企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

立年电子科技

射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

8k 内容数 99w+ 浏览量 307 粉丝

立年电子科技产品

  • SGN3133-260L-R 雷达用高压大功率GaN HEMT2023-12-10 15:34

    产品型号：SGN3133-260L-R 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：SGN3133-260L-R 名称：IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管 产地：日本 封装：IV

  • SGN3035-150L-R 雷达用高压大功率GaN HEMT2023-12-10 15:28

    产品型号：SGN3035-150L-R 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：SGN3035-150L-R 名称：IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管 产地：日本 封装：IV

  • SGN2731-500L-R 雷达用高压大功率GaN HEMT2023-12-10 15:19

    产品型号：SGN2731-500L-R 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：SGN2731-500L-R 名称：IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管 产地：日本 封装：IV

  • SGC9395-200B-R X波段 内部匹配 GaN HEMT2023-12-10 15:09

    产品型号：SGC9395-200B-R 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：SGC9395-200B-R 名称：IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管 产地：日本 封装：IK

  • SGC9395-130B-R X波段 内部匹配 GaN HEMT2023-12-10 15:02

    产品型号：SGC9395-130B-R 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：SGC9395-130B-R 名称：IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管 产地：日本 封装：IK

  • SGC1112-100B-R X波段 内部匹配 GaN HEMT2023-12-10 14:57

    产品型号：SGC1112-100B-R 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：SGC1112-100B-R 名称：IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管 产地：日本 封装：IK

  • SGC9395-100B-R X波段 内部匹配 GaN HEMT2023-12-10 14:50

    产品型号：SGC9395-100B-R 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：SGC9395-100B-R 名称：IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管 产地：日本 封装：IK

  • SGC9395-50B-R C波段 部匹配 GaN HEMT2023-12-10 14:44

    产品型号：SGC9395-50B-R 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：SGC9395-50B-R 名称：IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管 产地：日本 封装：IK

  • SGC5259-300B-R C波段 部匹配 GaN HEMT2023-12-10 14:37

    产品型号：SGC5259-300B-R 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：SGC5259-300B-R 名称：IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管 产地：日本 封装：IK

  • SGC52589-50B-R C波段 部匹配 GaN HEMT2023-12-10 14:22

    产品型号：SGC52589-50B-R 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：SGC52589-50B-R 名称：IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管 产地：日本 封装：IBK
322323324325326327328329330331332 789