AP20H03NF

制造商：APM-Microelectronics

描述：类型:2个N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):24.7A;功率(Pd):19.2W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.5mΩ@10V,15A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):9.82nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):896pF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):108pF@15V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);

Datasheet：

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器件参数

Function

连续漏极电流

24.7 A
输入偏置电容@15V

896 pF
类型

2个N沟道
漏源电压

30 V
漏源导通电阻@10V,15A

8.5 mΩ
栅源极阈值电压@250uA

2.5 V
栅极电荷@4.5V

9.82 nC
反向传输电容@15V

108 pF
功率耗散

19.2 W

Physical

工作温度@Tj

150 °C
工作温度(Min)

-55 °C
工作温度(Max)

150 °C
制造商封装

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