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电子发烧友网>电源/新能源>宜普电源转换公司推出两款100V eGaN FET,为业界树立全新性能基准

宜普电源转换公司推出两款100V eGaN FET,为业界树立全新性能基准

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AD9272、AD9273s是两款什么样的芯片?真正的“单芯”是什么意思?如何去实现性能与功耗的平衡?
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过认证防辐射GPS电源IC 100V转12V

`深圳森利威尔电子的优势: 过认证防辐射GPS电源IC 100V转12V1.一站式服务:您节约时间和精力,帮助您提高工作效率。 2.售后服务网点:具有北京 深圳香港 ***4个大型服务网点,能及
2019-02-27 10:28:06

100电源管理集成电路大全,你想要的都在这了!

提高电源管理芯片精度和抗电磁干扰性能,结合降低电源待机功耗问题,设计了两款电路:一高精度CMOS带隙基准电压源电路。该电路能够为开关电源芯片提供高精度高稳定的基准电压,设计电压值1.25V.仿真
2020-07-23 15:04:30

钰泰半导体AC/DC控制芯片家族相继推出两款性能准谐振控制芯片ETA8047、

:1536764480ETA8049AC-DC60W适配器开关电源芯片P2P替代OB2263OB2273OB2281钰泰半导体AC/DC控制芯片家族相继推出两款性能准谐振控制芯片ETA8047、ETA8048后,现又推出通用型AC/DC控制器
2019-09-23 10:17:02

降压恒流芯片AP5167输入电压:8V~100V

AP5167 高效率、降压型、内置高压MOSFET 的恒流LED 驱动电路。AP5167 采用固定关断时间的峰值电流检测模式,最高输出电压可达 100V。芯片包括一个 PWM 调光脚,可以通过
2019-07-19 09:25:15

降压恒流芯片AP5167输入电压:8V~100V

AP5167 高效率、降压型、内置高压MOSFET 的恒流LED 驱动电路。AP5167 采用固定关断时间的峰值电流检测模式,最高输出电压可达 100V。芯片包括一个 PWM 调光脚,可以通过
2019-10-25 08:47:57

高压100V耐压降压IC升级SL3036H高压输出

100V降压IC,典型开关频率140KHz。轻载时会自动降低开关频率以获得高转换效率。SL3036H 内部集成软启动以及过温您好!我公司研发生产销售各类IC和MOS管,我司从事半导体行业多年,拥有
2019-03-19 16:27:57

高端100V电源IC降压12V全套过认证原理图

击穿的可能,另外SL3036S输出电流可以做到5V2A/12V2A,POE交换机IC分离器IC芯片SL3036是一支持宽100V电压输入的开关降压型DC-DC降压IC,芯片内置100V/5A功率MOS
2019-04-12 10:13:49

高精度100V电源降压IC模块供电12V2A低功耗

、SL3038等100V降压IC,已经在POE和GPS行业应用多年,各大厂商都有使用SL3036、SL3036H、SL3038等系列芯片。高精度100V电源降压IC模块供电12V2A低功耗我司是原厂,能
2019-04-10 14:57:41

LTC4444-5 100V同步MOSFET驱动器

凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 LTC4444-5 的高可靠性 (MP) 级新版本,该器件是一个高速、高输入电源电压 (100V)、同步 MOSFET 驱动器,以在同步整流转换器拓扑中驱动高端和
2008-12-09 02:33:471568

升特公司推出业界最小的升压转换

升特公司(Semtech)宣布为低压应用推出一款全新业界最小的升压转换器。 SC120、 SC121和 SC122三款转换器的输入电压可低至0.7V,输出电压可以在1.8V-5.0V之间调节,采用1.5x2mm超薄
2010-07-21 08:54:20783

ADI公司推出业界最快的250 MSPS16位ADC-AD9

ADI 公司全新的 AD9467继续为业界树立转换性能标准,推动雷达系统、频谱分析仪以及用于无线基础设施的多载波、多模式接收机设计不断进步。 北京2010年10月27日电-- Analog Device
2010-10-27 10:18:40629

ADI 公司宣布推出业界最快的250 MSPS16位 ADC

  - ADI 公司全新的 AD9467继续为业界树立转换性能标准,推动雷达系统、频谱分析仪以及用于无线基础设施的多载波、多模式
2010-10-27 18:37:25763

宜普电源推出EPC2001和EPC2015增强型氮化镓FET

宜普电源转换公司宣布推出EPC2001和EPC2015两种无铅且符合RoHS(有害物质限制条例)要求的增强型氮化镓 (eGaN) FET
2011-03-18 09:22:052162

美国国家半导体推出首款100V半桥栅极驱动器LM5113

美国国家半导体公司今天宣布,推出业界首款针对高压电源转换器的增强型氮化镓(GaN)功率场效应晶体管(FET)而优化的100V半桥栅极驱动器
2011-06-23 09:34:581650

宜普推出氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)EPC2012

宜普电源转换公司宣布推出第二代增强性能氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)系列中的最新成员——EPC2012。EPC2012具有环保特性、无铅、无卤化物以及符合RoHS(有害物质限制)条例。
2011-08-18 09:53:101681

宜普专为增强型eGaN FET打造全新EPC9005/EPC9006开发板

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出EPC9005/EPC9006 开发板 ,这种开发板能使用户更方便地使用宜普增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管设计产品。 EPC9005开发板 EPC9005开发板能使用户更方便地使用
2011-09-28 09:30:241206

eGaN FET与硅功率器件比拼之隔离型PoE-PSE转换

本章对采用eGaN FET原型设计的全稳压半砖式供电设备转换器与类似的MOSFET转换器进行了比较。与可比的先进商用转换器相比,eGaN FET原型工作在约高出两倍的开关频率时,性能可以得以充分发挥。与最接近的商用转换器相比,其输出功率可以高出100W。
2013-01-22 16:01:572415

TI推出业界首款 100 V 高压侧 FET 驱动器 可驱动高电压电池

近日,德州仪器(TI)推出了首款面向高功率锂离子电池应用的单芯片100V高压侧 FET 驱动器。该驱动器可提供先进的电源保护和控制。
2016-02-22 11:22:431165

EPC公司推出面向无线充电的全新开发板EPC9083

EPC公司推出全新开发板EPC9083 - 面向无线充电及激光雷达应用、采用200 V eGaN®FET、60 W E 类放大器拓扑,可以在高达15 MHz 频率下高效地工作。
2017-08-28 11:42:051563

采用eGaN FET的非隔离降压DC/DC转换器设计

例如,在本文中,我们将研究一个广泛的输入, 20采用EPC的eGaN FET(如EPC2001和EPC2021)在宽负载变化范围内设计的非隔离降压DC/DC转换器。此设计中使用的降压控制器
2019-03-20 09:26:001930

DN398-电信/汽车电源100V输入的直接高效DC/DC转换

DN398-电信/汽车电源100V输入的直接高效DC/DC转换
2021-04-16 08:03:501

LT8300演示电路-100V电源隔离反激转换器(22-75V至5V@0.25A)

LT8300演示电路-100V电源隔离反激转换器(22-75V至5V@0.25A)
2021-06-07 10:42:3619

简化 100V 宽输入电压电源转换

简化 100V 宽输入电压电源转换
2022-11-02 08:16:083

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