碳化硅SiC MOSFET的阈值电压稳定性相对Si材料来讲，是比较差的，对应用端的影响也很大。
2023-05-30 16:06:18
1173 
碳化硅（SiC），通常被称为金刚砂，是唯一由硅和碳构成的合成物。虽然在自然界中以碳硅石矿物的形式存在，但其出现相对罕见。然而，自从1893年以来，粉状碳化硅就已大规模生产，用作研磨剂。碳化硅在研磨领域有着超过一百年的历史，主要用于磨轮和多种其他研磨应用。
2023-09-08 15:24:02887 
。尤其在高压工作环境下，依然体现优异的电气特性，其高温工作特性，大大提高了高温稳定性，也大幅度提高电气设备的整体效率。 产品可广泛应用于太阳能逆变器、车载电源、新能源汽车电机控制器、UPS、充电桩、功率电源等领域。 1200V碳化硅MOSFET系列选型
2020-09-24 16:23:17
极快反向恢复速度的600V-1200V碳化硅肖特基二极管芯片及成品器件 。海飞乐技术600V碳化硅二极管现货选型相比于Si半导体材料，SiC半导体材料具有禁带宽度较大、临界电场较大、热导率较高的特点，SiC
2019-10-24 14:25:15
不变。这是由于碳化硅肖特基二极管是单极器件，没有少数载流子注入和自由电荷的存储。在恢复瞬态，所涉及的电荷只有结耗尽区电荷，而且它比相同结构的Si器件结耗尽区电荷至少小一个数量级。这对于要求工作于高阻断
2020-09-24 16:22:14
。碳化硅与Si相比，SiC具有： 1.导通电阻降低两个数量级2.电源转换系统中的功率损耗较少3.更高的热导率和更高的温度工作能力4.由于其物理特性固有的材料优势而提高了性能 SiC在600 V和更高
2022-08-12 09:42:07
SIC碳化硅二极管
2016-11-04 15:50:11
，为2.2MV/cm，而硅是0.25MV/cm。可以进一步地提高碳化硅半导体的掺杂浓度，从而降低它的宽度，而这个宽度是与阻断电压呈正比。这就意味着，相对于硅基的二极管，碳化硅二极管的阻抗会明显降低
2019-01-02 13:57:40
基于碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽带隙(WBG)半导体的新型高效率、超快速功率转换器已经开始在各种创新市场和应用领域攻城略地——这类应用包括太阳能光伏逆变器、能源存储、车辆电气化（如充电器
2019-07-31 06:16:52
基于SiC/GaN的新一代高密度功率转换器SiC/GaN具有的优势
2021-03-10 08:26:03
SiC碳化硅MOS驱动的PCB布局方法解析:在为任一高功率或高电压系统设计印刷电路板 (PCB) 布局时，栅极驱动电路特别容易受到寄生阻抗和信号的影响。对于碳化硅 (SiC) 栅极驱动，更需认真关注
2022-03-24 18:03:24
与硅相比，SiC有哪些优势？SiC器件与硅器件相比有哪些优越的性能？碳化硅器件的缺点有哪些？
2021-07-12 08:07:35
250V左右。对于能够耐受500～600V以上反向电压要求，人们开始使用碳化硅(SiC)制造器件，因为它能够耐受较高的电压。 除此以外的器件参数均相当于或优于硅肖特基二极管。详见表2。 由于SiC器件的成本较高(是同类硅器件的3～5倍)，除非性能上要求非用不可，还没有用它来替代硅功率器件。`
2019-01-11 13:42:03
。 功率半导体就是这样。在首度商业化时，碳化硅的创新性和较新的颠覆性技术必然很昂贵，尽管认识到了与硅基产品（如IGBT和Si-MOSFET）相比的潜在优势，大多数工程师还是把它放在了“可有可无”的清单
2023-02-27 14:28:47
讨论一下SiC器件。 碳化硅，不那么新的材料 第一次记录在案的SiC材料实验是在1849年左右，这种材料已经广泛用于防弹背心或磨料。IGBT的发明者之一早在1993年就讨论了与硅（Si）器件相比
2023-02-24 15:03:59
5G将于2020年将迈入商用，加上汽车走向智慧化、联网化与电动化的趋势，将带动第三代半导体材料碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)的发展。根据拓墣产业研究院估计，2018年全球SiC基板产值将达1.8
2019-05-09 06:21:14
应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员！附件是海飞乐技术碳化硅二极管选型表，欢迎大家选购！碳化硅（SiC）半导体材料是自第一代元素半导体材料（Si、Ge）和第二代化合物半导体材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
200V，但是碳化硅肖特基二极管能拥有较短恢复时间实践，同时在正向电压也减少，耐压也大大超过200V，典型的电压有650V、1200V等，另外在反向恢复造成的损耗方面碳化硅肖特基二极管也有很大优势。在
2020-06-28 17:30:27
