LR036N09XD10-RST 是瑞斯特(RST)XD系列中采用SGT分裂栅沟槽工艺制造的N沟道功率MOSFET，封装为TOLL表贴形式。器件额定漏源电压VDS为90V，TC=25℃时连续漏极电流ID达193A（硅片极限），TC=100℃降额至122A，脉冲漏电流IDM为596A。在VGS=10V、ID=30A测试条件下，导通电阻RDS(on)典型值3mΩ、最大值3.6mΩ；栅极总电荷QG仅47nC，米勒电荷Qgd低至7nC，使Qg×RDS(on)品质因数处于极低水平。90V这一特殊耐压等级介于常见60V与100V之间，恰好覆盖部分48V/60V系统的电压裕量需求，同时保留更低的导通与开关损耗余量。
静态特性方面，漏源击穿电压V(BR)DSS最小值90V（VGS=0V、ID=250μA），栅极阈值电压VGS(th)典型值3V，分布区间2.0~4.0V，标准10V驱动电平下可稳定深度导通。零栅压漏电流IDSS不大于1μA（VDS=80V），栅源漏电流IGSS限值±100nA，关断态泄漏水平低。导通电阻3mΩ的典型值在90V/193A级别中表现均衡，配合596A的脉冲电流能力，可承受较大启动浪涌与短时过载。做损耗核算时应以3.6mΩ上限值为基准，栅源电压需控制在±20V额定范围内。
开关特性是该器件最突出的参数维度。由于总栅极电荷仅47nC、栅漏电荷Qgd只有7nC（米勒电荷占比约15%），器件开关过渡速度极快：在VGS=10V、VDS=50V、RG=1.8Ω测试条件下，开通延迟仅18ns、上升时间11ns，关断延迟43ns、下降时间9ns，内栅极电阻Rg仅1Ω。极低的米勒电荷显著降低了dV/dt引起的位移电流，对抑制桥臂串扰与误导通十分有利。电容参数方面，输入电容Ciss 3440pF、输出电容Coss 1642pF、反向传输电容Crss 51pF（VDS=40V、f=1MHz），Crss与Ciss之比较小，进一步印证了米勒效应较弱的特点。体二极管正向压降VSD上限1.2V（IS=30A），反向恢复时间trr 80ns、恢复电荷Qrr 147nC（IF=30A、di/dt=100A/μs），续流特性满足半桥及同步整流拓扑需求。
热性能与封装层面，结壳热阻RthJC为0.55℃/W，TC=25℃时最大耗散功率227W，工作结温范围-55~150℃；单脉冲雪崩能量EAS为410mJ（L=0.2mH、Rg=25Ω），可吸收一定的感性关断尖峰。TOLL封装通过大漏极焊盘直接贴装散热，编带卷盘包装为2000只/卷、带宽24mm，适配自动化表贴产线。应用上主要覆盖三类场景：高频DC/DC变换器，极快的开关速度与低米勒电荷适合高工作频率设计，可显著降低开关损耗、提升功率密度；电机控制与驱动，90V耐压适配48V/60V级低压系统的母线波动与反电动势叠加，193A电流能力满足中型功率电机驱动需求；电池管理系统，用作中压电池组的充放电主开关与保护开关，低导通电阻减少发热。此外，超快开关特性也使其适用于负载开关、同步整流等对开关速度敏感的场合。工程设计中需注意TC=100℃时连续电流降至122A，同时超快开关速度可能带来更高的EMI辐射，需结合驱动电阻与缓冲电路做综合权衡。
