在半导体制造中，3纳米工艺是继5纳米MOSFET 技术节点之后的下一个芯片缩小。截至2019年，三星和台积电已宣布计划将3 nm 半导体节点投入商业生产。它基于GAAFET（全能栅极场效应晶体管）技术，这是一种多栅极MOSFET技术。