤除电磁干扰( EMI)/射频干扰(RFI)的输入 行业标...
发表于 01-08 17:51 313次 阅读
OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算放大器

TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

TLVx314-Q1系列单通道,双通道和四通道运算放大器是新一代低功耗,通用运算放大器的典型代表。该系列器件具有轨到轨输入和输出(RRIO)摆幅,低静态电流(5V时典型值为150μA),3MHz高带宽等特性,非常适用于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供电型应用。 TLVx314-Q1系列可实现1pA低输入偏置电流,是高阻抗传感器的理想选择。 TLVx314-Q1器件采用稳健耐用的设计,方便电路设计人员使用。该器件具有单位增益稳定性,支持轨到轨输入和输出(RRIO),容性负载高达300PF,集成RF和EMI抑制滤波器,在过驱条件下不会出现反相并且具有高静电放电(ESD)保护(4kV人体模型(HBM))。 此类器件经过优化,适合在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的低电压状态下工作并可在-40°C至+ 125°C的扩展工业温度范围内额定运行。 TLV314-Q1(单通道)采用5引脚SC70和小外形尺寸晶体管(SOT)-23封装.TLV2314-Q1(双通道版本)采用8引脚小外形尺寸集成电路(SOIC)封装和超薄外形尺寸(VSSOP)封装。四通道TLV4314-Q1采用14引脚薄型小外形尺寸(TSSOP)封装。 特性 符合汽车类应用的要求 具...
发表于 01-08 17:51 161次 阅读
TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍尔效应单极开关

DRV5021器件是一款用于高速应用的低压数字开关霍尔效应传感器。该器件采用2.5V至5.5V电源工作,可检测磁通密度,并根据预定义的磁阈值提供数字输出。 该器件检测垂直于封装面的磁场。当施加的磁通密度超过磁操作点(B OP )阈值时,器件的漏极开路输出驱动低电压。当磁通密度降低到小于磁释放点(B RP )阈值时,输出变为高阻抗。由B OP 和B RP 分离产生的滞后有助于防止输入噪声引起的输出误差。这种配置使系统设计更加强大,可抵抗噪声干扰。 该器件可在-40°C至+ 125°C的宽环境温度范围内始终如一地工作。 特性 数字单极开关霍尔传感器 2.5 V至5.5 V工作电压V CC 范围 磁敏感度选项(B OP ,B RP ): DRV5021A1:2.9 mT,1.8 mT DRV5021A2:9.2 mT,7.0 mT DRV5021A3:17.9 mT,14.1 mT 快速30-kHz感应带宽 开漏输出能够达到20 mA 优化的低压架构 集成滞后以增强抗噪能力 工作温度范围:-40° C至+ 125°C 标准工业封装: 表面贴装SOT-23 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 霍尔效应锁存器和开关   Type Supply Voltage (Vcc) (Min) (V...
发表于 01-08 17:51 297次 阅读
DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍尔效应单极开关

TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

TLV1805-Q1高压比较器提供宽电源范围,推挽输出,轨到轨输入,低静态电流,关断的独特组合和快速输出响应。所有这些特性使该比较器非常适合需要检测正或负电压轨的应用,如智能二极管控制器的反向电流保护,过流检测和过压保护电路,其中推挽输出级用于驱动栅极p沟道或n沟道MOSFET开关。 高峰值电流推挽输出级是高压比较器的独特之处,它具有允许输出主动驱动负载到电源轨的优势具有快速边缘速率。这在MOSFET开关需要被驱动为高或低以便将主机与意外高压电源连接或断开的应用中尤其有价值。低输入失调电压,低输入偏置电流和高阻态关断等附加功能使TLV1805-Q1足够灵活,可以处理几乎任何应用,从简单的电压检测到驱动单个继电器。 TLV1805-Q1符合AEC-Q100标准,采用6引脚SOT-23封装,额定工作温度范围为-40°C至+ 125°C。 特性 AEC-Q100符合以下结果: DeviceTemperature 1级:-40°C至+ 125°C环境温度工作温度 器件HBMESD分类等级2 器件CDM ESD分类等级C4A 3.3 V至40 V电源范围 低静态电流:每个比较器150μA 两个导轨以外的输入共模范围 相位反转保护 推 - 拉输出 250ns传播延迟 低输入失...
发表于 01-08 17:51 304次 阅读
TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

TMP461-SP 耐辐射 (RHA) 高精度远程和本地温度传感器

这个远程温度传感器通常采用低成本分立式NPN或PNP晶体管,或者基板热晶体管/二极管,这些器件都是微处理器,模数转换器(ADC),数模转换器(DAC),微控制器或现场可编程门阵列(FPGA)中不可或缺的部件。本地和远程传感器均用12位数字编码表示温度,分辨率为0.0625°C。此两线制串口接受SMBus通信协议,以及多达9个不同的引脚可编程地址。 该器件将诸如串联电阻抵消,可编程非理想性因子(η因子),可编程偏移,可编程温度限制和可编程数字滤波器等高级特性完美结合,提供了一套准确度和抗扰度更高且稳健耐用的温度监控解决方案。 TMP461-SP是在各种分布式遥测应用中进行多位置高精度温度测量的理想选择这类集成式本地和远程温度传感器可提供一种简单的方法来测量温度梯度,进而简化了航天器维护活动。该器件的额定电源电压范围为1.7V至3.6V,额定工作温度范围为-55 °C至125°C。 特性 符合QMLV标准:5962-1721801VXC 热增强型HKU封装 经测试,在50rad /s的高剂量率(HDR)下,可抵抗高达50krad(Si)的电离辐射总剂量(TID) 经测试,在10mrad /s的低剂量率(LDR)下,可抵抗高达100krad(Si)的电离辐射...
发表于 01-08 17:51 318次 阅读
TMP461-SP 耐辐射 (RHA) 高精度远程和本地温度传感器

LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器

LP87524B /J /P-Q1旨在满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求。该器件包含四个降压DC-DC转换器内核,配置为4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals控制。 自动PFM /PWM(自动模式)操作可在宽输出电流范围内最大限度地提高效率。 LP87524B /J /P-Q1支持远程电压检测,以补偿稳压器输出和负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,开关时钟可以强制为PWM模式,也可以与外部时钟同步,以最大限度地减少干扰。 LP87524B /J /P-Q1器件支持负载电流测量,无需增加外部电流检测电阻器。此外,LP87524B /J /P-Q1还支持可编程的启动和关闭延迟以及与信号同步的序列。这些序列还可以包括GPIO信号,以控制外部稳压器,负载开关和处理器复位。在启动和电压变化期间,器件控制输出压摆率,以最大限度地减少输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100符合以下结果: 设备温度等级1:-40°C至+ 125°C环境工作温度 输入电压:2.8 V至5.5 V 输出电压:0.6 V至3.36 V 四个高效降压型DC-DC转换器内核: 总输出电流高达10 A 输出电压漏电率...
发表于 01-08 17:51 404次 阅读
LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器

TAS2562 具有扬声器 IV 检测功能的数字输入单声道 D 类音频放大器

TAS2562是一款数字输入D类音频放大器,经过优化,能够有效地将高峰值功率驱动到小型扬声器应用中。 D类放大器能够在电压为3.6 V的情况下向6.1负载提供6.1 W的峰值功率。 集成扬声器电压和电流检测可实现对扬声器的实时监控。这允许在将扬声器保持在安全操作区域的同时推动峰值SPL。具有防止掉电的电池跟踪峰值电压限制器可优化整个充电周期内的放大器裕量,防止系统关闭。 I 2 S /TDM + I中最多可有四个器件共用一个公共总线 2 C接口。 TAS2562器件采用36球,0.4 mm间距CSP封装,尺寸紧凑。 高性能D类放大器 6.1 W 1%THD + N(3.6 V时4Ω) 5 W 1%THD + N(在3.6 V时为8Ω) 15μVrmsA加权空闲信道噪声 112.5dB SNR为1%THD + N(8Ω) 100dB PSRR,200 mV PP 纹波频率为20 - 20 kHz 83.5%效率为1 W (8Ω,VBAT = 4.2V) &lt; 1μAHW关断VBAT电流 扬声器电压和电流检测 VBAT跟踪峰值电压限制器,具有欠压预防 8 kHz至192 kHz采样率 灵活的用户界面 I 2 S /TDM:8通道(32位/96 kHz) I 2 < /sup> C:4个可选择的地址 MCLK免费操作 低流行并点...
发表于 01-08 17:51 465次 阅读
TAS2562 具有扬声器 IV 检测功能的数字输入单声道 D 类音频放大器

LM358B 双路运算放大器

LM358B和LM2904B器件是业界标准的LM358和LM2904器件的下一代版本,包括两个高压(36V)操作放大器(运算放大器)。这些器件为成本敏感型应用提供了卓越的价值,具有低失调(300μV,典型值),共模输入接地范围和高差分输入电压能力等特点。 LM358B和LM2904B器件简化电路设计具有增强稳定性,3 mV(室温下最大)的低偏移电压和300μA(典型值)的低静态电流等增强功能。 LM358B和LM2904B器件具有高ESD(2 kV,HBM)和集成的EMI和RF滤波器,可用于最坚固,极具环境挑战性的应用。 LM358B和LM2904B器件采用微型封装,例如TSOT-8和WSON,以及行业标准封装,包括SOIC,TSSOP和VSSOP。 特性 3 V至36 V的宽电源范围(B版) 供应 - 电流为300μA(B版,典型值) 1.2 MHz的单位增益带宽(B版) 普通 - 模式输入电压范围包括接地,使能接地直接接地 25°C时低输入偏移电压3 mV(A和B型号,最大值) 内部RF和EMI滤波器(B版) 在符合MIL-PRF-38535的产品上,除非另有说明,否则所有参数均经过测试。在所有其他产品上,生产加工不一定包括所有参数的测试。 所...
发表于 01-08 17:51 507次 阅读
LM358B 双路运算放大器

LP87565-Q1 具有集成开关的四相 8A + 8A 降压转换器

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...
发表于 01-08 17:51 267次 阅读
LP87565-Q1 具有集成开关的四相 8A + 8A 降压转换器

LM2902LV 行业标准、低电压放大器

LM290xLV系列包括双路LM2904LV和四路LM2902LV运算放大器。这些器件由2.7V至5.5V的低电压供电。 这些运算放大器可以替代低电压应用中的成本敏感型LM2904和LM2902。有些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品.LM290xLV器件在低电压下可提供比LM290x器件更佳的性能,并且功能耗尽。这些运算放大器具有单位增益稳定性,并且在过驱情况下不会出现相位反转.ESD设计为LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM规格。 LM290xLV系列采用行业标准封装。这些封装包括SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 适用于成本敏感型系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1mV < LI>共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1MHz的 低宽带噪声:40nV /√赫兹 低静态电流:90μA/通道 单位增益稳定 可在2.7V至5.5V的电源电压下运行 提供双通道和四通道型号< /li> 严格的ESD规格:2kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Voltage (Max) (+5V...
发表于 01-08 17:51 273次 阅读
LM2902LV 行业标准、低电压放大器

LP87561-Q1 具有集成开关的四相 16A 降压转换器

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...
发表于 01-08 17:51 292次 阅读
LP87561-Q1 具有集成开关的四相 16A 降压转换器