碳化硅圆盘压敏电阻 |碳化硅棒和管压敏电阻 | MOV / 氧化锌 （ZnO） 压敏电阻 |带引线的碳化硅压敏电阻 | 硅金属陶瓷复合电阻器 |ZnO 块压敏电阻 关于EAK碳化硅压敏电阻我们
2024-03-08 08:37:49
进一步了解碳化硅器件是如何组成逆变器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我们来聊聊碳化硅器件的特点
2021-03-16 08:00:04
92%的开关损耗，还能让设备的冷却机构进一步简化，设备体积小型化，大大减少散热用金属材料的消耗。半导体LED照明领域碳化硅（SiC）在大功率LED方面具有非常大的优势，采用碳化硅（SiC）陶瓷基板
2021-01-12 11:48:45
在设计功率转换器时，碳化硅（SiC）等宽带隙（WBG）技术现在是组件选择过程中的现实选择。 在设计功率转换器时，碳化硅（SiC）等宽带隙（WBG）技术现在是组件选择过程中的现实选择。650V
2023-02-23 17:11:32
碳化硅的颜色，纯净者无色透明，含杂质(碳、硅等)时呈蓝、天蓝、深蓝，浅绿等色，少数呈黄、黑等色。加温至700℃时不褪色。金刚光泽。比重,具极高的折射率, 和高的双折射，在紫外光下发黄、橙黄色光，无
2019-07-04 04:20:22
硅与碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗称金刚砂。SiC 在自然界中以矿物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不过，自1893 年以来，粉状碳化硅已被大量生产用作研磨剂。碳化硅用作研磨剂已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作为现在比较好的材料，为什么应用的领域会受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
碳化硅（SiC）是比较新的半导体材料。一开始，我们先来了解一下它的物理特性和特征。SiC的物理特性和特征SiC是由硅(Si)和碳(C)组成的化合物半导体材料。其结合力非常强，在热、化学、机械方面都
2018-11-29 14:43:52
01 碳化硅材料特点及优势 碳化硅作为宽禁带半导体的代表性材料之一，其材料本征特性与硅材料相比具有诸多优势。以现阶段最适合用于做功率半导体的4H型碳化硅材料为例，其禁带宽度是硅材料的3倍
2023-02-28 16:55:45
，能够有效降低产品成本、体积及重量。 碳化硅具有载流子饱和速度高和热导率大的特点，应用开关频率可达到1MHz，在高频应用中优势明显，其中碳化硅肖特基二极管（SiC JBS）耐压可以达到6000V以上
2023-02-28 16:34:16
二十世纪五十年代后半期，才被纳入到固体器件的研究中来。二十世纪九十年代，碳化硅技术才真正意义上得到了迅速发展。SiC材料与目前应该广泛的Si材料相比，较高的热导率决定了其高电流密度的特性，较高的禁带宽
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驱动芯片有几款,型号是什么
2020-03-05 09:30:32
具有明显优势。技术发展成熟后，硅基氮化镓将受益于非常低的硅成本结构，与目前碳化硅基氮化镓比其晶圆成本只有百分之一，因为与硅工艺相比，碳化硅晶体材料的生长速度要慢200至300倍，还有相应的晶圆厂设备折旧
2017-08-30 10:51:37
不同，MACOM氮化镓工艺的衬底采用硅基。硅基氮化镓器件既具备了氮化镓工艺能量密度高、可靠性高等优点，又比碳化硅基氮化镓器件在成本上更具有优势，采用硅来做氮化镓衬底，与碳化硅基氮化镓相比，硅基氮化镓晶元尺寸
2017-09-04 15:02:41
TGF2023-2-05碳化硅晶体管产品介绍TGF2023-2-05报价TGF2023-2-05代理TGF2023-2-05TGF2023-2-05现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司T
2018-11-15 11:52:42
TGF2954碳化硅晶体管产品介绍TGF2954报价TGF2954代理TGF2954TGF2954现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司TGF2954是离散的5.04毫米GaN-on-SiC
2018-11-15 14:01:58
TGF2955碳化硅晶体管产品介绍TGF2955报价TGF2955代理TGF2955TGF2955现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司TGF2955是离散的7.56毫米GaN-on-SiC
2018-11-15 14:06:57
