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立年电子科技

射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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立年电子科技产品

  • FLM3135-18F C波段 内部匹配 FET2023-12-09 14:58

    产品型号：FLM3135-18F 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：FLM3135-18F 名称：High Power GaAs FET高功率砷化镓场效应管 产地：日本 封装：lK

  • FLM1314-8F X、Ku波段 内部匹配 FET2023-12-08 20:54

    产品型号：FLM1314-8F 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：FLM1314-8F 名称：High Power GaAs FET高功率砷化镓场效应管 产地：日本 封装：IA

  • FLM3135-4F C波段 内部匹配 FET2023-12-08 20:45

    产品型号：FLM3135-4F 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：FLM3135-4F 名称：High Power GaAs FET高功率砷化镓场效应管 产地：日本 封装：lB

  • FLM3135-8F C波段 内部匹配 FET2023-12-08 20:37

    产品型号：FLM3135-8F 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号： FLM3135-8F 名称：High Power GaAs FET高功率砷化镓场效应管 产地：日本 封装：lB

  • FLM5972-12F C波段 内部匹配 FET2023-12-08 20:31

    产品型号：FLM5972-12F 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：FLM5972-12F 名称：High Power GaAs FET高功率砷化镓场效应管 产地：日本 封装：lK

  • FLM5972-4F C波段 内部匹配 FET2023-12-08 20:25

    产品型号：FLM5972-4F 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：FLM5972-4F 名称：High Power GaAs FET高功率砷化镓场效应管 产地：日本 封装：IB

  • FLM5053-4F C波段 内部匹配 FET2023-12-08 20:19

    产品型号：FLM5053-4F 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号： FLM5053-4F 名称：High Power GaAs FET高功率砷化镓场效应管 产地：日本 封装：IB

  • FLM5053-8F C波段 内部匹配 FET2023-12-08 20:09

    产品型号：FLM5053-8F 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：FLM5053-8F 名称：High Power GaAs FET高功率砷化镓场效应管 产地：日本 封装：IK

  • SGNL015Z2K-RT1 DC–3.8GHz 高功率 GaN HEMT2023-12-08 20:03

    产品型号：SGNL015Z2K-RT1 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：SGNL015Z2K-RT1 名称：GaN HEMT 氮化镓高电子迁移率晶体管 产地：日本 封装： DFN

  • FLM5053-18F C波段 内部匹配 FET2023-12-08 19:55

    产品型号：FLM5053-18F 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：FLM5053-18F 名称：High Power GaAs FET高功率砷化镓场效应管 产地：日本 封装：lK
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