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立年电子科技

射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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立年电子科技产品

  • FSX017LGT 超低噪声 HEMT2023-12-09 20:19

    产品型号:FSX017LGT 厂家:Sumitomo Electric Device Innov 型号:FSX017LGT 名称:Small Signal GaAs FET小信号砷化镓 FE 产地:日本 封装:LG*
  • FSX017X GaAs FET 芯片2023-12-09 20:12

    产品型号:FSX017X 厂家:Sumitomo Electric Device Innov 型号:FSX017X 名称:Small Signal GaAs FET小信号砷化镓 FE 产地:日本 封装:Chip
  • FSU01LGT 通用 GaAs FET2023-12-09 20:04

    产品型号:FSU01LGT 厂家:Sumitomo Electric Device Innov 型号:FSU01LGT 名称:Small Signal GaAs FET小信号砷化镓 FE 产地:日本 封装:LG*
  • FSU02LGT 通用 GaAs FET2023-12-09 19:56

    产品型号:FSU02LGT 厂家:Sumitomo Electric Device Innov 型号:FSU02LGT 名称:Small Signal GaAs FET小信号砷化镓 FE 产地:日本 封装:LG*
  • FSU01LG 通用 GaAs FET2023-12-09 19:41

    产品型号:FSU01LG 厂家:Sumitomo Electric Device Innov 型号:FSU01LG 名称: Small Signal GaAs FET小信号砷化镓 F 产地:日本 封装:LG*
  • FSX017LG 超低噪声 HEMT2023-12-09 17:49

    产品型号:FSX017LG 厂家:Sumitomo Electric Device Innov 型号:FSX017LG 名称:Small Signal GaAs FET小信号砷化镓 FE 产地:日本 封装:LG*
  • FSU02LG 通用 GaAs FET2023-12-09 17:26

    产品型号:FSU02LG 厂家:Sumitomo Electric Device Innov 型号:FSU02LG 名称:High Power GaAs FET高功率砷化镓场效应管 产地:日本 封装:LG*
  • FLM1011-3F X、Ku波段 内部匹配 FET2023-12-09 17:18

    产品型号:FLM1011-3F 厂家:Sumitomo Electric Device Innov 型号:FLM1011-3F 名称:High Power GaAs FET高功率砷化镓场效应管 产地:日本 封装:IA
  • FLM6472-4F C波段 内部匹配 FET2023-12-09 17:06

    产品型号:FLM6472-4F 厂家:Sumitomo Electric Device Innov 型号:FLM6472-4F 名称:High Power GaAs FET高功率砷化镓场效应管 产地:日本 封装:lB
  • FLM5964-4F C波段 内部匹配 FET2023-12-09 15:05

    产品型号:FLM5964-4F 厂家: Sumitomo Electric Device Inno 型号:FLM5964-4F 名称:High Power GaAs FET高功率砷化镓场效应管 产地:日本 封装:lK