--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
瑞斯特 (RST) BZT52B2V4T1G 至 BZT52B75T1G 为全电压梯度覆盖的 SOD-123 封装小功率齐纳稳压二极管系列,面向高密度小型化 PCB 电路开发,全系统一采用标准化硅稳压芯片与高可靠塑封工艺,稳压电压公差统一控制在 ±5%,适配移动终端、紧凑型主板、便携检测设备等空间受限硬件的电压调节需求。在 25℃标准环境温度下,系列统一极限电气参数具备标准化边界,单管额定总耗散功率 500mW,IF=10mA 正向电流下正向压降典型值 0.85V,器件存在两类规范热阻参数,最高允许工作结温 150℃,存储温度区间覆盖 - 55℃至 150℃,完整覆盖民用消费电子与轻量工业设备常规工作温域;封装采用行业通用 SOD-123 贴片外形,具备明确阴极、阳极极性区分,每一标称稳压档位对应专属本体丝印标识,便于 SMT 自动化分拣与贴装识别,封装尺寸遵循 JEDEC 标准,可直接匹配通用 PCB 焊盘库,无需单独开发特殊封装版图,统一封装规格能够减少硬件设计阶段封装库数量,降低版图设计与生产制程管控工作量,配套规格书提供功率降额曲线、反向伏安特性、动态阻抗、寄生电容四类标准化特性曲线,可直接用于电路仿真、温升校核与可靠性评估,整体封装散热能力优于同架构 SOD-323 封装稳压管,同等工况下功率裕量更高,高温连续工作工况下功率降额区间更宽。
该系列稳压器件完整覆盖 2.4V 至 75V 稳压区间,低压段 2.4V~24V 器件以 IZ=5mA 作为标准测试电流,高压段 27V~75V 调整为 IZ=2mA 测试条件,不同电压档位器件动态阻抗、反向漏电流、温度系数呈现清晰分段变化规律,2.4V 至 4.3V 低压区间以隧穿齐纳击穿为核心机制,温度系数为负值,稳压电压随环境温度升高小幅下降;5.1V 至 75V 中高压档位逐步过渡至雪崩击穿机制,温度系数由负转正,且随标称稳压电压提升持续增大,电路设计时可依据对应档位温漂参数完成基准电压温度补偿设计。同测试电流条件下,稳压标称电压越低,器件动态阻抗整体偏大,随稳压值提升动态阻抗逐步降低,负载调整性能同步优化;全系列反向漏电流随稳压电压升高持续减小,27V 以上高压档位反向漏电流低至 0.04μA 级别,对微弱信号采样、高精度 ADC 基准电路干扰极低,批次间稳压电压离散度依托晶圆分选工艺稳定可控,电气指标对标市面同封装通用稳压二极管标准,低压档位动态阻抗随工作电流提升明显下降,1mA、5mA、20mA 三组测试电流下阻抗梯度清晰,可支撑不同负载电流工况下的稳压精度预判,寄生电容参数随稳压电压提升逐步降低,适配低速模拟电路、IO 电平钳位、电源反馈回路等场景,高频高速信号链路使用时需配套补偿电容优化信号完整性。
瑞斯特 (RST) BZT52B2V4T1G~BZT52B75T1G 全系列器件依靠反向齐纳击穿原理实现并联稳压功能,搭配前端限流电阻构成基础稳压、电压钳位、静电泄放、基准电压生成四类通用电路拓扑,不同稳压档位可按需匹配电路内部各供电轨电位,2.4V~5V 低压档位多用于 MCU 内核、各类传感器、低速 IO 端口基准电压生成与信号钳位,6.2V~24V 中压档位适配 LED 驱动、小型运放、逻辑芯片供电稳压,27V~75V 高压档位主要用于开关电源次级回路、高压检测采样电路的过压钳位防护。全系统一 500mW 额定功率约束器件工作电流区间,电路设计阶段需结合输入输出压差、最大负载电流核算限流电阻阻值,将稳压管工作电流稳定在膝点电流至额定测试电流区间,规避电流过低造成稳压精度劣化、电流超上限引发热击穿失效两类工况;SOD-123 标准贴片封装体积紧凑,可布设于芯片引脚周边、PCB 狭小布线间隙,在高密度板卡中大幅节省布局面积,塑封结构具备常规防潮、抗硫化性能,兼容标准回流焊温度曲线,无特殊贴片、仓储管控要求,相比直插封装稳压二极管,能够有效缩减整机板卡尺寸与装配人工成本,统一封装规格可简化产线贴装流程,减少产线换线调试频次。
