LR028N06SWL10-RST 是瑞斯特(RST)采用 SGT（分裂栅沟槽）工艺制造的 N 沟道功率 MOSFET，封装形式为 TOLL 表贴。器件额定漏源耐压 VDS 为 60V，TC=25℃ 时连续漏极电流 ID 达 136A（硅片极限），TC=100℃ 时降为 86A，脉冲漏电流 IDM 为 320A。在 VGS=10V、ID=20A 测试条件下，导通电阻 RDS(on) 典型值 2.4mΩ、上限 2.8mΩ；栅极总电荷 QG 仅 54nC，FOM（Qg×RDS(on)）处于较低水平。其中栅极阈值电压典型值仅 1.7V，明显低于同系列常规器件，在低压直驱类应用中具备差异化优势。
静态特性方面，漏源击穿电压 V(BR)DSS 最小值 60V（VGS=0V、ID=250μA），满足 60V 电压等级的系统设计要求。栅极阈值电压 VGS(th) 典型值 1.7V，分布区间 1.2~2.2V，阈值窗口较低，可在更低驱动电平下稳定开启，适配 3.3V 或 5V 逻辑电平直接驱动的低功耗系统，省去额外电平转换电路。零栅压漏电流 IDSS 不超过 1μA（VDS=60V），栅源漏电流 IGSS 限值 ±100nA，阻断态泄漏处于较低水平。导通电阻 2.4mΩ 的典型值在 60V/136A 级别中表现均衡，配合 320A 的脉冲电流能力，可应对短时过载与启动冲击。损耗核算应以 2.8mΩ 上限值为基准，栅源电压需控制在 ±20V 额定范围内。
开关特性与体二极管参数决定了器件的高频适配能力。该器件输入电容 Ciss 3734pF、输出电容 Coss 1836pF、反向传输电容 Crss 83pF（VDS=30V、VGS=0V、f=1MHz）；栅极电荷中栅源电荷与栅漏电荷分布合理，米勒电荷占比适中，开关过渡过程平滑可控。在 VGS=10V、VDS=30V、RG=1.6Ω 测试条件下，开通延迟 12ns、上升时间 47ns、关断延迟 47ns、下降时间 58ns，内栅极电阻 Rg 约 2.2Ω，整体开关速度偏快，适合中高频开关应用。体二极管正向压降 VSD 限值 1.2V（IS=20A），反向恢复时间 trr 34ns、恢复电荷 Qrr 100nC（IF=20A、di/dt=100A/μs），续流损耗可控，适用于含体二极管续流的半桥及同步整流拓扑。
热性能与封装层面，结壳热阻 RthJC 为 1.39℃/W，TC=25℃ 时最大耗散功率 90W，工作结温范围 -55~150℃；单脉冲雪崩能量 EAS 为 649mJ，对电机绕组等感性负载关断尖峰具有一定吸收能力。TOLL 封装采用大漏极焊盘直接贴装散热，编带卷盘包装为 2000 只/卷、带宽 24mm，适配自动化表贴产线。应用上主要覆盖四个方向：电机控制与驱动，60V 耐压适配 24V/36V/48V 低压系统，低导通电阻降低逆变桥稳态损耗；电池管理系统，用作中小型电池包的充放电主开关与保护开关，低阈值特性便于与主控 IC 直连；DC/DC 变换器，较快的开关速度支持更高工作频率，利于提升功率密度；以及消费类大电流负载开关、电动工具等场景。工程设计中需注意 TC=100℃ 时连续电流已降至 86A，热设计应留有充分裕量。
