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立年电子科技

射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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立年电子科技产品

  • SGK1314-30A Ku带 内部匹配 GaN HEMT2023-12-11 13:18

    产品型号：SGK1314-30A 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：SGK1314-30A 名称：IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管 产地：日本 封装：IBK

  • SGM6901VU X波段 24W GaN HEMT模块2023-12-11 13:11

    产品型号：SGM6901VU 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：SGM6901VU 名称：IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管 产地：日本 封装：VU

  • SGK1314-60B ku带 内部匹配 GaN HEMT2023-12-11 13:04

    产品型号：SGK1314-60B 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：SGK1314-60B 名称： IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管 产地：日本 封装：IBK

  • SGC0910-300B-R X波段 内部匹配 GaN HEMT2023-12-11 12:15

    产品型号：SGC0910-300B-R 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：SGC0910-300B-R 名称：IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管 产地：日本 封装：IK

  • SGC8595-300B-R X波段 内部匹配 GaN HEMT2023-12-11 12:09

    产品型号：SGC8595-300B-R 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号： SGC8595-300B-R 名称： IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管 产地：日本 封装：IK

  • SGC1011-300B-R X波段 内部匹配 GaN HEMT2023-12-11 12:03

    产品型号：SGC1011-300B-R 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：SGC1011-300B-R 名称：IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管 产地：日本 封装：IK

  • SGK1314-30B ku带 内部匹配 GaN HEMT2023-12-11 11:55

    产品型号：SGK1314-30B 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：SGK1314-30B 名称：IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管 产地：日本 封装：IBK

  • SGC0910-200B-R X波段 内部匹配 GaN HEMT2023-12-11 11:48

    产品型号：SGC0910-200B-R 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：SGC0910-200B-R 名称：IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管 产地：日本 封装：IK

  • SGC8598-50B-R X波段 内部匹配 GaN HEMT2023-12-11 11:42

    产品型号：SGC8598-50B-R 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：SGC8598-50B-R 名称： IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管 产地：日本 封装：IK

  • SGC8598-200B-R X波段 内部匹配 GaN HEMT2023-12-11 11:35

    产品型号：SGC8598-200B-R 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：SGC8598-200B-R 名称：IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管 产地：日本 封装：IK
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