--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
T2550-12T是瑞斯特(RST)推出的25A等级snubberless规格双向可控硅,采用TO-220C直插封装并通过RoHS认证,数据手册将其定位为通用交流开关器件,适用于加热调节、感应电机启动等回路的ON/OFF通断,以及灯光调光、电机调速等移相控制。该型号最突出的特征是1200V重复断态/反向耐压——这是家族中电压等级最高的双向可控硅档位,可大幅适配电网波动剧烈或电压尖峰明显的应用环境;同时按无缓冲工艺设计,电机、变压器、电磁阀等感性负载无需在主功率路径上增设RC吸收网络即可可靠关断。触发侧Ⅰ/Ⅱ/Ⅲ三象限门极触发电流统一标定为50mA,属于高阈值档位,配合125℃高温、800V高断态偏置、门极开路条件下不低于2500V/μs的断态电压临界上升率(dV/dt),从门极耦合与瞬态电压两条路径共同压制非预期导通。
极限参数与导通特性方面,壳温不超过100℃时器件可持续承载25A通态有效值电流,20ms与16.6ms全周期正弦脉冲下的非重复浪涌通态电流分别达250A与275A,10ms脉宽对应的I²t熔断积分为340A²s,为过载与短路工况预留了充分安全余量;125℃高温结温下通态电流临界上升率dI/dt下限为100A/μs,换向关断在(dV/dt)c=20V/μs条件下电流临界上升率容限不低于25A/ms,导通与关断时间典型值分别为2μs与60μs,非重复断态尖峰脉冲耐受电压Vpp达2.5kV,门极峰值电流4A、平均门极耗散功率0.5W、峰值门极功率10W。通态特性上,35A测试电流、380μs脉冲下峰值通态压降VTM最大1.5V,125℃时阈值电压0.76V、动态电阻26mΩ;门极侧触发电压上限1V、不触发电压门槛0.2V,擎住电流Ⅰ/Ⅲ象限90mA、Ⅱ象限100mA,维持电流上限80mA,断态与反向漏电流25℃时仅10μA、125℃时为4mA,为驱动与抗扰设计划定了明确边界。热阻方面,结到壳与结到环境的交流热阻分别为0.7℃/W与60℃/W,其中0.7℃/W的结壳热阻在25A级器件中处于低位,存储与工作结温范围覆盖-40℃至150℃、-40℃至125℃。
器件沿用标准TO-220C直插结构,引脚公差符合工业通用装配规范,可顺畅衔接波峰焊插件产线,T2主端子预留直连外部散热片的散热路径;得益于低至0.7℃/W的结壳热阻,器件在100℃壳温下仍维持25A额定输出,较同等级绝缘封装型号具备更宽的满载运行温度窗口,散热条件一般的板级应用中仍能保持额定通流。浪涌可靠性方面,数据手册按IEC 61000-4-5标准给出了完整测试电路配置——1.2/50μs电压浪涌与8/20μs电流浪涌发生器配2Ω源阻抗,负载模型电阻2Ω与电感8.2μH,门极串联电阻300Ω,可直接作为整机浪涌摸底试验的参数起点;50mA的高触发阈值与0.2V的门极不触发电压门槛相配合,为驱动侧的EMC设计提供了充分依据。产品以管式包装出货,单管50只、内盒1000只、外箱5000只,兼顾手工插件与半自动产线的常规供料节奏。
从工程落地视角看,该器件适合用作中大型加热设备功率通断、感应电机启动回路的ON/OFF切换,以及工业照明调光、中大功率交流电机调速等移相触发控制;1200V的超高耐压冗余使其可从容应对电网波动剧烈、电压尖峰频繁或供电电压等级偏高的应用环境,2500V/μs的dV/dt耐受能力与50mA高触发阈值构成强抗扰组合,在瞬态干扰强烈的工业与民用场景中仍能保持极低的误触发概率,无缓冲特性使整机省去RC吸收回路的选型与调试环节,在含感性元件的设备中可显著压缩外围元件数量,25A的电流等级与340A²s的熔断积分使其可覆盖相当一部分大功率负载而无需多器件并联扩流,0.7℃/W的低结壳热阻则为高环境温场合提供了更充裕的散热裕量,2.5kV的峰值脉冲电压耐受为雷击浪涌等恶劣电网工况提供了充分保护,是面向超高压、强干扰、高可靠要求的大功率交流功率控制优选器件。
为你推荐
-
瑞斯特(RST) LR008N06SM10 大电流低压MOSFET技术解读2026-09-19 18:49
产品型号:LR008N06SM10 -
瑞斯特(RST) LR006N04SD10 40V低导通电阻N沟道MOSFET技术解析2026-09-19 18:48
产品型号: LR006N04SD10 -
瑞斯特(RST) FMMT720 高增益低饱和PNP开关三极管技术解析2026-09-19 18:44
产品型号:FMMT720 -
瑞斯特(RST) FMMT619 中压低饱和压降NPN晶体管技术分析2026-09-19 18:43
产品型号:FMMT619 -
瑞斯特(RST) FMMT618 超低饱和压降NPN晶体管技术解析2026-09-19 18:42
产品型号: FMMT618 -
瑞斯特(RST) FMMT593 高压PNP三极管技术分析2026-09-19 18:40
产品型号:FMMT593 -
瑞斯特(RST) FMMT591 PNP型三极管技术特性解析2026-09-19 18:38
产品型号:FMMT591 -
瑞斯特(RST) FMMT495高压NPN晶体管技术特性分析2026-09-19 18:37
产品型号: FMMT495 -
瑞斯特(RST) FMMT493 NPN型晶体管技术解析2026-09-19 18:34
产品型号:FMMT493 -
瑞斯特(RST) FMMT491 NPN型三极管技术解析2026-09-19 18:33
产品型号:FMMT491
-
瑞斯特半导体顺利通过ISO 9001、14001、45001 三大管理体系认证2026-08-05 22:14
-
瑞斯特(RST)体系保障之销售与服务体系2026-06-30 22:02
-
瑞斯特(RST)体系保障之人力资源与文化体系2026-06-22 22:10
-
瑞斯特(RST)体系保障之供应链与制造体系2026-06-15 22:08
-
瑞斯特(RST)体系保障之研发与工程体系2026-06-12 22:16
-
避开红海,深耕蓝海:为什么瑞斯特半导体(RST)将“腰部客户”作为战略核心2026-06-12 22:13
-
瑞斯特RST四大核心经营理念2026-05-19 21:25
-
以精工智造,驱动产业效率,赋能美好生活:瑞斯特半导体的时代使命2026-05-15 08:22
-
于方寸之间,创造无限可能:瑞斯特半导体的破局之道2026-05-15 08:20
-
永不失联:瑞斯特半导体的信仰,亦是国产芯片的时代答卷2026-05-15 08:19