深圳市浮思特科技有限公司文章

• 浮思特 | 超导与半导体单光子探测器：量子通信中的技术博弈2025-05-22 13:42

  

  近日，英国创新署宣布启动MARCONI项目，旨在研发量子密钥分发(QKD)接收器。面对当前网络安全威胁，该机构正通过两项技术推动QKD网络建设，以期构建覆盖英国的全域安全量子通信网络。作为终端设备，这些接收器通过单光子探测器(图1)实现量子密钥的解码与处理——该装置能精确测量携带加密量子密钥的单个光子量子态。图1SPAD与SNSPD系统对比在QKD网络的小型

  半导体 探测器 量子通信 1190浏览量

• 浮思特 | 霍尔效应传感器：非接触式电流测量的关键技术2025-05-21 11:58

  

  霍尔效应由埃德温·霍尔于1879年发现，但直到数十年后技术发展才使得集成电路能够充分利用这一现象。如今，霍尔效应传感器集成电路为实现精确电流测量提供了便捷方案，同时保持被测电流路径与测量电路之间的电气隔离。从洛伦兹力到霍尔效应霍尔效应是洛伦兹力的延伸，后者描述了运动电荷(如电子)在磁场中受到的力。当磁场方向与电子运动方向垂直时，电子将受到一个既垂直于运动方向

  测量电路 电流测量 霍尔效应传感器 1350浏览量

• 霍尔效应电流传感器技术解析：开环与闭环架构的设计2025-05-20 11:59

  

  电流传感器在各类应用场景中广泛使用。传统电阻式电流检测技术通过测量分流电阻两端的压降来推算电流值，但这类方案无法实现电气隔离，且在测量大电流时能效较低。另一种主流技术基于霍尔效应原理。霍尔电流传感器通过感应被测电流产生的磁场进行非接触测量，其电气隔离特性可提供更高的安全性，同时避免了分流电阻方案中的功率损耗问题。本文将深入解析霍尔电流传感器的基本原理。开环电

  测量 电流传感器 霍尔效应 2271浏览量

• 欧洲投资银行计划筹集700亿欧元：致力于AI和半导体发展2025-05-19 11:30

  

  当地时间5月17日，欧洲投资银行(EIB)行长纳迪娅·卡尔维尼奥在一次会议上透露，该行正在推进一项雄心勃勃的新计划，旨在到2027年筹集700亿欧元，以提升欧洲在人工智能和半导体等关键技术领域的能力。此项计划被视为“科技欧盟”项目的一部分，标志着欧盟在全球高科技竞争中的进一步发展和战略布局。卡尔维尼奥在会议上强调，面对全球科技竞争的加剧，尤其是在人工智能和半

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• 浮思特 | 电子电路下拉电阻详解：原理、计算与应用指南2025-05-19 11:29

  

  下拉电阻是电子电路设计中的重要组成部分，尤其在处理数字逻辑、晶体管和通信接口时。本教程将系统讲解其基本原理、计算方式、应用场景、选型要点、功耗考量，以及在晶体管和串行通信线路中的实际应用。什么是下拉电阻?下拉电阻是连接在信号线(如微控制器输入引脚或晶体管栅极)与地(GND)之间的电阻元件。其主要功能是确保当信号线无主动驱动时，能稳定维持在确定的低逻辑电平(通

  下拉电阻 电子电路 电路设计 1536浏览量

• AI驱动半导体产业爆发式增长 2030年全球产值或突破万亿美元大关2025-05-16 11:09

  

  全球半导体产业正迎来新一轮增长周期。台积电全球业务资深副总经理张晓强近日透露，在人工智能(AI)技术的强劲推动下，2025年全球半导体产业同比增长率预计将超过10%。更值得关注的是，到2030年，全球半导体行业总产值有望达到1万亿美元规模，其中AI相关应用将贡献近半壁江山。2024年被业界普遍视为"AI元年"，生成式AI技术的爆发性发展对半导体产业产生了深远

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• 浮思特 | 从IGBT到超结MOSFET：超结MOSFET成冰箱变频技术新宠2025-05-16 11:08

  

  目前全球每年销售约2.2亿台冰箱和冰柜，2024年市场规模约为750亿美元。预计该市场将以6.27%的年复合增长率持续增长，到2032年将达到约1200亿美元。当前冰箱压缩机驱动主要采用两种硅基技术：一种是IGBT，另一种是高压(HV)MOSFET。在这两种技术中，高压MOSFET的采用正在加速，这主要得益于两大趋势。第一个趋势是冰箱压缩机系统的变频化，通过

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• PCIM 2025：面向电动汽车与工业系统的新型SiC功率器件2025-05-14 11:20

  

  随着全球电气化进程加速，工程师们面临着一个核心难题：如何在更紧凑的空间内实现更高功率密度，同时不牺牲散热性能与长期可靠性。无论是电动汽车、可再生能源系统还是先进工业设备，传统硅基功率器件已逼近物理极限。不断提升的开关速度、更严苛的能效要求以及日益复杂的应用场景，都在呼唤性能更强的功率半导体解决方案。为应对这些挑战，SemiQ、英飞凌、安世半导体和纳微半导体四

  SiC 功率器件 电动汽车 1224浏览量

• SiC赋能IGBT：突破硅基极限,开启高压高效新时代2025-05-14 11:18

  

  自1982年由通用电气(GE)首次展示以来，基于硅材料的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)在过去四十余年间经历了显著进化。虽然GE最早实现了IGBT的商业化，但东芝公司通过解决闩锁效应问题，大幅拓展了这一功率器件的商业应用版图。随后，众多厂商的加入推动该器件在电力转换和电机驱动等领域的广泛应用。时至今日，全球已有约20家主要供应商，市场规模从最初的数百万美元扩展

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• 全球功率半导体市场规模缩减 比亚迪半导体首进前十2025-05-13 11:23

  

  2025财年第二季度，英飞凌科技公司(InfineonTechnologies)于5月8日发布了最新财报，显示全球功率半导体市场规模已缩减至323亿美元，这一变化标志着市场格局的显著调整。在这份财报中，英飞凌尽管依然稳坐市场首位，但其市场份额同比下降了2.9个百分点，降至17.7%。这一趋势引发了业界的广泛关注，尤其是在全球经济环境不确定性加大的背景下。根据

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