LR035N10SM2-RST 是瑞斯特(RST)采用 SGT 分裂栅沟槽工艺制造的 N 沟道功率 MOSFET，封装为 TO-263（D²PAK）表贴形式。器件额定漏源电压 VDS 为 100V，TC=25℃ 时连续漏极电流 ID 达 160A（硅片极限），TC=100℃ 时降额至 128A，脉冲漏电流 IDM 为 640A。在 VGS=10V、ID=50A 测试条件下，导通电阻 RDS(on) 典型值 2.8mΩ、最大值 3.5mΩ；栅极总电荷 QG 仅 122nC，使 Qg×RDS(on) 品质因数处于较低水平，可在导通损耗与开关损耗间取得平衡。该器件面向中等功率密度的开关应用，TO-263 封装兼顾散热能力与自动化贴装需求。
静态特性方面，漏源击穿电压 V(BR)DSS 最小值 100V（VGS=0V、ID=250μA），符合 100V 电压等级器件的规范要求。栅极阈值电压 VGS(th) 典型值 3V，分布区间 2.4~3.6V，采用 10V 驱动电平可使器件深度饱和。零栅压漏电流 IDSS 不大于 1μA（VDS=100V、Tj=25℃），栅源漏电流 IGSS 限值 ±100nA，关断态泄漏水平低；正向跨导 gfs 典型值 100S，大电流区的增益能力充足。做损耗核算时建议以 3.5mΩ 的 RDS(on) 上限值为基准，并始终保持栅源电压在 ±20V 额定范围内，防止过驱动损伤栅氧结构。
动态特性与体二极管参数反映了器件的高频适配能力。该器件输入电容 Ciss 7040pF、输出电容 Coss 1010pF、反向传输电容 Crss 仅 35pF（VDS=50V、VGS=0V、f=1MHz），极低的 Crss 有利于抑制米勒效应引起的误导通风险。栅极电荷中栅源电荷 Qgs 28nC、栅漏电荷 Qgd 36nC，米勒电荷约占总量 30%。开关时序在 VGS=10V、VDS=50V、RG=3Ω 条件下测得：开通延迟 48ns、上升时间 56ns、关断延迟 75ns、下降时间 33ns，内栅极电阻 Rg 仅约 1Ω，开关速度快，对外置栅极驱动电阻的调节余量更大。体二极管正向压降 VSD 典型值 0.9V、上限 1.1V（ISD=50A），反向恢复时间 trr 115ns、恢复电荷 Qrr 320nC（IF=100A、dI/dt=100A/μs），续流特性满足半桥、全桥等拓扑中体二极管参与续流的工况需求。
热性能与封装层面，结壳热阻 RthJC 为 0.75℃/W，TC=25℃ 时最大耗散功率 183W，工作结温范围 -55~150℃；单脉冲雪崩能量 EAS 为 600mJ（L=0.3mH、Rg=25Ω），对感性负载关断产生的电压尖峰有一定吸收能力。TO-263 封装通过大面积漏极焊盘与 PCB 铜箔结合散热，无需额外绝缘片即可实现良好热传导，编带卷盘包装为 800 只/卷、带宽 24mm。应用上主要覆盖四类场景：电机控制与驱动，100V 耐压适配 48V/60V 系统母线波动与反电动势叠加，低导通电阻降低逆变桥稳态损耗；电池管理系统，用作中压电池组的充放电主开关与保护开关，大脉冲电流能力应对启动与短路冲击；DC/DC 变换器，低 Crss 与快开关速度支持较高工作频率，利于提升功率密度；以及通用功率开关、工业电源辅助回路等场合。工程设计中需注意 TC=100℃ 时连续电流已降至 128A，PCB 散热铜箔面积应做充分预留。
