STD26NF10

制造商：STMicroelectronics

描述：MOSFET N-CH 100V 25A DPAK

Datasheet：

在线询价

器件参数

Function

配置

Single
连续漏极电流

25 A
输入偏置电容@25V

1.55 nF
类型

N沟道
等级

Automotive
漏源电阻

38 mΩ
漏源电压

100 V
漏源极击穿电压

100 V
漏源导通电阻@10V,12.5A

38 mΩ
漏源导通电阻

38 mΩ
栅源电压

20 V
栅源极阈值电压@250uA

4 V
栅极电荷@10V

55 nC
晶体管类型

N沟道
接通延迟时间

17 ns
功率耗散

100 W
关闭延迟时间

60 ns
元件数量

1
下降时间

15 ns
上升时间

60 ns

Physical

抗辐射加固

No
引脚数

3
工作温度@Tj

175 °C
工作温度(Min)

-55 °C
工作温度(Max)

175 °C
安装方式

Surface Mount
包装方式

Tape and Reel
包装数量

1
制造商封装

TO-252-2(DPAK)

Compliance

无铅

Lead Free

开发资料查看更多

LLVM clang 公开 -std=c++23

TCLL26E10液晶电视V26机芯原理图相关资料推荐

SAC-STD标准

hal库代替std库

使用STM32的标准库（STD）做个产品例程

STD26NF10

HC32L130 SPI和GPIO模拟驱动NF-03和NF-01-s

可处理10Vdc至32Vdc电压的26V SEPIC包括原理图

STD母线垫每孔原型板的资料分享

霍尼韦尔STD800差压变送器

技术文章查看更多

深入解析 STB35NF10 和 STP35NF10 N 沟道功率 MOSFET

std：：function简介及模板类声明

EMI502NF08VM-10C国产SRAM芯片PIN2PIN替换IS61WV2568EDBLL-10TLI-ND

动态数组和C++ std::vector详解

三星CL10B103KC8WPNC：10nF汽车电容如何提升ADAS系统稳定性

韩国NF怎么样，韩国NF功放效果如何

（NDK晶振）STD-CSR-3和STD-CSR-6的差异

C++ std::tie函数的作用和用法

索尼Xperia手机将于10月26日发布

霍尼韦尔STD110/STD120微差压变送器

社区问答查看更多

STD134NF7AG MOSFET的spice模型在哪

LLVM clang 公开 -std=c++23

60V 12A N沟道功率场效应（MOS）管单管 STD12NF06LT4

AD5933 2K频率测量10nF级别电容不准是为什么？

如何使用std::future/std::promise 和 std::packaged_task来促进esp32上的多线程？

SAC-STD标准

TCLL26E10液晶电视V26机芯原理图相关资料推荐

使用STM32的标准库（STD）做个产品例程

对于VDD线，100nF和10uF必须分别是陶瓷和铝吗？

解决深度无盘NF网卡的问题

库存量：0

预计交期：

数量

单价

总价(阶梯最低数量总价)

EDA模型

下载zip

原理图符号

封装

3D模型

替代物料