深圳市浮思特科技有限公司文章

• 德州仪器发布超小型微控制器，推动嵌入式技术微型化2025-03-14 11:03

  

  在全球嵌入式技术领域，德州仪器(TexasInstruments,TI)于近日在德国举办的国际嵌入式展会上震撼亮相，推出了一款革命性的微控制器(MCU)——MSPM0C1104。这款微控制器的面积仅为1.38mm²，较目前市场上最小的MCU小了38%，这一突破性进展将极大推动微型化技术的发展，满足日益增长的市场需求。MSPM0C1104基于高效的ArmCor

  mcu 单片机 微控制器 德州仪器 1443浏览量

• 2 kV SiC功率模块：推动1500 V系统的革命2025-03-14 11:01

  

  由于在可靠性、成本和系统级价值方面的显著提升，具有1700V阻断电压的碳化硅(SiC)在工业电力转换中变得越来越普遍。通过将最新一代SiC芯片的阻断电压扩展至2000V，新的可能性随之而来。以前需要中压器件或多级拓扑的直流链接电压现在可以更轻松地处理。最新的碳化硅电压等级正在促进1500V级逆变器的电路拓扑转变。凭借经过验证的芯片技术、低开关损耗和标准封装，

  SiC 功率模块 碳化硅 1034浏览量

• 意法半导体推出全新STM32U3微控制器，物联网超低功耗创新2025-03-13 11:09

  

  近日，意法半导体(STMicroelectronics)宣布推出新一代STM32U3微控制器(MCU)，旨在为物联网(IoT)设备带来革命性的超低功耗解决方案。这款新产品不仅延续了意法半导体在超低功耗MCU领域的技术积累，更通过一系列创新设计，推动物联网应用的高效能和长续航。STM32U3微控制器搭载了最高96MHz的ARMCortex-M33核心，具备市场

  STM32 微控制器 意法半导体 物联网 1629浏览量

• TRINNO特瑞诺 TGAN25N120ND N沟槽IGBT：感应加热和软开关领域新标杆2025-03-13 11:05

  

  在现代电力电子行业中，IGBT(绝缘栅双极型晶体管)作为一种高效的功率开关器件，广泛应用于各类电力转换设备。TRINNO(特瑞诺)旗下的TGAN25N120NDNPTTrenchIGBT以其卓越的性能和广泛的应用前景受到了大家的青睐。本文将为您详细介绍这一优质功率器件的特点及其应用领域。图1：TGAN25N120NDIGBT卓越的技术特点TGAN25N120

  IGBT 功率开关器件 晶体管 2093浏览量

• 英飞凌2024年MCU市场份额飙升，首次夺得全球微控制器市场首位2025-03-12 11:42

  

  近日，根据市场研究机构Omdia发布的最新报告，英飞凌科技公司(InfineonTechnologiesAG)在2024年的微控制器(MCU)市场份额预计将达到21.3%，相比2023年的17.8%增长了3.5个百分点。这一显著的增长幅度使英飞凌在同业中成为增幅最大的企业，并且标志着其在公司历史上首次在全球微控制器市场登顶。微控制器是现代电子设备的核心组件，

  mcu 微控制器 英飞凌 1250浏览量

• 突破电动汽车动力系统的技术瓶颈：先进的SiC沟槽技术2025-03-12 11:40

  

  随着汽车市场向主流采用加速，电力电子技术已成为创新的基石，推动了卓越的性能和效率。在这一技术演变的前沿，碳化硅(SiC)功率模块作为一项关键进展，重新定义了电动动力系统的能力。电动汽车的日益普及依赖于延长车辆续航里程和降低电池成本。这可以通过减少能量损失和提升逆变器中功率模块的紧凑性来实现。由于SiC功率器件能够实现比传统硅基器件更低的能量损失，因此它们引起

  SiC 动力系统 电动汽车 1323浏览量

• 英飞凌推出新款辐射耐受P沟道MOSFET，助力低地球轨道应用2025-03-11 11:39

  

  英飞凌(Infineon)近日宣布，扩大其辐射耐受功率MOSFET系列，新增P沟道功率MOSFET，以满足日益增长的低地球轨道(LEO)空间应用需求。这一新产品的推出，标志着英飞凌在为新一代“新空间”应用提供高效、可靠的功率器件方面迈出了重要一步。随着航天技术的迅猛发展，LEO卫星星座和其他空间系统的部署需求持续上升。为了成功实施这些次世代项目，工程师们需要

  MOSFET 英飞凌 998浏览量

• 智能计算新纪元：具记忆功能的晶体管问世2025-03-11 11:34

  

  在当今电子工业中，对更快、更高效组件的需求巨大，以满足现代计算的需要。传统晶体管正逐渐达到其物理和操作极限，它们在数据中心中消耗大量能源和空间，尤其是在需要数十亿个晶体管来存储和处理数据的场景下。随着数字数据的急剧增长，这种方法变得不可持续。来自约翰霍普金斯大学的研究团队发现了一种新型记忆电阻器(memristor)，能够拥有更丰富的记忆，提升其效率。该研究

  晶体管 智能计算 电阻器 908浏览量

• Marvell展示2纳米芯片3D堆叠技术，应对设计复杂性挑战！2025-03-07 11:11

  

  随着现代科技的迅猛发展，芯片设计面临着前所未有的挑战。特别是在集成电路(IC)领域，随着设计复杂性的增加，传统的光罩尺寸已经成为制约芯片性能和功能扩展的瓶颈。为了解决这一问题，3D堆叠技术应运而生，成为应对这些挑战的重要手段。近期，Marvell公司在这一领域取得了重大进展，展示了其采用台积电最新2纳米制程的矽智财(IP)解决方案，用于AI和云端基础设施芯片

  Marvell 台积电 芯片设计 1254浏览量

• SiC与GaN技术专利竞争：新兴电力电子领域的创新机遇2025-03-07 11:10

  

  在过去十年中，碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)技术的迅速崛起显著重塑了电力电子行业。这些宽禁带材料提供了诸多优势，如降低功率损耗、更高的开关速度以及能够在高温下工作，使其特别适用于电动汽车(EV)、可再生能源系统和先进通信技术等应用。专利申请通常是一个领域研发和商业活动水平的有力指标。从图1可以看出，SiC和GaN基础的电力电子技术的专利申请趋势在过去十年

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