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瑞斯特半导体

RSTTEK瑞斯特半导体是一家专注于功率半导体器件研发、设计与销售的科技企业,致力于为全球客户提供高性能、高可靠性的功率器件解决方案。

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瑞斯特(RST) Z0103NN0 1A全波触发贴片双向可控硅技术解析‌

型号: Z0103NN0
品牌: (瑞斯特)

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

Z0103NN0是瑞斯特(RST)推出的1A等级双向可控硅,采用SOT-223贴片封装并通过RoHS认证,面向加热调节、感应电机启动等回路的ON/OFF通断,以及灯光调光、电机调速等移相控制类通用交流开关场合。器件在1A级产品中形成"全象限触发+高耐压+贴片化"的组合优势:触发特性上,Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ四个象限的门极触发电流均标定为5mA,主端子电压处于正半周或负半周时均可由同一驱动门槛完成导通控制,全波工作无需极性判别或象限补偿电路;耐压等级上,重复峰值断态/反向电压VDRM/VRRM标定为800V,较同系列600V档位提升一档,可直接跨接于电网波动较大或感应尖峰明显的交流母线而无需降额;封装形式上,SOT-223结构提供约20℃/W的结壳热阻,1A通流下的温升控制较同族TO-92版本更为从容。

极限参数与电气特性方面,壳温不超过98℃时器件可承载1A通态有效值电流,存储与工作结温范围分别为-40℃至150℃与-40℃至125℃;10ms与8.3ms脉宽下非重复浪涌通态电流分别达16.5A与18A,I²t熔断积分1.36A²s,为小功率负载的偶发过流预留了基本耐受裕量。触发与开关特性上,触发电压上限1.3V、不触发电压门槛0.2V,擎住电流Ⅰ/Ⅲ/Ⅳ象限5mA、Ⅱ象限10mA,维持电流上限5mA;125℃结温下Ⅰ-Ⅱ象限与Ⅲ-Ⅳ象限的通态电流临界上升率dI/dt下限分别为30A/μs与20A/μs(IG=2×IGT、f=100Hz),导通与关断时间典型值分别为2μs与20μs,门极开路、540V高断态偏置、110℃结温条件下dV/dt不低于20V/μs,换向关断在(dI/dt)c=0.44A/ms条件下临界上升率容限不低于1V/μs,非重复断态尖峰脉冲耐受电压Vpp达3.5kV,门极峰值电流2A、平均门极耗散功率0.5W、峰值门极功率5W。导通特性上,1.4A测试电流、380μs脉冲下峰值通态压降VTM最大1.45V,125℃时阈值电压0.96V、动态电阻225mΩ,断态与反向漏电流25℃时仅5μA、125℃时为0.25mA,为损耗估算与驱动设计划定了清晰边界。

器件沿用标准SOT-223贴片结构,引脚公差符合工业通用装配规范,可适配常规SMD贴装设备的拾取定位工序;无铅回流工艺方面,预热区间150℃至200℃持续60至180秒、平均升温速率不超过3℃/秒、峰值温度上限260℃(+0/-5℃)、217℃液相线以上停留60至150秒、峰值区停留20至40秒、降温速率不超过6℃/秒、25℃升温至峰值全程不超过8分钟,完全兼容通用批量贴片产线的常规回流条件。浪涌可靠性层面,数据手册按IEC 61000-4-5标准给出了完整测试电路配置——1.2/50μs电压浪涌与8/20μs电流浪涌发生器配2Ω源阻抗,负载模型电阻51Ω与电感66μH、门极串联电阻300Ω,可直接作为整机浪涌摸底试验的参数起点;5mA的低触发阈值配合0.2V的不触发电压门槛,既保证了驱动电路的灵活性,又为门极侧EMC设计保留了基本抗扰边界。产品以13英寸编带卷盘形式供货,单卷4000只、每箱40000只,适配自动化贴片线连续供料。

从工程落地视角看,该器件适用于小功率灯具调光、加热器具通断、风扇调速、感应电机启动等通用交流开关场景;四象限统一的5mA触发门槛使单片机I/O口、光耦或专用触发IC输出级均可直接驱动,全波导通控制无需极性判别电路,显著压缩外围元件数量与布板面积,800V的耐压冗余较常规600V规格提供了更充分的电压裕度,特别适合电网波动较大或感性负载关断尖峰频繁的环境,3.5kV的峰值脉冲耐受与16.5A的浪涌电流保证了雷击与感性关断等恶劣工况下的基本生存能力,SOT-223贴片封装配合编带供货可直接融入全贴片化生产线,在追求驱动简便、高耐压与自动化生产效率平衡的1A级小功率交流开关方案中具备完整的选型价值。

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