英飞凌科技推出全新600V CoolMOS P6 产品系列，专为提升系统效率及易于使用所设计，补足了专注提供顶尖效能（CoolMOS CP）及强调使用方便性（如 CoolMOS C6 或 E6）两者之间的技术区间。
2012-11-13 08:54:33
1677 更高密度的低功率SMPS设计需要越来越多的高压MOSFET器件。英飞凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出CoolMOS™ P7系列的新成员950 V CoolMOS P7超结MOSFET器件。
2018-08-27 14:15:536079 为满足电动汽车市场的需求，英飞凌推出了全新的650V CoolMOS™ SJ功率 MOSFET CFD7A系列。这一产品经过专门优化，可以满足电动汽车应用 （如车载充电器、HV-LV DC-DC 转换器和辅助电源）的要求。
2020-05-31 09:15:361509 高功率密度 → 更紧凑的设计CoolMOS CFD7A在硬开关和谐振开关拓扑中，尤其是轻负荷条件下具有较大改进，令效率更上一层楼。与之前几代产品相比，其在相同栅极损耗的水平下可实现更高的开关频率；而且这一产品组合极具前景，使CFD7A成为减少系统重量和空间以实现更紧凑设计的关键因素。
2023-09-12 10:46:36518 
随着新产品的发布，英飞凌完善了其600V/650V细分领域的硅基、碳化硅以及氮化镓功率半导体产品组合
2020-02-26 08:26:001315 ™ S7T产品系列。通过在系统中集成该系列半导体产品，可提升许多电子应用的耐用性、安全性和效率。CoolMOS™ S7T具有出色的导通电阻和高精度嵌入式传感器，最适合用于提高固态继电器（SSR）应用的性能
2023-12-19 15:22:26900 
意法半导体最先进的40V功率MOSFET可以完全满足EPS (电动助力转向系统)和EPB (电子驻车制动系统) 等汽车安全系统的机械、环境和电气要求。 这些机电系统必须符合汽车AEC Q101规范，具体而言，低压MOSFET必须耐受高温和高尖峰电流。
2019-08-09 07:28:08
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 08:19:34
这些超结快速恢复硅基功率MOSFET兼具超低恢复电荷（Qrr）和超快快恢复时间（trr），以及出色的品质因数（RDS(on) x Qg），能够为要求严苛的桥式拓扑和ZVS相移转换器带来极高的效率
2023-09-08 06:00:53
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 06:19:23
Parameter Symbol Value Unit TO-220F TO-220 TO-247 Drain-Source Voltage (VGS = 0V) VDSS 650 V
2021-04-06 11:35:02
SJ MOSFET是一种先进的高电压功率MOSFET，根据P&S的超结原理。报价设备提供了快速切换的所有好处并且导通电阻低，使其特别适用于需要更多高效，更紧凑，LED照明，高
性能适配器等。
2023-09-15 08:16:02
逆变器等中高功率领域，可显著的减少电路的损耗，提高电路的工作频率。 关断波形图（650V/10A产品） 650V/1200V碳化硅肖特基二极管选型
2020-09-24 16:22:14
2是Infineon CoolMOS CFD系列的第二代产品也是目前市场上第一颗650V并且带快恢复二极管的650V高压MOSFET。极低的Qrr和trr使得该MOSFET可以轻松的应对LLC硬关断时各种现象
2018-12-05 09:56:02
通电阻降低0.4 mΩ，同时大幅改进了电流处理功能。采用7引脚D2PAK封装的典型代表是IRFS3004-7PPBF。该MOSFET的额定电压为40 V，导通电阻为1.4 mΩ，漏电流(ID)为240
2019-05-13 14:11:31
mosfet里的jte结终端拓展是什么意思？
2017-12-05 10:03:10
lighting LED调光驱动芯片*NXP(PHILIPS)半导体系列快恢复二极管BYC8-600 : Rectifier diode ultrafast, 超快恢复19ns,8A/600V
2009-10-09 13:40:17
lighting LED调光驱动芯片*NXP(PHILIPS)半导体系列快恢复二极管BYC8-600 : Rectifier diode ultrafast, 超快恢复19ns,8A/600V
2009-10-09 13:55:30
=oxh_wx3、【周启全老师】开关电源全集http://t.elecfans.com/topic/130.html?elecfans_trackid=oxh_wx 超结功率MOSFET技术白皮书资料来自网络
2019-06-26 20:37:17
超级结MOSFET是与平面MOSFET相比，导通电阻和栅极电荷（Qg）显著降低的MOSFET。ROHM的600V超级结MOSFET具有高速、低噪声、高效率的特性，并已扩展为系列化产品，现已发展到
