SGC5259-400B-R C波段内部匹配 GaN HEMT

C波段 GaN HEMT

型号： SGC5259-400B-R

--- 产品参数 ---

厂家 Sumitomo Electric Device Innov
型号 SGC5259-400B-R
名称 IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管
产地日本
封装封装

--- 产品详情 ---

型号简介
Sumitomo的SGC5259-400B-R是一种高功率GaN HEMT与C波段雷达波段匹配，以提供最佳功率和增益在50欧姆的系统中。

型号规格
厂家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型号 SGC5259-400B-R
名称 IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管
产地日本
封装 IK

型号参数
高输出功率：Psat=57.2dBm（典型值）
高增益：Gp=14.2dB（典型值）
高排水效率：DE=50%（典型值）
宽带：5.2至5.9GHz
阻抗匹配Zin/Zout=50欧姆
密封包装

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