深圳市浮思特科技有限公司文章

• 浮思特 | 莱姆电子(LEM)高精度数字电流传感器技术解析2025-04-29 11:47

  

  在电力电子系统中，电流测量精度与可靠性直接影响系统性能。作为全球电流传感器技术领导者，莱姆电子(LEM)推出的HMSRDA系列数字传感器，通过多项专利技术创新，为现代工业与汽车电子提供了突破性解决方案。图1核心技术创新1、Σ-Δ数字调制架构莱姆电子独有的二阶Σ-Δ调制技术，实现模拟信号到数字比特流的直接转换。该技术已应用于HMSRDA系列，具备三大技术特性：

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• 意法半导体收购多伦多初创公司Deeplite，助力边缘AI技术发展！2025-04-28 11:28

  

  近日，意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)宣布已成功收购加拿大多伦多的初创公司Deeplite。这一战略性收购旨在加强意法半导体在边缘人工智能(AI)技术领域的布局，并将Deeplite打造为其全资子公司，以便在未来更好地开发和推广先进的边缘AI解决方案。Deeplite成立于2019年，是一家专注于AI模型优化的软件公司。其核心技术

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• 浮思特 | SiC技术2025：突破性进展与产业变革2025-04-28 11:27

  

  随着电动汽车、可再生能源系统和高性能计算等新兴技术将传统硅技术推向极限，材料科学正在不断发展以满足新的性能需求。功率半导体技术面临着在多样化严苛应用中实现更高电压运行、更优热管理和更高能效的压力。图12024年，碳化硅功率电子领域取得多项重大进展，这一趋势持续至2025年。Soitec的工程化碳化硅基板在电子行业中，MOSFET、IGBT和肖特基二极管等开关

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• SemiQ新一代1200V SiC MOSFET模块：高效能、超快开关与卓越热管理2025-04-25 11:39

  

  近日，半导体技术公司SemiQ宣布推出基于第三代碳化硅(SiC)技术的1200VSOT-227MOSFET模块系列。该系列产品采用先进的共封装设计，具备更快的开关速度、更低的导通与开关损耗，适用于太阳能逆变器、储能系统、电动汽车充电以及高效服务器电源等高性能电力电子应用。SemiQ此次发布的SiCMOSFET模块采用优化的芯片设计，相比前代产品，芯片尺寸更小

  SemiQ SiC 碳化硅 1479浏览量

• 浮思特 | 从硅基到宽禁带：逆变器功率器件的代际跨越与选型策略2025-04-25 11:34

  

  近年来，电力电子技术取得了重大进展。从电动汽车到可再生能源系统，逆变器在直流电转换为交流电的过程中发挥着关键作用。传统上，绝缘栅双极晶体管(IGBT)等硅基功率器件因其可靠性和成熟的制造体系，长期主导着逆变器设计领域。然而，碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽禁带(WBG)功率器件的出现正在重塑行业格局。这些器件具有更高效率、更大功率密度、更快开关频率和更

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• 韩国对华半导体出口锐减23.5%，贸易逆差现象引发关注2025-04-24 11:33

  

  根据韩国产业通商资源部发布的最新数据显示，今年第一季度，韩国对华出口总额达288亿美元，其中半导体出口额为137.3亿美元，占对华出口总额的47%。然而，令人关注的是，韩国对华半导体出口额较去年同期的179.4亿美元下降了23.5%。这一趋势引发了广泛的关注，也暴露出中韩贸易关系中的新动向。对于半导体出口的显著下降，分析人士指出，主要有两个方面的原因。首先，

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• 合成金刚石在半导体与量子领域的突破性应用2025-04-24 11:32

  

  合成金刚石因其在多种应用中提供极致性能的卓越能力，被誉为"超级材料"。其独特属性可深刻改变工艺流程和终端产品性能，适用于半导体、传感器和光学等广泛领域。卓越特性与应用价值电子工业主要采用化学气相沉积(CVD)法培育的合成金刚石。其碳原子以密集四面体结构排列的分子结构，赋予了无与伦比的强度与硬度。核心特性包括：·宽光谱透光性·超高导热率·宽电子带隙·优异抗热震

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• 宽带隙WBG功率晶体管的性能测试与挑战2025-04-23 11:36

  

  功率电子技术的快速发展，得益于宽带隙(WBG)半导体材料的进步，尤其是氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)。与传统硅材料相比，这些材料具有更高的击穿电压、更好的热导率和更快的开关速度。这些特性使得功率晶体管的性能得到了显著提升，开启了更高效率和更快动态响应的可能性。宽带隙晶体管在现代电力系统中扮演着关键角色，包括开关电源(SMPS)、逆变器和电动机驱动器，因为

  GaN SiC 功率晶体管 宽带隙半导体 1176浏览量

• 氮化镓技术驱动的高效逆变器设计：硅与GaN器件的比较分析2025-04-22 11:35

  

  通过重新设计基于氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)的IGBT和MOSFET解决方案，DRS优化的车辆逆变器性能使开关频率提高了四倍，减少了体积和重量，同时实现了98.5%的效率。在DRS，我们设定了一个目标，即设计出改进版的2kVI车辆逆变器。在开发过程中，我们比较了基于硅的IGBT和MOSFET解决方案与最近出现的常关型E-HEMTGaN器件的性能。本

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• 上汽英飞凌无锡扩建功率半导体项目 投资3.1亿元提升产能！2025-04-21 11:57

  

  近日，上汽英飞凌汽车功率半导体(上海)有限公司发布了关于其无锡扩建功率半导体模块产线项目的环境影响评价(环评)公告。该项目的总投资额达到3.1亿元人民币，计划选址于无锡分公司，旨在进一步提升其生产能力，以满足日益增长的市场需求。随着全球汽车行业的快速发展，尤其是电动汽车和智能汽车的崛起，对功率半导体的需求显著增加。功率半导体是电动车和混合动力车中的重要组成部

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