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中芯宁波200毫米特种工艺产线正式投产 多个项目动工

2018年11月02日 10:18 次阅读

作为宁波市集成电路产业“一园三基地”的重点园区,“芯港小镇”再次迎来重大发展机遇。今天上午,中芯宁波200毫米特种工艺(晶圆/芯片)N1产线正式投产,小镇内中芯宁波N2项目、南大光电与安集微电子也将正式动工。自去年开园以来,“芯港小镇”已签约落户14个集成电路企业项目,总投资200亿元。

宁波瞄准集成电路发展机遇,抢项目、争创新、扩规模,全市集成电路产业发展进入新拐点,一批支撑项目开工投产,取得明显效益。数据显示,今年前三季度,宁波市集成电路及相关产业完成工业总产值127.6亿元,同比增长9.8%;实现利润13.36亿元;实现利税16.48亿元。

60余个项目落户“芯光”照亮创业路

“目前,我们的设备正准备打包发往国内,如果一切顺利,预计明年9月可实现量产。”在近日举行的中国半导体材料和零部件创新发展大会上,已在国外生活、工作30余年的华菲难掩回国创业的激动之情。今年3月,看好宁波集成电路产业发展前景与氛围的华菲来到故土,并在余姚成立了宁波华芯电子科技有限公司。

华菲告诉笔者,在国内,小于100微米的高端半导体焊球以及高可靠性焊球的制造技术仍属空白。如果在甬发展顺利,她将加大投资,将研发及生产的触角伸至更多集成电路领域。

“芯港小镇”开园未满一年,便吸引了中科院宁波微电子应用研究院、集成电路材料和零部件联盟宁波产业促进中心等两个技术平台落户;宁波微电子创新产业园开园未满10个月,便成功吸引隔空智能、吉石智能等19个项目落户……

统计数据显示,今年以来,已有60余个集成电路项目相继落户甬城,总投资超300亿元。近期,某IDM集成电路项目也将落户甬城,与中芯宁波项目遥相呼应。这两个项目芯片制造技术达到世界领先水平,投产后有望全面替代进口,将为宁波市打造特色工艺集成电路产业基地打下坚实的基础,并将进一步推动宁波市集成电路产业上下游企业的集聚和发展。

加快创新步伐“强芯梦”前程可期

“自去年完成MCU芯片的自主研发以来,该芯片已实现量产,并被北汽、奇瑞等企业采用。目前,我们的新能源汽车电子管理芯片也已流片。”宁波芯路通讯科技有限公司负责人秦岭告诉笔者,目前他们已在车用传感器芯片上投入经费4000余万元,“集成电路的自主研发任重道远,需要企业协同发力。”

在浙江金瑞泓科技股份有限公司,自主研发也是该企业的重中之重。据金瑞泓项目总监涂洪浪介绍,全球硅片市场前六大公司的市场份额目前仍超过90%。虽然金瑞泓已形成月产10万片8英寸硅片的能力,产品国内市场占有率也已超过6成,但在国际市场的占有率仍不到1%。“国际市场占有率不足既是我国集成电路产业发展的动力也是挑战。”涂洪浪说,按照计划,金瑞泓今年年底前将进一步扩大产能,力争形成月产20万片8英寸硅片的能力。与此同时,该公司已基本掌握12英寸硅片的成套工艺。

集成电路产业技术门槛高、投资大、垄断多,突破与追赶并不容易。但可喜的是,宁波市集成电路企业正加码创新。数据显示,今年前三季度,宁波市集成电路企业技术研发费用达6.68亿元,与去年同期相比增长19.37%。

近一年来,宁波市已相继出台了《宁波市集成电路三年攻坚行动计划》《宁波市人民政府办公厅关于加快推进集成电路产业发展的实施意见》等政策,助力集成电路产业加速迈向高质量发展。

打通产业链优势产业逐浪“千亿级”

作为全球竞争最为激烈的战略性、基础性和先导性产业之一,集成电路产业在宁波市起步较早。从2000年“立立电子”6英寸单晶硅项目起步,历经18年发展培育,宁波市已形成一定规模的集成电路产业基础和应用市场,拥有半导体基础材料、集成电路设计、芯片制造、封装测试等较为完备的产业链,涌现了中芯宁波、江丰电子、康强股份、金瑞泓、甬矽电子等一批龙头企业。

