深圳市浮思特科技有限公司文章

• Microchip Technology委托麦格理集团出售亚利桑那州晶圆厂二号2025-03-21 11:26

  

  近日，MicrochipTechnology公司宣布已委托麦格理集团(MacquarieGroup)，负责其位于亚利桑那州坦佩的晶圆制造工厂——晶圆厂二号的市场推广与出售。这标志着Microchip在调整其制造规模方面迈出了重要一步。MicrochipTechnology是一家全球领先的半导体解决方案提供商，专注于微控制器、模拟半导体、闪存等领域。公司在技术

  microchip 半导体 晶圆 921浏览量

• SiC MOSFET在3-kW LLC变换器设计中的优势2025-03-21 11:25

  

  使用宽带隙半导体材料(如碳化硅或氮化镓)制造的电源开关现在在电力变换器中得到了广泛应用。SiC晶体管的高速开关特性以及低反向恢复电荷，或氮化镓HEMT的零反向恢复电荷，使设计师能够制造比基于硅的替代品更小且高效的电力系统。然而，尽管氮化镓和碳化硅有如此多的优势，这些开关类型与经过验证的硅MOSFET或IGBT相比仍显得有些陌生。FutureElectroni

  LLC变换器 SiC MOSFET 电源开关 1669浏览量

• Nexperia推出高效耐用的1200 V SiC MOSFET，采用创新X.PAK封装技术2025-03-20 11:18

  

  近日，Nexperia宣布推出一系列新型的1200V碳化硅(SiC)MOSFET，专为满足工业应用中的高效能和耐用性需求而设计。这些新产品不仅具备卓越的温度稳定性，还采用了先进的表面贴装(SMD)封装技术，称为X.PAK。这种封装技术的创新之处在于其顶面冷却设计，使得设备在高功率应用中能够有效散热，极大地提升了整体性能。新推出的X.PAK封装尺寸紧凑，只有1

  MOSFET Nexperia SiC 1270浏览量

• SiC MOSFET与肖特基势垒二极管的完美结合，提升电力转换性能2025-03-20 11:16

  

  使用反向并联的肖特基势垒二极管(SBD)可以提高碳化硅MOSFET在电力转换应用中的性能和可靠性。本文将展示两家SiC器件制造商在集成SBD与MOSFET为单芯片解决方案方面所取得的进展。SiC肖特基二极管SiC肖特基二极管相较于标准的硅p/n二极管提供了许多优势。一个关键优势是缺乏反向恢复损失，这种损失在p/n二极管中尤为显著，特别是在高温、快速切换和高电

  MOSFET SiC 肖特基势垒二极管 1392浏览量

• Navitas推出全球首款双向GaN功率IC2025-03-19 11:15

  

  近日，纳维塔斯半导体公司在亚特兰大举行的APEC2025大会上，宣布推出全球首款双向氮化镓(GaN)功率集成电路(IC)，此举被业界誉为在可再生能源和电动汽车等高功率应用领域的“范式转变”。纳维塔斯首席执行官兼联合创始人基恩·谢里丹在新闻发布会上指出，这款新型双向GaNIC在效率、体积、重量和成本等多个方面都达到了行业顶尖水平。纳维塔斯在大会上推出的双向Ga

  GaN Navitas 功率IC 1514浏览量

• DSA技术：突破EUV光刻瓶颈的革命性解决方案2025-03-19 11:10

  

  为了补偿光子不足，制造商可能会增加曝光剂量，这又会延长光刻过程中停留的时间。然而，这种做法直接影响了生产效率，使得整个过程变得更慢，经济性降低。此外，随着几何尺寸的缩小以适应更小的技术节点，对更高剂量的需求也加剧，从而造成了生产力的瓶颈。DSA技术：一种革命性的方法DSA技术通过利用嵌段共聚物的分子行为来解决EUV光刻面临的挑战。嵌段共聚物由两个或多个化学性

  DSA EUV 半导体 1635浏览量

• onsemi推出新一代SiC智能电力模块，助力降低能耗与系统成本2025-03-18 11:34

  

  近日，半导体技术公司onsemi宣布推出其首代1200V硅碳化物(SiC)智能电力模块(IPM)，型号为SPM31。这款以金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)为基础的模块，凭借卓越的能效和功率密度，成为行业内的一项重大技术进步。新一代EliteSiCSPM31IPM在体积上保持了最紧凑的设计，相较于传统的场停7IGBT技术，具有更显著的能量效率和更低

  IPM SiC 晶体管 1038浏览量

• 突破200 kHz：电力电子硬件在环(HIL)测试的创新解决方案2025-03-18 11:33

  

  “万物电气化”影响着社会和工业的各个领域。为了实现可持续性发展的经济转型，需要低成本且高效的电力电子技术来满足各种应用需求。这不仅要求为每个特定应用开发拓扑结构，还需要高效率的新型半导体技术，例如基于碳化硅(SiC)或氮化镓(GaN)的器件。电动化是能源转型的关键支柱之一。在此领域，除了成本外，转换器的尺寸、重量和功率(例如用于电池充电)也至关重要。为此，上

  HIL 宽带隙器件 测试 电动化 1313浏览量

• LEM(莱姆电子)适用于800V三相牵引逆变器的电流传感器2025-03-17 10:41

  

  目前，越来越多的汽车牵引逆变器开发者开始采用三相功率模块，LEM(莱姆)公司的HAH3DRS07/SP42便是其中一个备受青睐且经过广泛验证的例子。这些模块的兴起，得益于碳化硅(SiC)MOSFET技术的应用，能够支持800V电池系统的实现，从而为车辆提供更长的续航里程和更短的充电时间。HAH3DRS07/SP42，这是一款专为800V三相功率模块设计的紧凑

  lem 电流传感器 逆变器 1309浏览量

• 高级技术推动电动车电池制造的变革与可持续发展2025-03-17 10:40

  

  随着电动车(EV)市场的快速增长，预计到2033年将达到5375.3亿美元，汽车制造商面临的最紧迫挑战之一是确保电动车电池的安全性、可靠性和经济性。电池技术的进步在满足这些需求和确保电动车成功实现大规模推广方面发挥着至关重要的作用。为此，人工智能(AI)、数字双胞胎和先进电池化学等新兴技术正在帮助塑造电动车电池制造的未来，改变生产过程，提升电池性能，并确保可

  人工智能 电动汽车 电动车电池 1258浏览量