--- 产品参数 ---
- 品牌 DIODES
- 型号 ZXMN4A06GQ
- 名称 40V N 沟道增强型 MOSFET
- 产地 台湾
- 封装 SOT223
--- 产品详情 ---

产品简介
DIODES 的 ZXMN4A06GQ这款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低导通 电阻 (R DS(ON) ),同时保持卓越的开关 性能,使其成为高效电源管理 应用的理想选择。
产品规格
品牌 DIODES
型号 ZXMN4A06GQ
名称 40V N 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 SOT223
产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 40 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 7 A
PD @TA = +25°C (W) 2 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 50 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 75 mΩ
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 19 nC
主要特征
低导通电阻
快速切换速度
低阈值
低门驱动器
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