2018-12-05 10:00:15
COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE
2023-11-01 14:33:15
COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE
2023-11-01 14:33:09
COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE
2023-11-01 14:33:13
IPW65R080CFD - 650V CoolMOS CFD Power Transistor - Infineon Technologies AG
2022-11-04 17:22:44
IPW65R310CFD - 650V CoolMOS C6 CFD Power Transistor - Infineon Technologies AG
2022-11-04 17:22:44
IPW65R420CFD - 650V CoolMOS C6 CFD Power Transistor - Infineon Technologies AG
2022-11-04 17:22:44
IPW65R660CFD - 650V CoolMOS CFD Power Transistor - Infineon Technologies AG
2022-11-04 17:22:44
IPX65R310CFD - 650V CoolMOS C6 CFD Power Transistor - Infineon Technologies AG
2022-11-04 17:22:44
Imagination全新BXS GPU助力德州仪器汽车处理器系列产品实现先进图形处理功能
2020-12-16 07:04:43
超级结MOSFET是与平面MOSFET相比，导通电阻和栅极电荷（Qg）显著降低的MOSFET。ROHM的600V超级结MOSFET具有高速、低噪声等特征，并已扩展为系列化产品，现已发展到第二代。非常
2018-12-04 10:17:20
的设计而言，它大幅降低了MOSFET导通电阻，并保持了出色的开关性能。 英飞凌推出的OptiMOS 3系列进一步改进了设计，使更高电压等级的器件能够受益于这种技术。在150 V 至250 V的电压
2018-12-07 10:21:41
；TSD5N60MTruesemi 其它相关产品请 点击此处 了解特性：3.0A，650V，最大RDS（on）= 3.0Ω@ VGS = 10V低栅极电荷（典型值为16nC）快速切换经过100％雪崩测试改进的dv/dt功能主要参数：应用：高效开关模式电源，基于半桥拓扑的有源功率因数校正`
2020-04-30 15:13:55
lighting LED调光驱动芯片*NXP(PHILIPS)半导体系列快恢复二极管BYC8-600 : Rectifier diode ultrafast, 超快恢复19ns,8A/600V
2009-10-09 13:58:14
：不含卤素，符合 IEC 61249-2-21 规定TrenchFET® 功率 MOSFET典型 ESD 保护:800V符合 AEC-Q101经 100% Rg 和 UIS 测试VDS(V)：-60VID(A):-2.9应用：车载/汽车电子`
2019-07-09 17:30:39
Xilinx_A7_K7_V7系列Cadence符号库及PCB库
2021-01-28 06:39:41
CoolMOS，这种结构从学术上来说，通常称为超结型功率MOSFET。图3：内建横向电场的SuperJunction结构垂直导电N+区夹在两边的P区中间，当MOS关断时，形成两个反向偏置的PN结：P和垂直导电
2017-08-09 17:45:55
MOSFET的高性能BM2Pxxx系列，可解决AC/DC转换器设计的课题。BM2Pxxx系列的产品阵容有24种机型。由“封装”、“内置MOSFET的导通电阻”、“AC电压过低时保护（BR：欠压保护）”、“VCC
2018-12-04 10:08:00
低内阻超结MOS NCE08N608A 600V内阻600豪欧封装TO-220 TO-251TO-252
2012-08-10 16:43:26
应用可能需要一个额定漏源电压为20 V 的MOSFET，而汽车应用可能需要一个额定漏源电压为60 V的MOSFET。最大结温对MOSFET的可靠性很重要，且一定不可超越。这是决定采用哪个MOSFET用于
2018-10-18 09:13:03
目前已在锂电池充电器中做了实验，输出为48V，2A的充电器。效率可达90%。有需要试用的可以发站内信联系我！基本参数为650V，20A，Rdson160毫欧姆。
2010-12-31 15:00:21
：www.ncepower.com。欢迎大家查看。目前我司已经量产的Super junction有以下几类：650V 25A/11A/7A/4ATO220/TO247600V 25A/11A/7A/4ATO220
