产品简介
DIODES 的 DMTH10H009LFG 该 MOSFET 旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMTH10H009LFG
名称 100V 175°C N 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 PowerDI®3333-8
产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 14 A
|IDS| @TC = +25°C (A) 55 A
PD @TA = +25°C (W) 2.5 W
PD @TC = +25°C (W) 39 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 8.5 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 12.5 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.5 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 41 nC
CISS Condition @|VDS| (V) 50 V
主要特征
低 RDS(ON) – 确保导通状态损耗最小化
优秀的 Qgd RDS(ON) 产品 (FOM)
DC/DC 转换器的先进技术
小外形热效率封装可实现更高
密度的最终产品
仅占用 SO-8 启用所占用的电路板面积的 33%
更小的最终产品
生产中 100% 非钳位电感开关 (UIS) 测试
确保最终应用更加可靠和稳健
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