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瑞斯特半导体

RSTTEK瑞斯特半导体是一家专注于功率半导体器件研发、设计与销售的科技企业,致力于为全球客户提供高性能、高可靠性的功率器件解决方案。

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瑞斯特(RST) Z00607MN 0.8A全象限触发贴片双向可控硅技术解析‌

型号: Z00607MN
品牌: (瑞斯特)

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

Z00607MN是瑞斯特(RST)推出的0.8A等级双向可控硅,采用SOT-223贴片封装并通过RoHS认证,面向加热调节、感应电机启动等回路的ON/OFF通断,以及灯光调光、电机调速等移相控制类通用交流开关场合。该型号在同类小电流产品中的规格要点体现在触发一致性与散热设计两方面:触发系统上,Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ四个象限的门极触发电流全部统一标定为5mA,主端子电压无论处于正半周还是负半周都能以同一门槛完成全波导通,控制电路无需极性判别与象限补偿;散热结构上,SOT-223贴片设计将结到壳交流热阻压缩至25℃/W,约为同族TO-92直插版本(65℃/W)的38%,壳温不高于97℃时即可维持0.8A满载通流,通流窗口较直插版显著放宽,配合600V重复峰值断态/反向耐压,构成驱动简便、耐压充裕、散热从容的小功率开关组合。

极限参数与电气特性方面,存储与工作结温范围分别为-40℃至150℃与-40℃至125℃;20ms与16.6ms全周期正弦脉冲下的非重复浪涌通态电流分别为10A与11A,对应I²t熔断积分0.5A²s,为小功率负载的偶发过流预留了基本耐受裕量。开关参数上,125℃结温下Ⅰ-Ⅱ象限与Ⅲ-Ⅳ象限的通态电流临界上升率dI/dt下限分别为30A/μs与20A/μs(IG=2×IGT、f=100Hz),导通与关断时间典型值分别为2μs与20μs;抗扰指标上,门极开路、400V断态偏置、110℃结温条件下dV/dt不低于30V/μs,换向关断在(dI/dt)c=0.3A/ms条件下临界上升率容限不低于1V/μs,非重复断态尖峰脉冲耐受电压Vpp达2.5kV,门极峰值电流1A、平均门极耗散功率0.1W、峰值门极功率5W。通态特性上,1A测试电流、380μs脉冲下峰值通态压降VTM最大1.5V,125℃时阈值电压1.01V、动态电阻316mΩ;触发电压上限1.3V、不触发电压门槛0.2V,擎住电流Ⅰ/Ⅲ/Ⅳ象限5mA、Ⅱ象限15mA,维持电流上限5mA,断态与反向漏电流25℃时仅5μA、125℃时为0.2mA,为损耗预算与驱动设计提供了量化依据。

器件沿用标准SOT-223贴片结构,引脚公差符合工业通用装配规范,可适配常规SMD贴装设备的拾取定位工序;无铅回流工艺方面,预热区间150℃至200℃持续60至180秒、平均升温速率不超过3℃/秒、峰值温度上限260℃(+0/-5℃)、217℃液相线以上停留60至150秒、峰值区停留20至40秒、降温速率不超过6℃/秒、25℃升温至峰值全程不超过8分钟,完全兼容通用批量贴片产线的常规回流条件。浪涌可靠性方面,数据手册按IEC 61000-4-5标准给出了完整测试电路配置——1.2/50μs电压浪涌与8/20μs电流浪涌发生器配2Ω源阻抗,负载模型电阻60Ω与电感70μH、门极串联电阻300Ω,可直接作为整机浪涌摸底试验的参数起点;5mA的全象限触发阈值与0.2V的不触发电压门槛相配合,既保证了驱动电路的灵活性,又为门极侧EMC设计保留了基本抗扰边界。产品以13英寸编带卷盘形式供货,单卷4000只、每箱40000只,手册同时提供完整的载带尺寸参数,适配自动化贴片线连续供料。

从工程落地视角看,该器件适用于小功率灯具调光、小型加热器具通断、微型风扇调速、感应小电机启动等通用交流开关场景;四象限统一的5mA触发门槛使单片机I/O口、光耦或专用触发IC输出级均可直接驱动,全波控制无需极性判别电路,显著压缩外围元件数量与布板面积,SOT-223贴片封装配合编带供货可直接融入全贴片化生产线,25℃/W的结壳热阻与97℃满载壳温让0.8A通流下的温升控制更加从容,600V耐压等级覆盖国内主流220V单相供电场景,2.5kV的峰值脉冲耐受与10A的浪涌电流为雷击与感性关断等恶劣工况提供了基本生存能力,在追求驱动简便、贴片化生产与散热裕量平衡的0.8A级小功率交流开关方案中具备完整的选型价值。

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