2011-01-05 09:49:53
- STGIPNxH60y, STGIPQxH60y · 超结MOSFET: 3/5 A、600V 内置快速恢复二极管N沟道 MDMesh? DM2 功率MOSFET - STIPQxM60y 从这两项技术
2018-11-20 10:52:44
CoolMOSCFD/CFD7系列的Qrr比上一代CoolMOS CFD改进了十倍，但CoolSiC的Qrr参数再比CoolMOS CFD/CFD7的Qrr又降低了五到十倍。这意味着，通过使用48mΩCoolSiC
2023-03-14 14:05:02
基于CFD 的汽车外流场数值模拟的发展概述摘要: 介绍了国内外在应用计算流体力学(Calculation Fluid Dynamics) 对车身外流场数值模拟的研究发展状况。如今, 国外CFD 软件
2010-03-18 22:20:11
本文重点介绍为电源用高压超结MOSFET增加晶圆级可配置性的新方法。现在有一种为高压超结MOSFET增加晶圆级可配置性的新方法，以帮助解决电源电路问题。MOSFET 在压摆率、阈值电压、导通电
2023-02-27 10:02:15
电压范围为 250 至 450V。基于650V 60mohm SiC MOSFET C3M0060065D工程样品构建了原型，验证了设计的性能和热完整性。该原型展示了 54 W/in3 的功率密度和充电
2023-02-27 09:44:36
半导体阵容的包括用于主逆变器的650 V至1200V IGBT、1200 V SiC二极管、用于充电器的650 V超级结MOSFET、用于48V系统的80 V至200 V极低RDSon（< 1m
2018-10-25 08:53:48
2015年2月全新悄然上市，搭载基于AMD 最新桌面APU A8系列芯片、与技嘉深度合作定制的专属主板M1M3XAP，尺寸为10cm×10cm，内建 AMD A8-5545M APU 四核心处理器，使用技嘉
2015-03-10 16:56:21
=100 kHz,测试器件：具备相同硅芯片的IPW65R019C7（TO247）和IPZ65R019C7（TO247 4引脚） V.结语 本文分析了快速开关MOSFET封装寄生电感对开关性能
2018-10-08 15:19:33
采用沟槽型、低导通电阻碳化硅MOSFET芯片的半桥功率模块系列 产品型号 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽车级全碳化硅半桥MOSFET模块Pcore2
2023-02-27 11:55:35
纳芯微全新推出120V半桥驱动NSD1224系列产品，该系列产品具备3A/-4A的峰值驱动电流能力，集成 高压自举二极管 ，提供使能、互锁、欠压保护不同版本，有SOP8、HSOP8、DFN10
2023-06-27 15:14:07
本帖最后由 3T华钻电子 于 2020-9-22 17:05 编辑
新洁能原厂 NCE65T360F 650V 11A TO-220F 超结场效应管 ，原装正品，优势价格。深圳市华钻电子
2019-12-31 15:08:03
灵动微电子量身定制IoT专用MCU
2021-01-27 07:30:03
。在今年 7 月的 PCIM（电力元件、可再生能源管理展览会）虚拟展位上，展示了采用CoolSiC™汽车 MOSFET 技术的 EasyPACK™模块，即 1200V/8mΩ(150A)的半桥模块
2021-03-27 19:40:16
＜概要＞全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都）推出600V耐压超级结 MOSFET“PrestoMOS”系列产品，在保持极快反向恢复时间（trr※1））的同时，提高设计灵活度，非常适用于
2020-03-12 10:08:31
＜概要＞全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都）推出600V耐压超级结 MOSFET“PrestoMOS”系列产品，在保持极快反向恢复时间（trr※1））的同时，提高设计灵活度，非常适用于
2020-03-12 10:08:47
高速公路服务区的重要基础设施，确保电动汽车在日常驾驶和长途旅行中有地方充电。 安森德ASDsemi SJ MOSFET系列产品，通过优化器件结构设计，采用先进的工艺制造技术，进一步提高了产品性能，具有
2023-06-13 16:30:37
/600v-coolmos-n-channel-power-mosfet/IPW60R041C6/productType.html?productType=db3a304426e7f13b0127f2050dcb45ac 如何才能获取到这个芯片的中文资料呢？
2020-05-15 05:55:54
从本篇开始，介绍近年来MOSFET中的高耐压MOSFET的代表超级结MOSFET。功率晶体管的特征与定位首先来看近年来的主要功率晶体管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率与频率
2018-11-28 14:28:53