如何在原先扎实的基础上,通过产业链的上下延伸,实现高质量发展是宁波市集成电路产业发展的关键。据介绍,今年以来,宁波市结合各区县(市)实际,布局或引进了一批泛半导体企业和项目,加快集成电路产业链上下延伸。在原有基础上,宁波市汽车电子芯片、大功率器件IGBT、智能家居芯片、SOC芯片设计以及高端封测、专用设备等产业链上下游企业相继落地,一批以模拟特色工艺为主的集成电路产业链项目正在抓紧对接。

与此同时,杭州湾新区光电子芯片项目、海曙区第三代化合物半导体制造项目、北仑区汽车芯片设计项目、象山新一代智能物联网SOC芯片项目等一批以模拟特色工艺为主的集成电路产业链项目也在抓紧对接中。

目前,宁波市正加大力度引进集成电路设计企业。按照计划,宁波市将发挥各区县(市)优势,着力引进和培育包括集成电路设计企业在内的一批龙头企业和核心团队,重点突破5G射频、人工智能、工业控制、车用芯片等关键核心技术,推动宁波市集成电路产业实现跨越发展,到2019年末,全市集成电路及相关行业产值突破300亿元,力争2025年全市集成电路及相关行业产值达到千亿级规模。

本文来源:宁波日报

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LM45 ±2°C 模拟输出温度传感器

LM45系列是精密集成电路温度传感器,其输出电压与摄氏(摄氏)温度成线性比例。 LM45不需要任何外部校准或微调,即可在室温下提供±2°C的精度,在整个-20至+ 100°C的温度范围内提供±3°C的精度。通过晶圆级的修整和校准确保低成本。 LM45的低输出阻抗,线性输出和精确的固有校准使得与读出或控制电路的接口特别容易。它可以与单个电源一起使用,也可以与正负电源一起使用。由于它的电源消耗仅为120μA,因此自然发热非常低,静止空气中的自热温度低于0.2°C。 LM45的额定工作温度范围为-20°至+ 100°C。 特性 直接以摄氏度(摄氏度)校准 线性+ 10.0 mV /°C比例因子 < li>±3°C精度保证 额定为-20°至+ 100°C范围 适用于远程应用 由于晶圆造成的低成本-Llevel Trimming 工作电压范围为4.0V至10V 电流消耗小于120μ 低自热,静止空气中为0.20°C 非线性仅±0.8°C最大温度 低阻抗输出,20 mA...

发表于 2018-09-17 16:30 65次阅读
LM45 ±2°C 模拟输出温度传感器

LM62 ±2°C 模拟输出温度传感器

LM62是一款精密集成电路温度传感器,可在+ 3.0V单电压下工作,检测0°C至+ 90°C温度范围供应。 LM62的输出电压与摄氏(摄氏)温度(+15.6 mV /°C)成线性比例,并具有+480 mV的直流偏移。偏移允许读取温度低至0°C而无需负电源。在0°C至+ 90°C的温度范围内,LM62的标称输出电压范围为+480 mV至+1884 mV。 LM62经过校准,可在室温和+ 2.5°C /-2.0°C范围内提供±2.0°C的精度,温度范围为0°C至+ 90°C。 LM62的线性输出,+ 480 mV偏移和工厂校准简化了在需要读取温度低至0°C的单电源环境中所需的外部电路。由于LM62的静态电流小于130μA,因此在静止空气中自热仅限于0.2°C。 LM62的关断功能是固有的,因为其固有的低功耗允许它直接从许多逻辑门的输出供电。 特性 校准线性比例因子+15.6 mV /°C 额定0°C至+ 90°C适用于远程应用的3.0V电压范围   关键规格 25°C±2.0或±3.0°时的精度C(最大) ...

发表于 2018-09-17 15:48 4次阅读
LM62 ±2°C 模拟输出温度传感器

LM235 模拟输出温度传感器,军用级,采用气密...

LM135系列是精密,易于校准的集成电路温度传感器。作为双端齐纳二极管,LM135的击穿电压与10 mV /°K时的绝对温度成正比。该器件的动态阻抗小于1Ω,工作电流范围为400μA至5 mA,性能几乎没有变化。在25°C下校准时,LM135在100°C温度范围内的误差通常小于1°C。与其他传感器不同,LM135具有线性输出。 LM135的应用包括几乎任何类型的温度检测,温度范围为-55°C至150°C。低阻抗和线性输出使得与读出或控制电路的接口特别容易。 LM135工作温度范围为-55°C至150°C,而LM235工作温度范围为?? 40° C至125°C的温度范围。 LM335的工作温度范围为-40°C至100°C。 LMx35器件采用密封TO晶体管封装,而LM335也采用塑料封装 特性 直接校准至开尔文温度   1°C初始准确度 工作电流范围为400μA至5 mA 小于1Ω动态阻抗 轻松校准 宽工作温度范围 200 °C超范围 低成本 ...

