--- 产品参数 ---
- 类别 低饱和晶体管
- 合规性 标准
- 极性 NPN
- VCEO, VCES 20
- IC (A) 7.5
- ICM (A) 20
- PD (W) 2.4
- fT (兆赫) 160
- RCE(饱和) (m 21
--- 产品详情 ---

产品简介
DIODES 的 ZXTN19020DZ 这款新型低饱和 NPN 晶体管采用 SOT89 封装,具有极低的导通状态损耗,非常适合用于 DC-DC 电路和各种驱动和电源管理功能。
产品规格
类别 低饱和晶体管
合规性(只有汽车支持 PPAP) 标准
极性 NPN
VCEO, VCES (V) 20
IC (A) 7.5
ICM (A) 20
PD (W) 2.4
hFE(最小值) 300
hFE (@IC) (A) 0.1
h FE(最小 2) 150
hFE (@ IC2) (A) 7.5
VCE(sat) 最大值 (mV) 70
VCE (SAT) (@IC/IB) (A/mA) 1/10
VCE(sat)(最大 2)(mV) 80
VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA) 2/40
fT (兆赫) 160
RCE(饱和) (mΩ) 21
主要特征
bvco>20伏
IC=7.5A连续电流
低饱和电压VCE(sat)<35mV@1A
Rsat=27米Ω 对于低等效导通电阻
完全无铅且完全符合RoHS(注1和2)
不含卤素和锑。“绿色”装置(注3)
适用于需要特殊更改的汽车应用
控制(即符合AEC-Q100/101/200、PPAP的零件
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