型号简介
BLF8G10LS-160是Ampleon(安谱隆)推出的一款功率 LDMOS 晶体管 ，它的静态特性令人赞叹，其漏源击穿电压高达 65 V，仿佛一位勇猛的战士，能够承受巨大的电压应力，无所畏惧。栅源阈值电压在 1.5 V 到 2.3 V 之间，确保了晶体管在低电压下的稳定工作，仿佛一位忠诚的伙伴，始终陪伴着我们。
型号规格
- 品牌：Ampleon(安谱隆)
- 型号：BLF8G10LS-160
- 类别：晶体管
- 封装：SOT1211-3
型号特点
- 漏源击穿电压 (V(BR)DSS): 65 V
- 栅源阈值电压 (VGS(th)): 1.5 V - 2.3 V
- 漏极漏电流 (IDSS): 5 μA (最大值)
- 漏极截止电流 (IDSX): 37.0 A
- 栅极漏电流 (IGSS): 0.5 μA (最大值)
- 正向跨导 (gfs): 14.6 S (最大值)
- 漏源导通电阻 (RDS(on)): 86 mΩ (最大值)
应用范围
- 射频功率放大器
- 工业应用
相关型号
- BLF6G10LS-200RN
- BLM8G0710S-60PB
- BLP8G10S-270PW
- BLM8G0710S-60PBG
- BLF8G10LS-300P
- BLF8G09LS-400PGW
- BLF8G09LS-400PW
- BLF8G09LS-270GW
- BLF8G09LS-270W
- BLP7G22-05
- BLP8G10S-45P
- BLP8G10S-45PG
- BLF8G10LS-270V
- BLF8G10LS-270GV
- BLF8G10LS-270
