英飞凌工业半导体文章

• iSSI系列固态隔离器2024-04-16 08:14

  

  新品iSSI系列固态隔离器新颖的固态隔离器系列带集成式隔离型栅极驱动电源，以驱动MOS电压驱动型功率晶体管，如CoolMOS，OptiMOS，TRENCHSTOPIGBT或CoolSiC。固态隔离器系列的驱动侧不需要专用电源来驱动功率晶体管的栅极。并提供了先进的控制功能，如快速开通和关断栅极，过流保护和过温保护功能，可轻松安全地为各种应用设计固态继电器。产品

  隔离器 驱动电源 1018浏览量

• 管脚兼容的驱动集成电路在哪里？2024-04-15 08:14

  

  功率半导体IGBT、MOSFET以及SiC、GaN等都离不开驱动集成电路，以实现驱动、保护和隔离……电力电子技术在发展，功率器件对驱动的要求越来越高，这推动着驱动技术和产品的发展。例如：英飞凌DSO-8宽体封装工业级的产品，最大规格做到了18A2300V；在英飞凌驱动系列产品中，还有一些崭新的技术，譬如数字化可编程的芯片和压摆率控制SRC的驱动器，提高了驱动

  MOSFET 集成电路 驱动 820浏览量

• 英飞凌与现代重工韩国造船与海洋工程有限公司联合开发船舶电气化技术2024-04-12 08:14

  

  英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）与现代重工韩国造船与海洋工程有限公司（HDKSOE）签署谅解备忘录（MoU），这是双方为了低碳节能，利用功率半导体技术联合开发新兴船用发动机和机械电气化的第一步。HDKSOE的LH2运输舰概念设计HDKSOE是船舶制造领域的先驱和全球领导者，致力于开发使用电力和氢能的环保低碳船舶技术。其将与

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• MPPT常用拓扑原理与英飞凌实现方法2024-03-29 08:13

  

  MPPT（MaximumPowerPointTracking）是光伏逆变器系统实现最大程度利用太阳能的关键部分，不同的MPPT拓扑有各自的特点。本文将对比常见的三种MPPT电路，并对双boost(DualBoost)的开关模式限制做了原理性分析，直观解释了DualBoost在MPPT中无法交错开关。针对不同的电压与电流等级，本文提供了英飞凌针对各种拓扑的参考

  MPPT 光伏逆变器 英飞凌 6446浏览量

• 英飞凌推出新型固态隔离器，切换速度更快，功耗降低高达70%2024-03-27 08:13

  

  英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）在美国国际电力电子应用展览会（APEC）上推出全新固态隔离器产品系列。该系列可实现更快速、可靠的电路交换，并拥有广电固态所不具备的保护功能。这些隔离器采用无磁芯变压器技术，支持高20倍的能量传输的同时，还具备了电流和温度保护功能，实现更高的可靠性和更低的成本。这款方案，与目前使用的传统的固态

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• 英飞凌1700V EconoDUAL™3 IGBT新产品及其在中高压级联变频器和静止无功发生器中的仿真研究2024-03-26 08:13

  

  本文提及的相关产品，均会在直播中出现扫描上方二维码即可报名摘要：EconoDUAL3是一款经典的IGBT模块封装，其上一代的1700V系列产品已经广泛应用于级联型中高压变频器、静止无功发生器（SVG）和风电变流器，覆盖了中功率和一部分大功率的应用场合。随着芯片技术的发展和市场对高功率密度IGBT模块的需求增加，英飞凌已经基于最新的1700VIGBT7技术开发

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• 英飞凌推出全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V，在不影响系统可靠性的情况下提供更高功率密度2024-03-20 08:13

  

  英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiCMOSFET2000V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求，而且即使面对严格的高电压和开关频率要求，也不会降低系统可靠性。CoolSiCMOSFET具有更高的直流母线电压，可在不增加电流的情况下提高功率。作为市面上

  MOSFET 英飞凌 逆变器 1225浏览量

• IGBT并联应用均流控制技术综述2024-03-15 08:13

  

  Zhang Gang

  IGBT 变流器 晶体管 电流 4885浏览量

• 160V半桥SOI半桥驱动器驱动100V MOSFET评估套件2024-03-13 08:13

  

  新品带iMOTIONMADK的160V半桥SOI半桥驱动器驱动100VMOSFET评估套件用于电池供电应用(BPA)的EVAL-2ED2748S01GM1评估套件包括一块三相逆变器功率板，该功率板带有额定电压为160V的2ED2748S01G（3x310引脚DFN封装）半桥栅极驱动器，可驱动12个额定电压为100V的OptiMOSMOSFETIPTC015N

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• 英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiC™ MOSFET G2，推动低碳化的高性能系统2024-03-12 08:13

  

  英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术，开启功率系统和能量转换的新篇章。与上一代产品相比，英飞凌全新的CoolSiCMOSFET650V和1200VGeneration2技术在确保质量和可靠性的前提下，将MOSFET的主要性能指标（如能量和电荷储量）提高了20%，不仅提升了整体能效

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