英飞凌工业半导体文章

• 功率器件热设计基础（十一）——功率半导体器件的功率端子2025-01-06 17:05

  

  /前言/功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。功率器件的输出电流能力器件的输出电流能力首先是由芯片决定的，但是IGBT芯片的关断电流能力很强，

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• 应用指南导读 | 优化HV CoolGaN™功率晶体管的PCB布局2025-01-03 17:31

  

  作为宽禁带半导体，氮化镓（GaN）以其前所未有的速度、效率和可靠性迅速成为现代功率电子领域的新宠。然而，GaN器件的高速开关行为也对PCB布局设计提出了巨大挑战。因此想要充分发挥GaN的潜力，我们必须理解和管理PCB布局产生的寄生阻抗，确保电路正常、可靠地运行，并且不会引起不必要的电磁干扰（EMI）。《优化HVCoolGaN功率晶体管的PCB布局》应用指南，

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• 新品 | 3300V，1200A IGBT4 IHV B模块2025-01-02 17:41

  

  3300V,1200AIGBT4IHVB模块知名的IHVB3.3kV单开关IGBT模块经过了重大改进，以满足牵引和工业应用（如中压传动或HVDC）当前和未来的要求。其最新推出的产品组合类型是经过优化的IGBT和二极管比率，FZ1200R33HE4D_B9足以取代英飞凌和竞争对手的1500A3.3kV单开关。它采用TRENCHSTOPIGBT4和发射极可控EC

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• 2024年度盘点：创新赋能，锐意前行2024-12-31 17:06

  

  2024年，面对充满挑战且不确定的市场环境，英飞凌始终秉持创新驱动技术领先的原则，不断突破技术与产品性能的边界，接连推出了多款重量级产品。今日，小编带你一起盘点2024年的高光时刻。全新2000VCoolSiCMOSFET和二极管，业界首发作为市面上第一款击穿电压达到2000V的碳化硅分立器件，全新推出的CoolSiCMOSFET2000V采用TO-247P

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• 2024年度盘点：步履不停，载誉前行2024-12-30 19:33

  

  在充满挑战和不确定的2024年，英飞凌始终坚守以客户为中心的核心价值观，将满足客户需求作为企业发展的根本动力。这一年，英飞凌凭借创新的技术实力、可靠的产品质量，专业的客户支持，以及稳健的运营管理，赢得了客户的认可与赞誉。今日，小编带你一起盘点2024年的荣耀时刻。维谛技术：最佳产品质量奖特变电工：金牌战略合作伙伴奖株洲中车时代电气:技术协作奖施耐德电气:最佳

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• 新品 | CoolSiC™ MOSFET 3.3 kV XHP™ 2半桥模块2024-12-27 17:07

  

  新品CoolSiCMOSFET3.3kVXHP2半桥模块XHP2CoolSiCMOSFET3.3kV集成体二极管、XHP2封装，采用.XT互联技术。产品型号：■FF2000UXTR33T2M1■FF2600UXTR33T2M1■FF4000UXTR33T2M1产品特点Inom大损耗低高开关频率体积小.XT连接技术I2t浪涌电流稳健性应用价值能源效率高功率密度

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• 英飞凌：30年持续领跑碳化硅技术，成为首选的零碳技术创新伙伴2024-12-26 17:06

  

  2024年，全球极端天气频发，成为有气象记录以来最热的一年，飓风、干旱等灾害比往年更加严重。在此背景下，推动社会的绿色低碳转型，提升发展的“绿色含量”已成为广泛共识。在经济社会踏“绿”前行的过程中，第三代半导体尤其是碳化硅作为关键支撑，如何破局飞速发展的市场与价格战的矛盾，除了当下热门的新能源汽车应用，如何在工业储能等其他应用市场多点开花？在日前举办的年度碳

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• 白皮书导读 | 电机驱动系统中的宽禁带开关器件2024-12-25 17:30

  

  样品活动进行中，扫码了解详情近年来，电动汽车的兴起带动了宽禁带器件的应用，并逐渐渗透到各个市场。目前，工业电机主要使用逆变器来提高能效等级，这些逆变器在使用传统硅MOSFET和IGBT作为功率开关时存在一些限制，如总体损耗较高、开关频率和功率输送受限等。随着第三代半导体的兴起，宽禁带器件的应用使得提高电机的功率密度、功率输送能力和效率成为可能。《电机驱动系统

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• 功率器件热设计基础（十）——功率半导体器件的结构函数2024-12-23 17:31

  

  样品活动进行中，扫码了解详情/前言/功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。为什么引入结构函数？在功率器件的热设计基础系列文章《功率半导体壳温和

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• 新品 | 750V 8mΩ CoolSiC™ MOSFET2024-12-20 17:04

  

  750V8mΩCoolSiCMOSFET采用TO-247-4封装的新型CoolSiCMOSFET750VG1是高度坚固的SiCMOSFET，具有最佳的系统性能和可靠性。CoolSiCMOSFET750V充分利用了英飞凌20多年的SiC经验。它在性能、可靠性和坚固性方面都具有优势，并具有栅极驱动灵活性，从而简化了系统设计，提高了成本效益，实现了最高的效率和功率

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