发表于 2018-09-13 14:35 17次阅读
LM235 模拟输出温度传感器,军用级,采用气密...

LOG2112 片上电压参考为 2.5V 的精密...

LOG112和LOG2112是多功能集成电路,可计算输入电流相对于参考电流的对数或对数比。 LOG112和LOG2112的V LOGOUT 被调整为每十倍输入电流0.5V,确保在宽动态范围的输入信号上具有高精度。 LOG112和LOG2112具有2.5V基准电压源,可用于使用外部电阻产生精密电流基准。 低直流偏移电压和温度漂移可在指定温度范围内精确测量低电平信号。 °C至+ 75°C。 特性 易于使用的完整功能 输出缩放放大器 片上2.5V电压参考 高精度:0.2%FSO超过5个十年 宽输入动态范围: 7.5十年,100pA至3.5mA 低电流电流:1.75mA 宽电源范围:±4.5V至±18V 封装:SO-14(窄)和SO-16 应用 日志,日志比率: 通信,分析,医疗,工业,测试,一般仪器 光电信号压缩放大器 模拟信号压缩模拟前后的模拟信号压缩-DIGITAL(A /D)转换器 吸光度测量 ...

发表于 2018-09-06 17:29 23次阅读
LOG2112 片上电压参考为 2.5V 的精密...

LMX2485Q-Q1 用于射频个人通信的汽车类...

LMX2485Q-Q1是一款带有辅助性整数N PLL的低功耗,高性能Δ-Σ分数N PLL。该器件采用TI高级工艺制造。 凭借Δ-Σ架构,低偏移频率下的分数杂波被推至回路带宽之外的更高频率。将杂波和相位噪声能量推至更高频率的能力是调制器阶数功能的直接体现。与模拟补偿不同,LMX2485Q-Q1采用的数字反馈技术对于温度变化和晶圆制造工艺变化的抗扰度较高.LMX2485Q-Q1Δ-Σ调制器经编程最高可达四阶,允许设计人员根据需要选择最优调制器阶数,从而满足系统对于相位噪声,杂波和锁定时间的要求。 对LMX2485Q-Q1进行编程的串行数据通过三线制高速(20MHz)MICROWIRE接口进行传输.LMX2485Q-Q1提供精确的频率分辨率,低杂波,快速编程以及改变频率的单字写入功能。这使其成为直接数字调制应用的理想选择。此类应用的N计数器通过信息直接调制.LMX2485Q-Q1采用4.0mm×4.0mm×0.8mm 24引脚超薄型四方扁平无引线(WQFN)封装。 特性 实现低分频系数分频的四模预分频器 射频(RF)锁相环(PLL ):8/9/12/13或16/17/20/21 中频(IF)PLL:8/9或16/17 < li>高级Δ-Σ分频补偿 12位或22位可选分频模量 最高可...

发表于 2018-08-06 17:13 149次阅读
LMX2485Q-Q1 用于射频个人通信的汽车类...

LMX2615-SP 具有相位同步功且支持 JE...

LMX2615-SP是一款高性能宽带锁相环(PLL),集成了电压控制振荡器(VCO)和稳压器,可输出40MHz的任何频率和没有倍频器的15 GHz,无需½谐波滤波器。此设备上的VCO覆盖整个八度音程,因此频率覆盖范围可达40 MHz。高性能PLL具有-236 dBc /Hz的品质因数和高相位检测器频率,可以实现非常低的带内噪声和集成抖动。 LMX2615-SP允许用户同步设备的多个实例的输出。这意味着可以从任何用例中的设备获得确定性阶段,包括启用分数引擎或输出分频器的设备。它还增加了对生成或重复SYSREF(符合JESD204B标准)的支持,使其成为高速数据转换器的理想低噪声时钟源。 该器件采用德州仪器制造?先进的BiCMOS工艺,采用64引脚CQFP陶瓷封装。 特性 辐射规格 单一事件闩锁> 120MeV-cm 2 /mg < /li> 总电离剂量达到100krad(Si) 40 MHz至15 GHz输出频率 -110 dBc /Hz相位采用15 GHz载波的100 kHz偏移噪声 8 GHz(100 Hz至100 MHz)时54 fs RMS抖动 可编程输出功率 PLL关键规格 品质因数:-236 dBc /Hz 归一化1 /f噪声:-129dBc /Hz 高达200 MHz相位检测器频率< /li> 跨多个设...

发表于 2018-08-03 17:56 64次阅读
LMX2615-SP 具有相位同步功且支持 JE...