深圳市浮思特科技有限公司文章

• 三星推出全新无线充电芯片S2MIW06，支持最高50W无线快充2025-01-15 11:06

  

  2025年1月14日，全球科技巨头三星正式宣布推出其最新的无线充电芯片S2MIW06。这款芯片以其突破性的性能与全面兼容性迅速引起了业界的广泛关注。S2MIW06不仅支持最高50W的无线快充，还具备反向无线充电功能，为用户提供了更高效便捷的无线充电解决方案。作为无线充电技术领域的又一重要里程碑，三星S2MIW06芯片将无线充电功率提升至最高50W，这将使充电

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• 高压逆变器中的载波基础PWM技术比较2025-01-15 11:01

  

  高压逆变器是可再生能源系统的重要组成部分，这些逆变器依赖脉宽调制(PWM)来控制电力转换过程。PWM使得波形生成和电力质量的精确控制成为可能，同时有效地抑制谐波。通过调节电压脉冲的宽度，可以在高压逆变器中近似出所需的交流波形，从而实现有效且平稳的电力传输给负载。载波波形的形状在与参考信号进行比较时区分了不同的PWM技术。主要的三种载波基础PWM技术包括三角波

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• 2024全球半导体市场增长，区域表现分化趋势明显2025-01-14 11:04

  

  根据美国半导体行业协会(SIA)近日发布的数据显示，2024年11月全球半导体销售额达到578亿美元，环比增长1.6%，连续第八个月实现月度增长，同时也创下了新的历史纪录。这一数据表明，全球半导体行业在经历过去几年的波动后，正在持续复苏并保持强劲的增长态势。在全球半导体销售表现中，美洲地区成为最大的亮点。11月，美洲地区的销售额达到195亿美元，占全球总额的

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• 高电压转换器与电动车应用：NPC多电平逆变器为何如此关键?2025-01-14 11:02

  

  随着能源需求的持续增长，电流在传输和利用过程中出现了许多问题。特别是，智能电网的增长和可再生能源的使用对电能的“质量”提出了更高的要求，例如减少谐波和在电网中平衡有功与无功功率的能力，因此需要使用静态无功补偿器(STATCOM)。简单来说，它们由电力电子设备组成，动态提供无功功率支持，在负载或发电波动期间帮助稳定电压水平。通常，它们位于高电压侧(从30kV到

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• 瑞萨电子推出新型 100V 高功率 MOSFET，助力多领域应用2025-01-13 11:41

  

  近日，瑞萨电子公司宣布推出新型100V高功率N沟道MOSFET。这款产品专为电机控制、电池管理系统、电源管理及充电应用而设计，以其卓越的高电流开关性能和行业领先的技术表现成为市场焦点。新型MOSFET的核心亮点在于采用了瑞萨电子创新的晶圆制造工艺——REXFET-1。这项技术有效降低了MOSFET的导通电阻(Rdson)高达30%，从而显著减少了功率损耗，为

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• SiC功率器件如何在极端高温条件下保持稳定性能？2025-01-13 11:40

  

  随着DC/DC电源转换器、电动汽车车载充电器(OBC)、工业电机驱动器、太阳能逆变器以及牵引逆变器等应用对功率密度的需求日益提高，系统的工作温度也随之增加。这需要使用能够在高达175°C温度下安全运行的元器件。基于宽禁带材料(如碳化硅，SiC)制造的器件满足了这一要求，并在这些应用中越来越受欢迎。然而，即使是SiCMOSFET，在高温下也会表现出复杂的行为，

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• 意法半导体推出全新IO-Link参考设计 助力智能工业应用2025-01-10 11:55

  

  日前，全球知名的半导体领导企业意法半导体正式发布了一款全新的IO-Link参考设计——EVLIOL4LSV1电路板。此产品以其强大的功能和高集成度，旨在为工业监控和设备制造商提供高效可靠的一站式解决方案。EVLIOL4LSV1电路板采用了ST先进的L6364Q双通道IO-Link收发器和IPS4260L低边功率开关。这种设计使得该电路板能够直接连接到智能警示

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• 第六代双极功率模块如何推动工业应用的性能升级?2025-01-10 11:52

  

  双极模块在工业工频应用中仍然是一种稳健且具有成本效益的解决方案。尽管此类电路的基本操作方式没有变化，但功率模块的封装技术却在不断进步。自1975年SEMIPACK隔离底板整流模块问世以来，它已发展成为一个覆盖多种电流和拓扑的大型产品系列，成为50/60Hz整流器和交流控制器的标准，并广泛应用于电机驱动、不间断电源(UPS)系统及过程控制等市场。SEMIPAC

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• 安森美成功收购纽约州德威特GaN晶圆制造厂，助力技术布局！2025-01-08 11:40

  

  近日，全球领先的半导体解决方案供应商安森美(onsemi)宣布，以2000万美元的价格成功收购位于美国纽约州德威特的原NexGenPowerSystems氮化镓(GaN)晶圆制造厂。这项交易受到业界广泛关注，标志着安森美在功率半导体领域的进一步布局。该晶圆制造厂最初由纽约州政府斥资近1亿美元建造，旨在推动当地先进制造业的发展。然而，由于市场波动和企业运营问题

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• 碳化硅IGBT在汽车领域的关键作用是什么?2025-01-08 11:38

  

  自电动汽车大规模普及的早期阶段以来，碳化硅(SiC)和其他宽禁带(WBG)技术就被认为是电池电动汽车子系统的理想选择。与传统硅材料相比，宽禁带材料具有更高的禁带宽度和击穿电压，可实现更高的电流密度、更高的开关频率以及更低的总损耗。

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