新的TO-247-4封装的碳化硅MOSFET模型 新的TO-247-4封装的碳化硅MOSFET模型如图2所示，我们发现这种封装的管脚数及其管脚定义发生了很大的变化。相对于TO-247-3，这种封装多了一个S
2023-02-27 16:14:19
）------------------------------------------------------------------------------------------------会议主题：罗姆 SiC（碳化硅）功率器件的活用直播时间：2018
2018-07-27 17:20:31
，利用SiC MOSFET来作为永磁同步电机控制系统中的功率器件，可以降低驱动器损耗，提高开关频率，降低电流谐波和转矩脉动。本项目中三相逆变器拟打算使用贵公司的SiC MOSFET，验证碳化硅功率器件
2020-04-21 16:04:04
我国“新基建”的各主要领域中发挥重要作用。
一、 SiC的材料优势
碳化硅（SiC）作为宽禁带材料相较于硅（Si）具有很多优势，如表1所示：3倍的禁带宽度，有利于碳化硅器件工作在更高的温度；10倍
2023-10-07 10:12:26
方形，通过两个晶格常数（图中标记为a 和c）来表征。GaN 晶体结构在半导体领域，GaN 通常是高温下（约为1,100°C）在异质基板（射频应用中为碳化硅[SiC]，电源电子应用中为硅[Si]）上通过
2019-08-01 07:24:28
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的结构是如何构成的？
2021-06-18 08:32:43
无不积极研发经济型高性能碳化硅功率器件，例如Cascode结构、碳化硅MOSFET平面栅结构、碳化硅MOSFET沟槽栅结构等。这些不同的技术对于碳化硅功率器件应用到底有什么影响，该如何选择呢？首先
2022-03-29 10:58:06
传统的硅组件、碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)伴随着第三代半导体电力电子器件的诞生，以碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)为代表的新型半导体材料走入了我们的视野。SiC和GaN电力电子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
，在这些环境中，传统的硅基电子设备无法工作。碳化硅在高温、高功率和高辐射条件下运行的能力将提高各种系统和应用的性能，包括飞机、车辆、通信设备和航天器。今天，SiC MOSFET是长期可靠的功率器件。未来，预计多芯片电源或混合模块将在SiC领域发挥更重要的作用。
2022-06-13 11:27:24
能动力碳化硅二极管ACD06PS065G已经在倍思120W氮化镓快充中商用，与纳微GaNFast高频优势组合，高频开关减小磁性元件体积，提高适配器功率密度。创能动力是香港华智科技有限公司孵化出来的公司
2023-02-22 15:27:51
降低到75%。 表 2：SEMITRANS 3 完整碳化硅案例研究 只有使用硅或碳化硅电源模块才能用基于TO器件的电源设计取代耗时的生产流程。SiC的特定特性需要优化换向电感和热性能。因此，可以提高性价比，并充分利用SiC的优势，使应用受益。
2023-02-20 16:29:54
的影响非常大。使用碳化硅肖特基二极管后，可以显著降低IGBT的开通损耗和总损耗，基本半导体碳化硅混合分立器件的开通损耗相对于Si IGBT降低55%，总损耗降低33%。另外，混合碳化硅分立器件的反并联
2023-02-28 16:48:24
，碳化硅MOSFET比硅MOSFET具有更多的优势，但代价是在某些方面参数碳化硅MOSFET性能比较差。这就要求设计人员需要花时间充分了解碳化硅MOSFET的特性和功能，并考虑如何向新拓扑架构过渡。有一点
2023-03-14 14:05:02
对于高压开关电源应用，碳化硅或SiC MOSFET带来比传统硅MOSFET和IGBT明显的优势。在这里我们看看在设计高性能门极驱动电路时使用SiC MOSFET的好处。
2018-08-27 13:47:31
，工作结温可达175℃，与传统硅基模块具有相同的封装尺寸，可在一定程度上替代相同封装的IGBT模块，从而帮助客户有效缩短产品开发周期，提高工作效率。 产品特点 沟槽型、低RDS（on） 碳化硅
2023-02-27 11:55:35
摘要： 碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作为一种宽禁带器件，具有耐高压、高温，导通电阻低，开关速度快等优点。如何充分发挥碳化硅器件的这些优势性能则给封装技术带来了新的挑战
2023-02-22 16:06:08
新型材料铝碳化硅解决了封装中的散热问题，解决各行业遇到的各种芯片散热问题，如果你有类似的困惑，欢迎前来探讨，铝碳化硅做封装材料的优势它有高导热，高刚度，高耐磨，低膨胀，低密度，低成本，适合各种产品的IGBT。我西安明科微电子材料有限公司的赵昕。欢迎大家有问题及时交流，谢谢各位！
