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CNY17F4VM

制造商:ON Semiconductor

描述:OPTOISO 4.17KV TRANS 6DIP

Datasheet:

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器件参数

Function

  • 集电极电流
    50 mA
  • 集电极发射极饱和电压@2.5mA,10mA
    400 mV
  • 集电极-发射极电压
    70 V
  • 隔离电压
    4.17 kV
  • 通道数量
    1
  • 输出类型
    光电三极管
  • 输出端数量
    1
  • 输出电流
    50 mA
  • 输出电压
    70 V
  • 输入电流
    60 mA
  • 输入电压类型
    DC
  • 电流传递比
    320 %
  • 每个通道的输出电流
    50 mA
  • 正向电流
    60 mA
  • 正向电压
    1.15 V
  • 反向电压
    6 V
  • 反向击穿电压
    6 V
  • 功率耗散
    250 mW
  • 元件数量
    1
  • 下降时间
    24 µs
  • 上升时间
    6 µs

Physical

  • 重量
    0.030159 oz
  • 触点镀层
    Tin
  • 引脚数
    6
  • 工作温度(Min)
    -40 °C
  • 工作温度(Max)
    100 °C
  • 工作温度
    100 °C
  • 安装方式
    Through Hole
  • 包装方式
    Bulk
  • 制造商封装
    DIP-6

Compliance

  • RoHS
    Pb-free
库存量:0
预计交期:
数量
单价
总价(阶梯最低数量总价)

EDA模型
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原理图符号
封装
3D模型

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