类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;
Unigroup Microelectronics
类型:N沟道;漏源电压(Vdss):1.2kV;连续漏极电流(Id):12A;功率(Pd):34W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):620mΩ@10V,3A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):60nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):2.573nF@100V;反向传输电容(Crss@Vds):2.3pF@100V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);
Unigroup Microelectronics
类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):130A;功率(Pd):235W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):146nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):6.32nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):359pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);
Unigroup Microelectronics
类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):23W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):840mΩ@10V,1A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):7nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):350pF@50V;反向传输电容(Crss@Vds):2.6pF@50V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);
Unigroup Microelectronics
类型:N沟道;漏源电压(Vdss):800V;连续漏极电流(Id):17A;功率(Pd):151W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):270mΩ@10V,8.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):42.95nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.8309nF@100V;反向传输电容(Crss@Vds):0.88pF@100V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);
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类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):40A;功率(Pd):60W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):14mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.7V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):50nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):2.5nF@20V;反向传输电容(Crss@Vds):254pF@20V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj);
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