LR025N12SM10-RST 是瑞斯特(RST)基于先进 SGT 工艺推出的 N 沟道功率 MOSFET，封装形式为 TOLL 表贴。器件额定漏源耐压 VDS 为 120V，TC=25℃ 时连续漏极电流 ID 达 220A（硅片极限），TC=100℃ 降额至 129A，脉冲漏电流 IDM 高达 880A。在 VGS=10V、ID=50A 测试条件下，导通电阻 RDS(on) 典型值 2.1mΩ、最大值 2.5mΩ；栅极总电荷 QG 仅 144nC，使 Qg×RDS(on) 品质因数处于较低水平，能够在导通损耗与驱动损耗之间取得平衡，适用于需要兼顾效率与功率密度的中高压大电流场景。
阻断与导通特性方面，漏源击穿电压 V(BR)DSS 最小值 120V、典型值 132V，耐压裕量约 10%；栅极阈值电压 VGS(th) 典型 3.4V，分布区间 2.0~4.0V，标准 10V 栅极驱动即可使器件深度导通。零栅压漏电流 IDSS 不大于 1μA，栅源漏电流 IGSS 限值 ±100nA，关断态泄漏水平低；正向跨导 gfs 典型值 159S，大电流工作区内的增益表现稳定。损耗核算建议以 2.5mΩ 的 RDS(on) 上限为基准，并始终将栅源电压控制在 ±20V 额定范围内，避免过驱动损伤栅氧。
开关特性与体二极管参数是评估高频应用潜力的关键指标。该器件输入电容 Ciss 9318pF、输出电容 Coss 2859pF、反向传输电容 Crss 156pF（VDS=40V、f=1MHz）；栅极电荷中栅源电荷 Qgs 48nC、栅漏电荷 Qgd 35nC，米勒电荷占总量约 24%。开关时序在 VGS=10V、VDS=60V、RG=3Ω 条件下测得：开通延迟 58ns、上升时间 90ns、关断延迟 102ns、下降时间 91ns，内栅极电阻 Rg 约 2.2Ω，开关过程线性度好，便于根据系统效率需求调整外置栅极电阻。体二极管正向压降 VSD 上限 1.1V（IS=100A），反向恢复时间 trr 85ns、恢复电荷 Qrr 182nC（IF=50A、di/dt=100A/μs），续流特性满足半桥、全桥等含体二极管续流的拓扑需求。
热性能与封装层面，结壳热阻 RthJC 为 0.5℃/W，结环境热阻 RthJA 40℃/W，TC=25℃ 时最大耗散功率 250W，工作结温范围 -55~150℃；单脉冲雪崩能量 EAS 达 1849mJ，对感性负载关断产生的电压尖峰具有较强吸收能力。TOLL 封装采用大漏极焊盘直接散热，编带卷盘包装为 2000 只/卷、带宽 24mm，适配自动化表贴产线。应用上主要覆盖三大方向：电机控制与驱动，120V 耐压适配 48V/60V 系统的母线波动与反电动势叠加，低导通电阻降低逆变桥稳态损耗；电池管理系统，可作为中压电池组的充放电主开关与保护开关，大脉冲电流能力应对短路与浪涌工况；DC/DC 变换器，低 FOM 特性利于提升开关频率与功率密度，常见于车载电源、工业电源及储能变流器等场合。工程设计中需关注 100℃ 壳温下电流已降至 129A，散热设计应留有足够裕量。
