SGK5867-30C C波段内部匹配 GaN HEMT

GaN HEMT

型号： SGK5867-30C

--- 产品参数 ---

厂家 Sumitomo Electric Device Innov
型号 SGK5867-30C
名称 IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管
产地日本
封装 IBK

--- 产品详情 ---

型号简介
Sumitomo的SGK5867-30C是一种高功率GaN HEMT与标准通信频带匹配，以提供最佳50欧姆系统中的功率和增益。

型号规格
厂家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型号 SGK5867-30C
名称 IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管
产地日本
封装 IBK

型号参数
高输出功率：P5dB=45.0dBm（典型）
高线性增益：GL=15.0dB（典型值）
高功率附加效率：PAE=41%（典型值）
宽带：5.85至6.75GHz
阻抗匹配Zin/Zout=50欧姆
密封包装

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