企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

立年电子科技

射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

7.6k 内容数 99w+ 浏览量 277 粉丝

SGK5872-20C C波段 内部匹配 GaN HEMT

型号: SGK5872-20C

--- 产品参数 ---

  • 厂家 Sumitomo Electric Device Innov
  • 型号 SGK5872-20C
  • 名称 IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管
  • 产地 日本
  • 封装 IBK

--- 产品详情 ---

SGK5872-20C

型号简介
Sumitomo的ES/SG5872-20C是一种高功率GaN HEMT与标准通信频带匹配,以提供最佳功率和线性。


型号规格  
厂家                    Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A. 
型号                    SGK5872-20C
名称                    IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管
产地                    日本
封装                    IBK


型号参数
高输出功率:P5dB=43.0dBm(典型值)
高增益:GL=14.0至15.0dB(典型值)
高功率附加效率:PAE=41%(典型值)
宽带:频率=5.85至7.2GHz
内部匹配
SMT应用的塑料封装


相关型号
FSX017X
FSX017LGT
FSU02LG
FSX017LG
FSU01LG
FSU02LGT
FSX017LGT
FSU01LGT
SGC52589-50B-R
SGC5259-300B-R
SGC9395-50B-R
SGC9395-100B-R
SGC1112-100B-R
SGC9395-130B-R
SGC9395-200B-R
SGN2731-500L-R
SGN3035-150L-R
SGN3133-260L-R
SGC9395-300B-R
SGM6906VUT
SGK5872-20C

为你推荐