产品简介
DIODES 的DMN2046UVT 这种新一代MOSFET的设计目的是最大限度地降低现场电阻（RDS（ON）），同时保持卓越的开关性能性能，使其成为高效电源管理的理想选择应用程序。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMN2046UVT
名称 双 N 沟道增强模式 MOSFET
产地 台湾
封装 TSOT26
产品参数
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 2.6 A
PD @TA = +25°C (W) 0.59 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 90 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 130 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.4 V
|VGS(TH)| Max (V) 1.4 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 3.6 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 7.4 nC
CISS Typ (pF) 278 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10 V
主要特征
低导通电阻
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏
ESD保护栅极
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