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ZXMN4A06GQ 40V N 沟道增强型 MOSFET 晶体管

型号: ZXMN4A06GQ

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 ZXMN4A06GQ
  • 名称 40V N 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 SOT223

--- 产品详情 ---

ZXMN4A06GQ 

产品简介
DIODES 的 ZXMN4A06GQ这款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低导通 电阻 (R DS(ON) ),同时保持卓越的开关 性能,使其成为高效电源管理 应用的理想选择。

 

产品规格  
品牌                    DIODES
型号                    ZXMN4A06GQ
名称                    40V N 沟道增强型 MOSFET 
产地                    台湾
封装                    SOT223


产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 40 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 7 A
PD @TA = +25°C (W) 2 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 50 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 75 mΩ
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 19 nC


主要特征
低导通电阻
快速切换速度
低阈值
低门驱动器


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