2016-10-19 10:45:41
的门槛变得越来越低，价格也在逐步下降，应用领域也在慢慢扭转被海外品牌一统天下的局面。据统计，目前国内多家龙头企业已开始尝试与内资品牌合作。而SiC-MOSFET, 当前国内品牌尚不具备竞争优势。碳化硅
2019-09-17 09:05:05
硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动两者电气参数特性差别较大，碳化硅MOSFET对于驱动的要求也不同于传统硅器件，主要体现在GS开通电压、GS关断电压、短路保护、信号延迟和抗干扰几个方面，具体如下
2023-02-27 16:03:36
，同时在正向电压也减少，耐压也大大超过200V，典型的电压有650V、1200V等，另外在反向恢复造成的损耗方面碳化硅肖特基二极管也有很大优势。在开关电源输出整流部分如果用碳化硅肖特基二极管可以用实现
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蚀技术去刻蚀碳化硅，采用的是ICP系列设备，刻蚀气体使用的是SF6+O2，碳化硅上面没有做任何掩膜，就是为了去除SiC表面损伤层达到表面改性的效果。但是实际刻蚀过程中总是会在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
IGBT 的三相电机半桥的高侧和低侧功率级，并能够监控和保护各种故障情况。图1：电动汽车牵引逆变器框图碳化硅 MOSFET 米勒平台和高强度栅极驱动器的优势特别是对于SiC MOSFET，栅极驱动器IC
2022-11-02 12:02:05
蓝宝石（Al2O3）,硅 (Si),碳化硅（SiC）LED衬底材料的选用比较
对于制作LED芯片来说，衬底材料的选用是首要考虑的问题。应该采用
2009-11-17 09:39:204931 碳化硅(SiC)基地知识
碳化硅又称金钢砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料
2009-11-17 09:41:491240 硅与碳的唯一合成物就是碳化硅 （SiC），俗称金刚砂。 SiC 在自然界中以矿物碳硅石的形式存在，但十分稀少。 不过，自 1893 年以来，粉状碳化硅已被大量生产用作研磨剂。 碳化硅用作研磨剂已有一百多年的历史，主要用于磨轮和众多其他研磨应用
2017-05-06 11:32:45
54 硅与碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗称金刚砂。SiC 在自然界中以矿物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不过，自1893 年以来，粉状碳化硅已被大量生产用作研磨剂。碳化硅用作研磨剂已有一百多年
2018-04-11 11:37:004934 
碳化硅半导体 一、碳化硅材料的特性 SiC（碳化硅）是由硅（Si）和碳（C）组成的化合物半导体。与 Si 相比，SiC 具有十倍的介电击穿场强、三倍的带隙和三倍的热导率。在半导体材料中形成器件结构
2021-06-15 17:27:148206 
氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)功率晶体管这两种化合物半导体器件已作为方案出现。这些器件与长使用寿命的硅功率横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS) MOSFET和超级结MOSFET竞争。
2022-04-01 11:05:193412 碳化硅 (SiC) 具有提高电动汽车整体系统效率的潜力。在太阳能行业，碳化硅逆变器优化在成本节约方面也发挥着很大的作用。在这个与俄亥俄州立大学电气与计算机工程系 IEEE 院士教授 Anant
2022-08-03 17:07:351383 碳化硅(SiC) 是第三代半导体，相较于前两代半导体(一代硅，二代砷化钾)碳化硅在使用极限性能，上优于硅衬底，可以满足高温、高压、高频、大功率等条件下的应用需求。
2023-01-16 10:22:08412 碳化硅（SiC）是第三代化合物半导体材料。半导体材料可用于制造芯片，这是半导体行业的基石。碳化硅是通过在电阻炉中高温熔化石英砂，石油焦，锯末等原材料而制造的。
2023-02-02 16:23:4420952 碳化硅（SiC）是比较新的半导体材料。一开始，我们先来了解一下它的物理特性和特征。SiC的物理特性和特征：SiC是由硅(Si)和碳(C)组成的化合物半导体材料。其结合力非常强，在热、化学、机械方面都非常稳定。
2023-02-08 13:42:083923 
碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）N+源区和P井掺杂都是采用离子注入的方式，在1700℃温度中进行退火激活。另一个关键的工艺是碳化硅MOS栅氧化物的形成。由于碳化硅材料中同时有Si和C两种原子存在，需要非常特殊的栅介质生长方法。
