AP2302BI

制造商：APM-Microelectronics

描述：20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Datasheet：

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器件参数

Function

阈值电压

660 mV
连续漏极电流

2.3 A
输入偏置电容@10V

280 pF
类型

N沟道
漏源电压

20 V
漏源导通电阻@4.5V,2A

43 mΩ
栅源极阈值电压@250uA

660 mV
栅极电荷@4.5V

2.9 nC
晶体管类型

N沟道
反向传输电容@10V

29 pF
功率耗散

700 mW
击穿电压

21 V

Physical

工作温度@Tj

150 °C
工作温度(Min)

-55 °C
工作温度(Max)

150 °C
安装方式

SMT
包装方式

3000pcs
制造商封装

SOT-23(TO-236)

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