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立年电子科技

射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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立年电子科技产品

  • F658-5867-100A C波段 内部匹配 GaN HEMT2023-12-11 11:28

    产品型号：F658-5867-100A 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号： F658-5867-100A 名称：IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管 产地：日本 封装：I2F

  • SGC8598-100B-R X波段 内部匹配 GaN HEMT2023-12-11 11:20

    产品型号：SGC8598-100B-R 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：SGC8598-100B-R 名称：IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管 产地：日本 封装：IK

  • SGC5259-400B-R C波段 内部匹配 GaN HEMT2023-12-10 21:17

    产品型号：SGC5259-400B-R 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：SGC5259-400B-R 名称： IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管 产地：日本 封装：封装

  • SGC7178-100A C波段 内部匹配 GaN HEMT2023-12-10 21:10

    产品型号：SGC7178-100A 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：SGC7178-100A 名称：IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管 产地：日本 封装：IK

  • SGC7172-30A C波段 内部匹配 GaN HEMT2023-12-10 21:01

    产品型号：SGC7172-30A 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：SGC7172-30A 名称：IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管 产地：日本 封装：IK

  • SGN3133-260H-R 雷达用高压大功率 GaN HEMT2023-12-10 20:51

    产品型号：SGN3133-260H-R 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：SGN3133-260H-R 名称：IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管 产地：日本 封装：IK

  • SGC7172-120A C波段 内部匹配 GaN HEMT2023-12-10 20:42

    产品型号：SGC7172-120A 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：SGC7172-120A 名称：IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管 产地：日本 封装：IK

  • SGK5867-30C C波段 内部匹配 GaN HEMT2023-12-10 20:35

    产品型号：SGK5867-30C 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：SGK5867-30C 名称：IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管 产地：日本 封装：IBK

  • SGK5872-20C C波段 内部匹配 GaN HEMT2023-12-10 17:56

    产品型号：SGK5872-20C 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：SGK5872-20C 名称：IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管 产地：日本 封装：IBK

  • SGC9395-300B-R X波段 内部匹配 GaN HEMT2023-12-10 15:43

    产品型号：SGC9395-300B-R 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：SGC9395-300B-R 名称：IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管 产地：日本 封装：IK
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