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电子发烧友网>存储技术>三星推出eUFS 3.1存储器,传输速度极快

三星推出eUFS 3.1存储器,传输速度极快

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2013-06-18 16:07:28

高价回收三星芯片,专业收购三星芯片

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2021-07-06 19:32:41

高价收购三星字库

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2021-02-23 17:54:12

高速SDRAM存储器接口电路设计

高速SDRAM存储器接口电路设计SDRAM可作为软嵌入式系统的(NIOSII)的程序运行空间,或者作为大量数据的缓冲区。SDRAM是通用的存储设备,只要容量和数据位宽相同,不同公司生产的芯片都是兼容
2019-06-03 05:00:07

SAN网络存储器传输速度

SAN网络存储器传输速度              传输速度通常是指光纤交换机的端口传输速度或光纤通道卡的传输速度。一般
2010-01-09 13:43:331814

三星发出速度极快的闪存#早资讯

密码锁Samsung三星行业资讯
新知录发布于 2022-11-08 14:57:44

三星宣布,将量产LPDDR5存储器颗粒,速度将比LPDDR4存储器快50%

LPDDR5 存储器的测试。市场预估,在三星推出 8GB LPDDR5 存储器之后,在 2019 年问世的三星 Galaxy S10 智能型手机要用 8GB LPDDR5 存储器应该也就是在计划中了。
2018-07-18 17:56:003077

三星首款可折叠屏手机搭载eUFS3.0闪存芯片,存储速度和性能全面提升

三星首款可折叠屏手机Galaxy Fold正式进入中国市场,Galaxy Fold搭载最新高通骁龙855处理器,12GBRAM+512ROM存储模式,配置由三星量产的全球首款eUFS3.0闪存芯片,性能全面提升,对于使用工作站或游戏爱好者等人群来说,存储速度提升一倍,带来极致体验。
2019-03-03 09:29:311040

三星电子宣布开始量产512GB封装容量的eUFS 3.1闪存 相较上一代写速提升200%

今日,三星电子宣布已开始量产512GB封装容量的eUFS 3.1闪存,可用于手机、平板等。
2020-03-17 11:45:262147

三星量产512GB eUFS 3.1芯片,写入速度是SATA硬盘的两倍以上

三星今日宣布开始量产512GB eUFS 3.1芯片,其连续写入速度超过1.2GB/s,是其前代产品写入速度的3倍。
2020-03-17 14:22:143065

三星eUFS 3.1芯片开始量产 写入速度快了三倍

现在,UFS 3.0芯片已经成为旗舰机的标配,不过未来我们在旗舰机上或许还能看到速度更快的芯片。今天,三星电子正式宣布已开始量产业界首款用于旗舰机的512GB eUFS 3.1芯片,与此前的三星eUFS 3.0芯片相比,eUFS 3.1芯片的写入速度是以前的三倍。
2020-03-17 14:46:252773

三星将大规模量产512GB eUFS 3.1芯片

3月18日消息,据国外媒体报道,三星电子日前公告称,该公司开始大规模量产512GB eUFS 3.1芯片,适用于旗舰智能手机。
2020-03-18 17:01:052534

三星宣布大规模投产512GB的eUFS 3.1储存芯片 读写速度较上一代更快

智能手机的运算能力越来越高,下载速度也越来越快,储存芯片的读写速度亦需要配合,才能发挥每个环节的最高效能。日前三星(Samsung)就宣布开始大规模投产512GB的eUFS 3.1储存芯片,它的特点就是其读写速度较上一代更快。
2020-03-21 10:06:272417

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