的MOSFET设计了一种商标CoolMOS，这种结构从学术上来说，通常称为超结型功率MOSFET。图3：内建横向电场的SuperJunction结构垂直导电N+区夹在两边的P区中间，当MOS关断
2018-10-17 16:43:26
负载供电。 值得一提的是， CoolMOS™ E6——作为英飞凌推出的第六代市场领先的高压超级结功率MOSFET，可以视作英飞凌不断创新的工匠精神和数年沉淀的行业经验的集大成之作。作为业内领先的超结
2017-04-12 18:43:19
650V IGBT4，旨在提供更大的设计自由度。这款全新的IGBT4器件具备更好的关断软度，并且由于关断电流变化率di/dt的降低，带来了更低的关断电压尖峰。该器件专门设计用于中高电流应用。相对于
2018-12-07 10:16:11
500V类似于COOLMOS的内部结构，使500V，12A的MOSFET 可封装在TO-220管壳内，导通电阻为0.35Ω，低于IRFP450的0.4Ω，电流额定值与IRFP450相近。IXYS也有
2023-02-27 11:52:38
摘要新一代CoolMOS™ 650V CFD2技术为具备高性能体二极管的高压功率MOSFET树立了行业新杆标。该晶体管将650V的击穿电压、超低通态电阻、低容性损耗特性与改进反向恢复过程中的体二极管
2018-12-03 13:43:55
（800V）【低噪声SJ MOSFET：EN系列】R60xxENx系列（600V）R65xxENx系列（650V）*开发中【高速SJ MOSFET：KN系列】R60xxKN系列（600V）R65xxKNx
2018-12-03 14:27:05
Gate Charge (typ. Qg = 13.6nC)• 100% avalanche tested骊微电子供应SSF65R650S2场效应管超结MOS，
2022-04-25 11:21:58
供应士兰微超结MOS SVSP35NF65P7D3耐压650V35A ，适用于硬/软开关拓扑，更多产品手册、应用料资请向士兰微MOS管一级代理骊微电子申请。>>
2022-05-18 16:25:36
SVS11N65DD2 650V11A超结大功率mos器件，提供SVS11N65DD2关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向士兰微mos代理骊微电子申请。>>
2022-08-30 16:37:08
SVSP35NF65P7D3 超结MOS管国产35A,650V，适用于硬/软开关拓扑，更多产品手册、应用料资请向士兰微MOS管一级代理骊微电子申请。>>
2022-09-06 14:54:50
SVSP65R041P7HD4 70A，650V 高压超结mos管，提供SVSP65R041P7HD4关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向士兰微mos代理骊微电子申请。>>
2022-09-19 14:56:39
供应SVS7N65FJD2 7A,650V 超结MOS管国产-士兰微mos管，适用于硬/软开关拓扑，照明，适配器等领域，更多产品手册、应用料资请向士兰微MOS管一级代理骊微电子申请。>>
2022-11-02 14:34:47
供应无锡士兰微mos管SVS11N65FJD2 11A,650V高压超结mos管，适用于硬/软开关拓扑，照明，适配器等领域，更多产品手册、应用料资请 向士兰微MOS管一级代理骊微电子申请。>>
2022-11-02 15:06:39
供应超晶结mos管SVSP11N65DD2 11A,650V ，提供SVSP11N65DD2士兰微mos管选型pdf关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向士兰微mos代理骊微电子申请。>>
2022-11-02 15:16:07
供应杭州士兰微mos SVS14N65FJD2超结mos 14A,650V ，适用于硬/软开关拓扑，照明，适配器等领域，更多产品手册、应用料资请向士兰微MOS管一级代理骊微电子申请。>>
2022-11-02 15:40:20
供应600V20A超结MOS士兰微SVS20N60FJD2，提供士兰微超结MOS SVS20N60FJD2关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向士兰微mos代理骊微电子申请。>>
2022-11-02 15:51:08
华润微coolMOS / CRJF390N65GC_TO220F / 650V11A / 390mΩ 现货供应 CRJF390N65GCSJMOS N-MOSFET 650V
2022-12-16 22:00:21
华润微coolMOS 现货供应 CRJF290N65G2_TO220F650V15A240mΩ
2022-12-27 22:15:06
华润微CRJD380N65G2_TO-252超结MOS 内阻330mΩ 650V12A 华润华晶coolMOS 现货供应
2023-01-05 16:09:28