2023-02-09 09:51:231810 
我们拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件：碳化硅二极管和碳化硅MOSFET展开说明。碳和硅进过化合先合成碳化硅，然后碳化硅打磨成为粉末，碳化硅粉末经过碳化硅单晶生长成为碳化硅晶锭；碳化硅
2023-02-21 10:04:111693 
什么是第三代半导体？我们把SiC碳化硅功率器件和氮化镓功率器件统称为第三代半导体，这个是相对以硅基为核心的第二代半导体功率器件的。今天我们着重介绍SiC碳化硅功率器件，也就是SiC碳化硅二极管
2023-02-21 10:16:472090 碳化硅 （SiC） 是一种成熟的器件技术，在 900 V 至 1，200 V 以上的高压、高开关频率应用中，与硅 （Si） 技术（包括硅超结 （SJ） 和绝缘栅双极晶体管 （IGBT） ）相比具有
2023-05-24 09:27:40610 
SiC上的GaN的主要优点是其导热性优势。SiC上的GaN的导热性是Si上的GaN的三倍，允许器件在更高的电压和更高的功率密度下运行。Palmour解释说：“如果射频设备每平方厘米输出高瓦特，你也必须每平方厘米耗散高瓦特。导热性越好，就越容易排出热量。碳化硅具有很高的导热性，比硅好得多。
2023-05-24 10:20:08363 碳化硅（SiC）功率器件是一种基于碳化硅材料的半导体器件，具有许多优势和广泛的应用前景。
2023-06-28 09:58:092317 
碳化硅，也称为SiC，是一种由纯硅和纯碳组成的半导体基础材料。您可以将SiC与氮或磷掺杂以形成n型半导体，或将其与铍，硼，铝或镓掺杂以形成p型半导体。虽然碳化硅存在许多品种和纯度，但半导体级质量的碳化硅仅在过去几十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:451094 碳化硅（SiC）是一种由硅（Si）和碳（C）组成的半导体化合物，属于宽带隙（WBG）材料家族。
2023-08-12 11:46:08468 如今，大多数半导体都是以硅（Si）为基材料，但近年来，一个相对新的半导体基材料正成为头条新闻。这种材料就是碳化硅，也称为SiC。目前，SiC主要应用于MOSFET和肖特基二极管等半导体技术。
2023-09-05 10:56:05277 
硅碳化物(SiC)技术已经达到了临界点，即无可否认的优势推动一项技术快速被采用的状态。
2023-09-07 16:13:00659 
与传统的硅（Si）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）和其他技术相比，碳化硅（SiC）技术具有更多优势
2023-09-12 09:45:57259 碳化硅(SiC)技术已达到临界点，即不可否认的优势推动技术快速采用的状态。 如今，出于多种原因，希望保持竞争力并降低长期系统成本的设计人员正在转向基于SiC的技术，其中包括： 降低总拥有
2023-10-13 09:24:17824 宽带隙半导体使许多以前使用硅（Si）无法实现的高功率应用成为可能，两种材料的特性说明了为什么碳化硅二极管（SiC）在多个指标上具有明显的优势。
2023-10-30 14:11:06975 
在逆变器、电机驱动器和电池充电器等应用中，碳化硅（SiC）器件具有更高的功率密度、更低的冷却要求和更低的整体系统成本等优势。
2023-11-07 09:45:59434 
碳化硅（SiC），又名碳化硅，是一种硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻断电压能力和低比导通电阻。
2023-12-12 09:47:33456 
众所周知，硅（Si）材料及其基础上的技术方向曾经改变了世界。硅材料从沙子中提炼，构筑了远比沙土城堡更精密复杂的产品。如今，碳化硅（SiC）材料作为一种衍生技术进入了市场——相比硅材料，它可以实现更高
2023-12-21 10:55:02182 碳化硅（SiC）是一种优良的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高热导率、低介电常数等特点，因此在高温、高频、大功率应用领域具有显著优势。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的电力电子器件，主要包括
2024-01-09 09:26:49379 碳化硅（SiC）和传统硅半导体（Si）是两种常见的半导体材料，它们在电子器件制造中具有广泛的应用。然而，碳化硅相对于传统硅半导体具有一定的优缺点。 优点： 更高的热导率：碳化硅的热导率是传统硅半导体
2024-01-10 14:26:52230
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