深圳市浮思特科技有限公司文章

• SemiQ推出1700 V SiC MOSFET系列，助力中压大功率转换领域2025-01-22 11:03

  

  近日，全球知名碳化硅(SiC)功率半导体制造商SemiQ正式发布了一款1700 V SiC MOSFET系列新品，专为中压大功率转换应用设计。

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• 揭示电子行业中氮化铝的3个常见误区2025-01-22 11:02

  

  虽然早在1862年就首次开发了氮化铝(AIN)，但直到20世纪80年代，其在电子行业中的潜力才被真正认识到。经过几年的发展，氮化铝凭借其独特的特性，成为下一代电力电子设备(如可再生能源系统和电动汽车)理想的材料。根据BusinessResearchInsights的报告，到2031年，氮化铝的市场价值预计将以每年6.9%的复合年增长率(CAGR)增长。这表明

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• 台积电扩展CoWoS产能以满足AI与HPC市场需求！2025-01-21 11:41

  

  台积电(TSMC)，作为全球半导体行业的巨头，一直以来致力于满足不断增长的市场需求，尤其是在人工智能(AI)和高性能计算(HPC)领域。近日，台积电向台湾南部科学工业园区(南科)管理局提交了租地申请，计划在南科三期建设两座新的晶圆厂以及一栋办公大楼，以扩大其先进封装技术CoWoS(ChiponWaferonSubstrate)的产能。这一举措不仅展示了台积电

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• 超电容器能否为下一代电动汽车提供动力?2025-01-21 11:40

  

  锂离子电池在电动汽车(EV)的发展中发挥了重要作用。它们已经成为一种可持续交通工具，但距离电动汽车的最终愿景还有很大差距。工程师和嵌入式系统专业人士正在通过超电容器寻找改进的电源。专家们认为，超电容器是解决现代电池负面问题的方案，如寿命周期和充电速度。那么，这究竟有多真实?超电容器能为电动汽车带来哪些优势?传统电池的问题是广泛采用的一大担忧，因为这导致人们对

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• 日本半导体制造设备销售额预期上调，创历史新高！2025-01-20 11:42

  

  近日，日本半导体制造装置协会(SEAJ)发布了对2024年度日本制造半导体制造设备销售额的最新预期，预计这一数值将达到44,371亿日元，创下历史新高。这一乐观的预测引起了业界的广泛关注，也反映出全球半导体市场尤其是中国大陆与人工智能(AI)领域对芯片设备的强劲需求。在分析销售额增长原因时，SEAJ指出，中国大陆的市场需求显著提升，成为推动日本半导体制造设备

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• 光伏系统的三种类型及其应用分析2025-01-20 11:40

  

  光伏(PV)系统可以根据设置和应用来设计，以满足各种能源需求。第一种类型仅在日光下运行，将阳光直接转化为电能，不储存以备后用，适合于偏远地区的水泵和通风系统。另一种配置使用直流电(DC)和电池存储，即使在夜间或阴天也能持续供电，常用于离网或偏远地区的设置。第三种系统为交流电(AC)负载供电，使用逆变器将直流电转化为交流电，使其可以与住宅和商业电器兼容。仅日间

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• 荷兰政府加强半导体设备出口管制，确保技术安全！2025-01-17 11:38

  

  近日，荷兰政府宣布，从2025年4月1日起，将对出口先进半导体设备实施更加严格的管制措施。这一决定引发了业界的广泛关注，尤其是全球半导体行业的重要企业和相关合作伙伴。根据荷兰政府发布的信息，新出口管制措施主要针对数量“非常有限”的先进技术。具体而言，这些技术涉及测量和检测设备，特别是用于检测晶圆微小缺陷的技术，以及改进沉积和蚀刻工艺的设备。荷兰贸易部发言人在

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• HMI在智能制造与工业自动化中的作用2025-01-17 11:34

  

  在工业4.0时代，先进技术的融入正在彻底改变工业运作的方式。在实现无缝操作的过程中，人机界面(HMI)是不可或缺的关键组成部分。HMI在智能制造与工业自动化中扮演了至关重要的角色，使操作员和工程师能够与机器、系统和相关流程进行交互。那么，HMI究竟是什么?为什么它在现代制造业中如此重要?HMI的定义人机界面(HMI，Human-MachineInterfac

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• 英飞凌推出MOTIX™ BTM90xx系列，助力汽车智能低压电机控制2025-01-16 10:57

  

  随着全球汽车行业的不断发展，智能化、节能化和高可靠性成为汽车制造商追求的核心目标。汽车用户对驾驶体验的要求日益提高，传统被视为优质的功能如今已成为基础配置，未来的车辆用户体验将在很大程度上依赖于先进的智能技术。针对这一趋势，英飞凌科技(InfineonTechnologies)推出了全新的MOTIX™BTM90xx系列全桥/H桥集成电路(IC)，为有刷直流电

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• 垂直与横向GaN功率器件单片集成的高效隔离技术2025-01-16 10:55

  

  垂直和横向氮化镓(GaN)器件的集成可以成为功率电子学领域的一次革命性进展。这种集成能够使驱动和控制横向GaN器件与垂直功率器件紧密相邻。在本文中，我们将总结一种解决横向和垂直器件隔离问题的方法。这项技术为横向和垂直GaN(vGaN)器件的单片集成提供了一种简单且可靠的潜在方法。垂直GaN器件横向GaNHEMT器件已广泛应用于许多领域，包括电源适配器和数据中

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