产品简介
GaSe硒化镓晶体是一种暗棕色闪光的片状晶体。相对密度5.03，熔点(960±10)℃。GaSe和GaS一样是层状结构半导体，随着温度的降低，GaSe光电效应最大值向短波方向移动。硒化镓作为一种非线性晶体和光电导体，通常被应用于这些方面：如CO2激光器的二次谐波的产生，CO2激光器频率上转换至近红外或可见光，中红外波段的光学混频，以及5.5um-18.0um中红外波段的不同频率的产生。同时GaSe晶体也是一种太赫兹晶体，可以被用来产生太赫兹辐射。
GaSe（硒化镓晶体）的太赫兹振荡能达到非常宽的频域，至41THz。GaSe硒化镓晶体是负单轴层状半导体晶体，拥有六边形结构的62m空间点群，300K时禁带宽度为2.2eV。GaSe硒化镓晶体抗损伤阈值高，非线性系数大（54pm/V），非常合适的透明范围，以及超低的吸收系数，这使其成为中红外宽带电磁波振荡的非常重要的解决方案。因宽带太赫兹振荡和探测使用的是低于20飞秒的激光光源，GaSe发射-探测系统能获得与ZnTe可比的甚至更好的结果。通过对GaSe硒化镓晶体厚度的选取，我们可以实现对THz波的频率可选择性控制。
注：GaSe硒化镓晶体的解理面为（001），因此对该晶体使用的一个很大限制在于质软，易碎。
| GaSe 硒化镓晶体参数 |
Structure
62m; a = 3.74 ; c = 15.89 Density
5.03 g/cm3 Mohs hardness
2 Eg, eV
2.02 Refractive indices at 5.3 µm
no = 2.8340; ne = 2.4599 Refractive indices at 10.6 µm
no = 2.8136; ne = 2.4389 Refractive index at 0.633 µm
no= 2.9365 |
GaSe 硒化镓晶体透射谱 
GaSe硒化镓晶体产品 |
GaSe晶体/硒化镓
GaSe-001-7-0.01 （口径7mm，厚度10um） GaSe晶体/硒化镓
GaSe-001-7-0.03（口径7mm，厚度30um） GaSe晶体/硒化镓
GaSe-001-7-0.1（口径7mm，厚度100um） GaSe晶体/硒化镓
GaSe-001-7-0.3（口径7mm，厚度300um） |
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