Toshiba推出高性能功率MOSFET TK系列
Toshiba推出新系列的功率MOSFET，这些功率MOSFET改善效率和具有快速开关速度，应用工作电压高达650V, 电流20A。新的TK系列器件适合用于各
2010-03-30 10:37:181447 英飞凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。该产品系列将现代超级结（SJ）器件的优势（如低导通电阻和低容性开关损耗）与轻松控制的开关行为、及
2010-07-05 08:48:261672 英飞凌新一代CoolMOS CFD2器件具备最低的通态电阻和高达650V的阻断电压。这种的器件还具备极低的反向恢复电荷和结实耐用的内置体二极管。数据表规范中将提供全新的Qrr和trr最大值。
2011-02-14 09:04:423956 
英飞凌目前正推出另一项重要的创新型高压CoolMOS MOSFET。这种全新的650V CoolMOS CFD2是全球首款具备650V漏源电压并集成快速体二极管的高压晶体管。
2011-02-16 09:11:171845 英飞凌科技股份有限公司扩展其车用功率半导体系列产品，推出全新 650V CoolMOS CFDA。这是业界首创整合高速本体二极体技术的超接面 MOSFET 解决方案，符合最高的汽车认证标準 AEC-Q101。
2012-04-05 09:31:021458 由lnfineon Technologies (IT)公司推出的COOLMOS ICE2A165／2,65／365系列芯片是PWM+MOSFET二合一芯片，其优点是：用它做开关电源，无需加散热器，在通用电网即可输出20～50W 的功率；保护功能齐全
2012-06-20 16:43:40
34 e络盟日前宣布新增来自全球半导体和系统解决方案领先提供商英飞凌的CoolMOS™与OptiMOS™系列产品，进一步扩充其功率MOSFET产品组合。
2015-03-02 17:37:381390 CIPOS Mini IPM分别为两相和三相桥接器，集成了Infineon CoolMOS CFD2 650 V功率MOSFET和经过优化的SOI栅极驱动器，拥有出色的电气性能。
2018-07-03 10:24:00778 最新CoolMOS系列MOSFET独特的封装技术，在采用了表面贴装的ThinPAK后极可实现600伏的电压。另外，张建浩先生还就使用表面贴装MOS管提出了建议，即在PCB板上以打孔的方式，实现散热功能。
2018-06-26 16:48:007652 Infineon公司CoolMOS™系列一直是行业标杆， 从跨时代意义的CoolMOS™ C3到升级版的 CoolMOS™ C6、 CoolMOS™ C7、CoolMOS™ P6、 CoolMOS
2018-09-06 15:54:256753 以600V的IPW60R070CFD7为例，我们从下图显示的应用测量结果也可以看出，最新的CoolMOS CFD7系列功能在谐振开关拓扑结构中可显著提高效率。CoolMOS CFD7系列与市场上
2019-09-24 14:22:322579 
650V CoolMOS CFDA功率MOSFET这种全新解决方案兼具快速开关超结MOSFET的所有优点：更高的轻载效率、更低的栅极电荷、更低的开关损耗、更易使用以及卓越可靠性等。
2019-09-25 10:20:429102 
英飞凌宣布推出650V SiC MOSFET，标志着公司进一步增强了在低压SiC领域的布局，650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:504267 新款 650 V器件扩展了声誉卓越的 CoolMOS CFD7 系列的电压范围，且为 CoolMOS CFD2 的后继产品。
2020-10-09 15:28:261168 MathWorks面向汽车应用开发的量身定制工具说明。
2021-05-31 11:26:318 650V 60mΩ SiC MOSFET主要应用市场包括光伏和储能、驱动、电动汽车及充电桩、UPS、电源等。据HIS报告，电动汽车充电市场的增长将非常强劲，高达59%。
2022-08-02 15:06:55614 
CoolMOS™ CFD7 是英飞凌最新具有集成快速体二极管的高压 superjunction MOSFET 技术，补全了 CoolMOS™ 7 系列。
2022-09-30 17:09:321182 上一章基于ROHM的SJ-MOSFET产品阵容，以标准AN系列、低噪声EN系列、高速KN系列为例介绍了SJ-MOSFET的特征。
2023-02-10 09:41:01401 
继先后推出成熟化的全系列碳化硅二极管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模块产品后，2023年7月 森国科正式对外推出650V超结MOSFET系列新品 ，相较于传统的功率MOSFET，SJMOSFET具有
2023-07-20 11:09:16638 
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