英飞凌工业半导体文章

• 功率半导体让生活更美好2024-09-20 08:06

  

  功率半导体让生活更美好

  功率半导体 电力电子 电机驱动 971浏览量

• 新品 | 英飞凌无芯变压器固态隔离器交流固态开关评估板2024-09-19 08:03

  

  新品英飞凌无芯变压器固态隔离器交流固态开关评估板英飞凌固态隔离器高压侧不需要辅助电源供电就可以驱动功率晶体管，如CoolMOS、OptiMOS或TRENCHSTOPIGBT。英飞凌SSI系列提供快速开通/关断、过流保护和过温保护等控制功能，驱动功率半导体实现固态继电器。产品特点评估板用于8引脚固态隔离器的快速评估和设计评估板为交流固态开关配置快速开通过流/过

  英飞凌 评估板 隔离器 2035浏览量

• 英飞凌助力奇点能源，打造高效可靠的工商业储能解决方案2024-09-14 08:04

  

  近日，英飞凌宣布携手西安奇点能源股份有限公司，将为其提供业界领先的1200V450AEconoDUAL3功率模块，用于215kW工商业及源网侧eblock储能应用，依托于英飞凌TRENCHSTOPIGBT7创新的产品，助力奇点能源打造高可靠、高效率的储能PCS系统。英飞凌推出的EconoDUAL3中功率IGBT模块封装，自面世以来，迅速赢得业界认可，成为市场

  IGBT 储能 英飞凌 1230浏览量

• 英飞凌率先开发全球首项300mm氮化镓功率半导体技术，推动行业变革2024-09-13 08:04

  

  ●凭借这一突破性的300mmGaN技术，英飞凌将推动GaN市场快速增长●利用现有的大规模300mm硅制造设施，英飞凌将最大化GaN生产的资本效率●300mmGaN的成本将逐渐与硅的成本持平英飞凌科技股份公司今天宣布，已成功开发出全球首项300mm氮化镓（GaN）功率半导体晶圆技术。英飞凌是全球首家在现有且可扩展的大规模生产环境中掌握这一突破性技术的企业。这项

  半导体 氮化镓 英飞凌 907浏览量

• 直播预告 | 电气隔离新势力——英飞凌新型SSI系列固态隔离器的创新技术与应用设计2024-09-12 08:04

  

  英飞凌最新推出的SSI系列固态隔离器面向交流和直流固态继电器、可编程逻辑控制器、智能楼宇和家庭自动化系统（温控器、照明、供暖控制）、工业自动化和控制、仪器设备、电池管理系统、配电柜等等多个领域。其创新技术在兼顾可靠性和稳定性的同时，并实现电路设计简化和成本降低。通过研讨会，您将了解：技术革新亮点：详细介绍英飞凌最新固态隔离器的核心技术优势，以及在快速开通和关

  电气 英飞凌 隔离器 713浏览量

• 新品 | 6500V、1000A 单开关 IGBT 模块 FZ1000R65KE42024-09-10 08:03

  

  新品6500V、1000A单开关IGBT模块FZ1000R65KE46500V1000A，190mmIHV单开关IGBT模块采用IGBT4沟槽栅场终止技术，是HVDC-VSC、牵引和工业应用的最佳解决方案。产品特点低VCEsat碳化硅铝基板存储温度低至-55°CCTI600应用价值实现紧凑型逆变器设计低功率损耗标准化封装竞争优势高性能坚固可靠低功率损耗应用领

  IGBT 模块 逆变器 1177浏览量

• 新品 | 采用第二代1200V CoolSiC™ MOSFET的集成伺服电机的驱动器2024-09-05 08:03

  

  新品采用第二代1200VCoolSiCMOSFET的集成伺服电机的驱动器REF-DR3KIMBGSIC2MA是为集成伺服电机的驱动器应用而开发的升级版逆变器和栅极驱动器板。设计用于评估采用TO-263-7封装的第二代1200VCoolSiCMOSFET。采用IMBG120R040M2H作为三相逆变器板的功率开关。驱动电路采用了具有米勒钳位功能的EiceDRI

  MOSFET 伺服电机 驱动器 941浏览量

• 两位IEEE Fellow授课│第三代半导体器件技术与应用高级研修班10月上海开班2024-09-04 08:02

  

  来源：内容来自中国电源学会01组织机构主办单位：中国电源学会承办单位：中国电源学会科普工作委员会、英飞凌-上海海事大学功率器件应用培训和实验中心、上海临港电力电子研究院02培训时间地点2024年10月11-13日中国(上海)自由贸易试验区临港新片区上海海事大学物流工程学院03培训介绍培训内容本课程旨在全面系统深入地介绍第三代功率半导体新技术的发展，重点讲授碳

  半导体器件 氮化镓 电力电子 1161浏览量

• 新品 | 600V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET系列2024-09-03 08:02

  

  新品600VCoolMOS8SJMOSFET系列英飞凌最新推出的600VCoolMOS8引领着全球高压超级结MOSFET技术的发展，在全球范围内树立了技术和性价比标准。CoolMOS8是英飞凌新一代硅基MOSFET技术，旨在取代现有的高/低功率开关电源（SMPS）的CoolMOS7产品系列（包括P7、S7、CFD7、C7、G7和PFD7）。它也是CoolGa

  MOS MOSFET 英飞凌 880浏览量

• 离网场景下SiC MOSFETs应用于三相四桥臂变流器的优势2024-08-30 12:25

  

  *本论文摘要由PCIM官方授权发布/摘要/工商业侧储能正以其经济性，电网友好性等特点蓬勃发展，其中离网应用场景下，不平衡负载带载能力，谐波畸变度等都是其PCS的重要指标。三相四桥臂（3P4L）变流器具有最强的不平衡负载能力，但对比三相三线（3P3W）系统，成本增加，谐波畸变度更高。SiCMOSFETs由于其优越的材料特性与器件特性，相较IGBT可大幅提升开关

  MOSFET SiC 变流器 2013浏览量