瑞斯特 (RST) BZT52B2V4T1G 至 BZT52B75T1G 宽电压稳压系列适配多类小型化、高密度电子硬件电路场景,移动电话、蓝牙耳机、智能手环等手持便携终端可选用 2.4V~15V 低压档位,为主控单元、触摸传感、蓝牙射频模块提供稳定基准电压,抑制电池电压波动带来的信号失真;电脑主板、存储扩展小板、显卡副板等高密度 PC 配套板卡可覆盖 2.4V~24V 全档位,针对各类小型外设芯片、指示灯驱动电路实现稳压与过压防护;便携式工业检测设备、低功耗物联网传感采集模块可按需选取全系列任意稳压档位,为模数转换芯片、精密运算放大器提供稳定参考电位,宽温工作环境下可结合器件温度系数开展软件校准或硬件补偿设计;小型充电辅助板、中小功率开关电源次级反馈回路优先选用 30V~75V 高压档位,实现空载、负载突变工况下输出电压钳位,抑制电压冲高损坏后端元器件,全系统一 SOD-123 封装规格,硬件设计可根据整机多电压域需求自由搭配不同稳压值器件,统一封装能够减少 BOM 物料种类,降低采购、仓储与贴片生产管控成本,适配大批量标准化电子产品开发与自动化量产流程。
为你推荐
-
瑞斯特(RST) LR008N06SM10 大电流低压MOSFET技术解读2026-09-19 18:49
产品型号:LR008N06SM10 -
瑞斯特(RST) LR006N04SD10 40V低导通电阻N沟道MOSFET技术解析2026-09-19 18:48
产品型号: LR006N04SD10 -
瑞斯特(RST) FMMT720 高增益低饱和PNP开关三极管技术解析2026-09-19 18:44
产品型号:FMMT720 -
瑞斯特(RST) FMMT619 中压低饱和压降NPN晶体管技术分析2026-09-19 18:43
产品型号:FMMT619 -
瑞斯特(RST) FMMT618 超低饱和压降NPN晶体管技术解析2026-09-19 18:42
产品型号: FMMT618 -
瑞斯特(RST) FMMT593 高压PNP三极管技术分析2026-09-19 18:40
产品型号:FMMT593 -
瑞斯特(RST) FMMT591 PNP型三极管技术特性解析2026-09-19 18:38
产品型号:FMMT591 -
瑞斯特(RST) FMMT495高压NPN晶体管技术特性分析2026-09-19 18:37
产品型号: FMMT495 -
瑞斯特(RST) FMMT493 NPN型晶体管技术解析2026-09-19 18:34
产品型号:FMMT493 -
瑞斯特(RST) FMMT491 NPN型三极管技术解析2026-09-19 18:33
产品型号:FMMT491
-
瑞斯特半导体顺利通过ISO 9001、14001、45001 三大管理体系认证2026-08-05 22:14
-
瑞斯特(RST)体系保障之销售与服务体系2026-06-30 22:02
-
瑞斯特(RST)体系保障之人力资源与文化体系2026-06-22 22:10
-
瑞斯特(RST)体系保障之供应链与制造体系2026-06-15 22:08
-
瑞斯特(RST)体系保障之研发与工程体系2026-06-12 22:16
-
避开红海,深耕蓝海:为什么瑞斯特半导体(RST)将“腰部客户”作为战略核心2026-06-12 22:13
-
瑞斯特RST四大核心经营理念2026-05-19 21:25
-
以精工智造,驱动产业效率,赋能美好生活:瑞斯特半导体的时代使命2026-05-15 08:22
-
于方寸之间,创造无限可能:瑞斯特半导体的破局之道2026-05-15 08:20
-
永不失联:瑞斯特半导体的信仰,亦是国产芯片的时代答卷2026-05-15 08:19