LR018N10SM10-RST 是瑞斯特(RST)推出的一款基于 SGT（分裂栅沟槽）工艺平台的 N 沟道功率 MOSFET，采用 TOLL 无引脚表贴封装。器件额定漏源电压 VDS 为 100V，TC=25℃ 时硅片极限连续漏电流 ID 达 320A（封装极限 260A），典型导通电阻 RDS(on) 仅 1.5mΩ，最大值 1.8mΩ（VGS=10V、ID=30A 条件下测得）。凭借低导通电阻与栅极总电荷 QG 典型值 175nC 的组合，其品质因数 FOM（Qg×RDS(on)）表现良好，可同时兼顾导通损耗与开关损耗，定位面向大电流功率变换场景。
静态特性方面，栅极阈值电压 VGS(th) 典型值 3V（2~4V 区间），零栅压漏电流 IDSS 不大于 1μA，栅源漏电流 IGSS 不大于 100nA，关断态泄漏控制良好；跨导 gfs 典型 238S，电流驱动能力充裕。动态参数上，输入电容 Ciss 为 10120pF、输出电容 Coss 1360pF、反向传输电容 Crss 仅 50pF；栅极电荷中 Qgs 50nC、Qgd 53nC，米勒平台占比合理。开关特性在 VGS=10V、VDS=50V、RL=6Ω 条件下测得：开通延迟 85ns、上升时间 138ns、关断延迟 93ns、下降时间 98ns，内栅极电阻 1.7Ω，开关行为线性可预测，便于驱动电路参数设计。
可靠性方面，器件单脉冲雪崩能量 EAS 达 1936mJ（L=0.5mH、Rg=25Ω），对感性负载关断产生的感应尖峰耐受性较好。结壳热阻 RthJC 典型 0.35℃/W（最大 0.5℃/W），结环境热阻 RthJA 典型 30℃/W，配合 TC=25℃ 时 250W 的额定耗散功率，连续大电流工况下的散热设计余量明确。体二极管正向压降 VSD 典型 0.8V，反向恢复时间 trr 47ns（IF=30A、dI/dt=500A/μs），反向恢复电荷 Qrr 388nC，续流损耗可控。TOLL 封装漏极通过大焊盘直接散热，编带卷盘包装 2000 只/卷、带宽 24mm，适配规模化表贴生产。
应用层面，100V 耐压与 320A 级电流能力覆盖多种高功率密度场景：其一，电机控制与驱动，低导通电阻显著降低逆变桥导通损耗，雪崩耐量适配感性负载关断冲击；其二，电池管理系统（BMS），适用于锂电池组充放电主开关及预充电路，低压差特性利于效率与发热控制；其三，DC/DC 变换器，低 Qg 与低 RDS(on) 组合兼顾高频开关与传导损耗；其四，通用大电流开关、电动工具与冗余电源等场合。设计时需注意 TC=100℃ 时电流降额至 208A，栅源电压上限为 ±20V，驱动电压取 10V 可充分发挥器件导通特性。
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