产品简介
DIODES 的 ZXMN10A08G 这款新一代沟槽 MOSFET 具有独特的结构，结合了低导通电阻和快速开关的优点，使其成为高效电源管理应用的理想选择。
产品规格
品牌 DIODES
型号 ZXMN10A08G
名称 100V N 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 SOT223 (Type DN)
产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 2.9 A
PD @TA = +25°C (W) 2 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 250 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 300 (@6V) mΩ
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 4.2 (@5V) nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 7.7 nC
CISS Typ (pF) 405 pF
主要特征
低导通电阻
快速切换速度
低阈值
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