瑞斯特（RST）发布的LR020N09XD10-RST是一款采用SGT屏蔽栅沟槽工艺制造的N沟道增强型功率MOSFET，封装形式为TOLL，额定漏源耐压90V，连续漏极电流在封装限制下可达240A（TA=25℃），硅极限下为268A（Tc=25℃），典型导通电阻1.67mΩ。该器件在低导通电阻基础上重点优化了开关速度与体二极管反向恢复特性，动态FOM表现突出，尤其适合对开关频率和恢复损耗敏感的中低压功率变换场景。
从极限参数与静态特性来看，LR020N09XD10-RST的漏源击穿电压最小值为90V，栅源耐压范围±20V，工作结温覆盖-55℃至150℃。连续漏极电流随壳温升高略有下降，Tc=100℃时为172A，脉冲漏极电流IDM最高960A，单脉冲雪崩能量EAS为1406mJ，最大功率耗散250W。栅极阈值电压在2.0V至4.0V之间，典型值3.0V，驱动接口通用性良好。在ID=90A、VGS=10V测试条件下，导通电阻典型值1.67mΩ、最大值2.0mΩ；关断态漏极电流IDSS最大1μA，栅源漏电流IGSS不超过±100nA。正向跨导gfs典型值227S，反映了器件漏极电流随栅压变化的调控灵敏度。
动态特性与体二极管表现是该器件的突出特点。在VDS=40V、VGS=0V、f=1MHz的测试条件下，输入电容Ciss约7732pF，输出电容Coss约3233pF，反向传输电容Crss约212pF，栅极内电阻Rg约2Ω。总栅极电荷QG仅109nC，其中栅源电荷Qgs为32nC、栅漏电荷Qgd为27nC，驱动损耗相对较低。开关时序在VDS=40V、VGS=10V、RG=3Ω条件下测得：开通延迟仅18ns，上升时间10ns，关断延迟30ns，下降时间12ns，开关速度处于同档次器件的较快水平。体二极管方面，正向压降最大值为1.4V（IS=30A），反向恢复时间trr约50ns，反向恢复电荷Qrr约75nC（IF=30A、di/dt=100A/μs），恢复损耗低，适合高频续流工况。热阻指标上，结到壳热阻RthJC为0.5℃/W，结到环境热阻RthJA为52℃/W，TOLL封装底部大面积散热焊盘为高负荷工作提供了可靠的热通路。
